一、VB中ADO技术的应用机制分析（论文文献综述）
黄小艳[1]（2021）在《二维g-C3N4基半导体异质界面调控及其光催化性能研究》文中提出工业化的快速发展加速了化石能源的消耗、温室气体和污染物的排放,引起严重的能源和环境危机。发展清洁能源和有效治理环境技术已成为化学、环境和材料学等多学科领域研究的热点。石墨相氮化碳（g-C3N4或CN）具有可见吸收的带隙（约为2.7 e V）、良好的化学稳定性、环境相容性,兼具制备简单、价格低廉等优势,作为一种极具前景的光解水制氢、有机物降解和二氧化碳还原光催化剂被广为研究。然而,受限于其光生e--h+复合速率快、可见光响应范围窄等问题,其催化活性和催化效率仍有待提升。基于对研究现状的理解和存在问题的分析,本论文将缺陷调控或元素掺杂与构建同质结或异质结相结合,采用ZIF-8衍生物的原位热聚合方法制备了掺杂的CN及系列CN基复合材料。采用XRD、SEM、TEM、XPS、UV-vis、FT-IR、ESR、EIS、Mott-Schottky、光电流响应和瞬态-稳态荧光光谱对合成材料进行了表征和分析,并测试了其光催化析氢或降解抗生素的能力,最后提出光催化机理。具体研究如下:（1）首先,以Cd-ZIF-8为掺杂剂,通过原位协同掺杂热聚合控制Cd2+、-C≡N共掺杂的局域性和动力学,制备CN的同质结,研究其光催化析氢性能（PHE）及其提高机制。Cd2+和-C≡N共修饰的CN催化剂的催化活性显着增强,这归因于-C≡N和Cd2+的协同作用导致的CN结构变化。制备的复合材料可见光吸收显着增强,独特的双重共修饰使优化的CN-80具有最高的PHE速率,达到5586μmol·g-1·h-1,是纯CN的4.1倍。能级结构分析表明整体上掺杂区域能级位置上移,掺杂与未掺杂区域形成CN同质结,加速了电子空穴对分离。通过-C≡N和Cd2+共修饰以及控制Cd2+的量实现相应的掺杂控制以实现活性中心和带隙结构的同时调控的策略,有望扩展到设计更广泛的光催化剂微结构以提高PHE活性。（2）其次,使用多孔ZIF-8/尿素为原料,原位热聚合合成了具有紧密接触的碳掺杂ZnO/无定形CN（C-ZnO/A-CN）Z型光催化剂。制备的C-ZnO/A-CN光催化剂在可见光下对TC的降解表现出优异的去除效率（30 min内可达到80%）。SEM和TEM研究证实,合成的异质结具有2D/2D层状结构,A-CN与C-ZnO紧密结合。能带分析表明二者能带排列有利于Z型电荷传输。特别地,设计的C-ZnO的施主缺陷和A-CN的受主缺陷协同猝灭了低能载流子,促进了C-ZnO和A-CN的电荷分离,使更多具有氧化还原能力的高能载流子能够参与光催化降解TC反应过程。该工作对新型Z型光催化剂的设计和TC及TC相关抗生素废水的处理具有重要参考意义。（3）最后,采用水相法制备了谷胱甘肽（GSH）修饰的硫化铟银量子点（AIS QDs）,研究了界面缺陷的调控和AIS与CN非原位复合的材料的光催化性能。通过H+或OH-处理,可以得到不同带电或质子化表面配体的GSH修饰的AIS QDs。酸性界面缺陷AIS QDs（3.0-AIS）的PHE速率(5.2 mmol·g-1·h-1)是碱性AIS量子点组装体（13.0-AIS）的113倍(0.045 mmol·g-1·h-1)。随着PL寿命的延长,PHE速率随分散体p H值的变化规律相似。由于量子点与硫空位（VS）表面的不完全连接,在酸性聚集体的量子点中引入了一个与各种缺陷（通常是孪晶、缺陷和VS）相关的子带,它捕获激发电子并将它们转移到氢键结合的GSH上,从而比分散的或碱性组装的量子点更有效地生成H2。此外,将AIS与CN复合构建异质结,研究表明非原位复合形成的异质结构不利于光催化制氢活性的提高。相关研究结果,证实了原位技术在同质结构和异质结构设计的优势,以及界面缺陷结构对于材料光催化性能的重要性,为发展多技术调控的光催化体系提供了有价值的参考。总的来说,本论文将缺陷调控或元素掺杂与构建同质结或异质结相结合,制备了一系列高效稳定的CN基复合材料,增强了可见光的吸收,有效促进光生载流子的分离,提高了光催化活性,相关研究为界面结构设计调控材料的光催化性能提供了系统的理解。
王芳[2]（2020）在《银/镉基半导体光催化材料的设计合成、电子结构调控和性能研究》文中研究表明随着人类文明不断进步和社会经济飞速发展,人们对化石能源的需求量日益陡增。由此引发的经济活动和带来的环境污染严重的影响着国民经济的可持续发展,并且逐年恶化的自然环境也对植物和动物的生存造成极大威胁。因而不可再生能源匮乏的窘境和生态环境的严重污染便成为社会可持续发展的两大首要限制因素。如何通过安全可靠和绿色高效的方式来解决这两大难题,是目前众多科学家们所关注的热点话题。毋庸置疑,半导体光催化技术因具备可循环利用和不产生对环境有害物质的特殊性能,成为目前解决该难题的最有效手段。本论文以银基和镉基半导体为主要研究内容,利用金属离子掺杂和异质结构造原理,对半导体的电子结构和界面电荷传输动力学进行调控,旨在从根本上解决半导体的光吸收范围窄、光生电子和空穴复合率高以及稳定性差等关键性问题。研究结果表明,通过掺杂改性的纳米半导体光催化材料和合理结构设计的异质结光催化剂在水中残留对硝基苯酚污染物治理和光催化分解水制备氢能源方面取得了极大的进展。具体研究内容如下:（1）利用高温固相煅烧法制备了一系列非化学计量比的AgNb1-xTaxO3固溶体。通过探究过渡金属元素Ta在AgNbO3中的掺杂类型、掺杂位点和掺杂浓度对晶相结构、能带位置和功函数的影响,得出结论:掺杂具有电负性较小、离子半径和电荷价态相似的金属杂原子至AgNbO3中,将导致固溶体的晶胞体积减小、功函数值降低、载流子迁移率增强。在对硝基苯酚还原反应中,原位生成的金属Ag与AgNb1-xTaxO3固溶体对硝基苯酚的选择性吸附以及AgTaO3还原能力的增强是导致固溶体催化剂性能提高的主要原因。然而,美中不足的是AgTaO3的光吸收范围在紫外区。（2）为了改善AgTaO3的光吸收性能,本章将具有光敏作用的CdS QDs负载在Ag/AgTaO3固溶体上。实验结果表明,CdS QDs/Ag@AgTaO3对不同浓度的对硝基苯酚污染物均表现出优异的催化性能,并且在可见光照射下比Ag/AgTaO3活性提高了10倍,十次循环测试之后性能依旧稳定。CdS QDs的光敏作用以及异质结结构的多电子转移和多活性位点协同作用进一步提高了AgTaO3的光催化性能。（3）基于对上一章实验的探究,可以发现CdS QDs虽然拥有较强的光吸收和还原性能,但是由于表面缺乏活性位点且光生载流子复合率高而往往表现出不近人意的光催化活性。为了解决这一问题,本实验设计合成了单原子Ni负载和掺杂的CdS QDs光催化剂。实验结果和理论计算表明,Ni原子活性位点和杂质能级协同提升了Ni/CdS QDs的光解水产氢性能。在可见光和无助催化剂下,5 h内H2产值接近54 mmol/g,表观量子效率（AQY）达到了52.71%。（4）相比于CdS量子点,块体CdS也具有合适的光学带隙（2.4 eV）和适于析氢的导带电位,并且表面富含大量活性位点。然而光生电子与空穴的快速重组和光化学腐蚀严重阻碍了其进一步研究与应用。为了从根本上解决这一问题,本章实验设计合成了具有良好界面接触和全新I-S型电荷转移模式的锌缺陷ZnS/Cd S异质结。研究结果表明锌缺陷不仅有效提高了ZnS的光吸收性能,还改变了ZnS和CdS的电荷转移模式,这种I-S型电荷转移方式在动力学上加速了电子的转移,并且有效阻断光生空穴在CdS价带的堆积,抑制了CdS的阳极光腐蚀。（5）基于以上研究可以发现镉基量子点具有优异的光学性质和光解水产氢性能,因此本章设计合成了一种双官能团分子巯基乙酸修饰的CdTe QDs/NaTaO3复合光催化剂。实验结果表明当缩短量子点的制备时间后,CdTe QDs的晶粒尺寸减小,光吸收曲线蓝移,光解水产氢性能提高。光电流和ABPE测试表明量子限域效应引起的能级调控对光生电荷转移动力学有重要作用,并且配体中碳链的长度也对界面电荷转移动力学有一定影响。
余秀娟[3]（2020）在《铋基半导体光催化剂的制备及其光催化有机合成反应的性能研究》文中提出如何解决能源短缺和环境污染问题是当今社会的两大重要议题。半导体光催化技术是一种可将太阳能转化为化学能的新技术,该技术具有条件温和、绿色环保和可持续利用等特点,是解决当前能源和环境问题的一种有效途径。然而,通常的半导体光催化剂由于其对可见光的利用率差、光生电子与空穴不易分离,导致光催化活性较低。因此,寻找和构建催化性能优良的光催化剂是十分必要的。本文以具有良好催化潜力的铋基半导体光催化剂作为研究对象,通过对催化剂采取形貌的调控、金属掺杂以及异质结构的构建来提高其在光催化有机合成反应中的催化活性。具体的研究内容包括以下几个方面:（1）制备具有不同形貌和晶体结构的BiVO4光催化剂。以Bi（NO3）3·5H2O和NH4VO3为前驱体,选取了三种BiVO4的制备方法（包括:溶胶-凝胶法、硝酸法、N,N-二甲基甲酰胺法）,制得具有类叶状、微球状和块状结构的BiVO4。对比在制备过程中反应液的pH值、反应温度和反应时间对BiVO4催化剂的影响。采用多种表征方法分析所制备的不同BiVO4催化剂的形貌特征、晶体结构、对可见光的吸收能力和比表面积等信息。测定不同BiVO4催化剂在苯甲醇的选择性氧化反应中的催化性能,探索了催化剂的形貌、晶体结构与光催化性能之间的关系。实验结果表明,采用N,N-二甲基甲酰胺法制备的具有单斜白钨矿相的BiVO4（ms-BiVO4）比表面积最大,该方法所制备的ms-BiVO4在苯甲醇选择性氧化为苯甲醛反应中的转化率最佳。本研究为制备理想的光催化剂载体材料提供一定的思路和方法。（2）制备Ag/Pd/ms-BiVO4纳米微球光催化剂。以硝酸法制备的ms-BiVO4为载体,采用NaBH4还原法制得一系列纳米微球复合光催化剂。实验考察了以不同负载顺序制备的三种Ag-Pd双金属复合光催化剂的催化性能,包括先负载Pd后负载Ag的Ag/Pd/ms-BiVO4、先负载Ag后负载Pd的Pd/Ag/ms-BiVO4和Ag、Pd同时负载的Ag-Pd/ms-BiVO4。同时,考察了金属的负载量和负载比对催化剂催化性能的影响。结果表明,在苯甲醇选择性氧化反应中,Ag/Pd/ms-BiVO4（2wt%,2:1）的光催化性能最佳,且远高于纯ms-BiVO4。实验探究了光催化剂Ag/Pd/ms-BiVO4（2wt%,2:1）在13种醇类衍生物的选择性氧化反应中的催化性能。催化性能的提高是基于Pd较强的吸氢能力和Ag的表面等离子体共振效应。另外,Ag比Pd的电负性强,当Ag负载到Pd的表面时,电子从Pd转移至Ag降低了催化剂光生电子与空穴的复合率。结合催化剂活性物种的捕获实验,提出了反应进行可能的机理。（3）制备Z-scheme异质结构的x-Bi2WO6/g-C3N4光催化剂。分别采用水热法和高温煅烧法制备了花状微球Bi2WO6和大块g-C3N4。通过超声剥离与机械搅拌相结合的方法,制得一系列具有Z-scheme异质结构的复合光催化剂x-Bi2WO6/g-C3N4（x为Bi2WO6的质量比）。在苯甲醇与苯胺合成亚胺的反应中,以30%-Bi2WO6/g-C3N4作为催化剂时光催化效果最佳,反应的转化率达到87.6%,远高于纯Bi2WO6和纯g-C3N4作为催化剂时的转化率。SEM和TEM表征结果显示,超声剥离后g-C3N4的径向尺寸明显减小,形成的复合光催化剂分散均匀并保持了Bi2WO6花状微球的结构;BET表征结果显示,超声剥离后g-C3N4的比表面积增加了约10倍。循环实验证实了催化剂的光稳定性。在可见光照射下,苯甲醇与苯胺偶联反应的活化能值降低了29.8kJ·mol-1。催化剂活性物种的捕获实验表明,该反应是由h+、e-和·O2-之间的协同作用完成的。（4）制备Bi基二元异质结构x-Bi2O2CO3/Bi2WO6光催化剂。采用水热法制备了两种Bi基氧化物半导体光催化剂Bi2O2CO3和Bi2WO6。通过机械搅拌复合法制得不同复合比的x-Bi2O2CO3/Bi2WO6（x为Bi2O2CO3的质量比）光催化剂。表征结果表明,Bi2O2CO3和Bi2WO6具有类似的二维薄片结构,确保了两种材料形成异质结构的可能性。同时,异质结构的形成改善了Bi2O2CO3在可见光区的吸光能力。在苯甲醇选择性氧化反应中,x-Bi2O2CO3/Bi2WO6光催化剂表现出优异的催化性能,其中以30%-Bi2O2CO3/Bi2WO6作为催化剂时反应的转化率最佳。捕获实验结果显示,该反应主要由h+、e-和·O2-之间的协同作用完成的,并探讨了反应可能的光催化机理。
蒲文杰[4]（2020）在《氧化钨基光催化剂的设计及性能研究》文中认为随着社会的迅速发展,环境污染问题日益严重。印染废水污染是一种典型的工业污染,传统处理方法难以将其完全除去,而能够高效利用太阳能的光催化技术在此领域展现出优势,该技术具有节能、无二次污染等优点。发展光催化技术的关键在于设计和制备出高效的光催化剂,传统光催化剂如二氧化钛（TiO2）、氧化锌（ZnO）等为宽带隙半导体,只对紫外光响应（仅占太阳光的5%左右）,不能有效利用太阳光中占50%左右的可见光。因而,发展新型可见光响应型光催化剂迫在眉睫。三氧化钨（WO3）为N型半导体,其带隙合适（Eg<3.1 eV）能被可见光激发,并具有光电流信号强、光敏性好等优点,被应用于光催化领域。但其光生电子和空穴易发生复合,导致光催化性能较低。本文以WO3为主要研究对象,从缺陷构筑、贵金属沉积、与半导体复合等方面对其进行修饰,旨在增加材料对有机染料的有效吸附、增强对可见光的吸收能力以及提高光生载流子的分离效率,从而提升其光催化性能。本论文的主要研究成果如下:（1）为增强有效吸附,采用溶剂热法制备WO3,并在Ar/H2混合气中进行退火处理,构筑了氧缺陷型WO3（Ar/H2）纳米片。研究表明,富含氧缺陷的WO3能快速吸附有机污染物,吸附容量高达63.7 mg/g。吸附动力学研究表明,吸附过程符合准二阶方程模型,说明此为化学吸附。热力学研究表明,吸附过程是在室温下自发进行的,无需消耗能量,适用于污水处理领域。（2）虽然氧缺陷型WO3（Ar/H2）纳米片的吸附容量较大,但其却未能对有机污染物进行深度降解。因此,利用具有等离子共振效应的Ag沉积在WO3上对其进行修饰,成功构筑Ag/WO3材料。其中,光沉积2 h形成的Ag/WO3材料具有最佳性能,在90 min内对罗丹明B（RhB）水溶液的降解效率达97%。此外,通过多种光电化学表征,发现Ag/WO3具有更强的可见光吸收能力以及更高的光电流响应,表明Ag纳米颗粒（直径约为5 nm）的引入能增强材料的吸光能力,并促进光生载流子分离,使得光催化性能提升。（3）因Ag作为贵金属,价格昂贵,限制了其在实际印染废水处理中的应用,因此探寻半导体复合的方法来对WO3改性。首先通过水热法制得WO3立方体,再利用研磨法将氮化碳（CN）与WO3结合,得到CN/WO3复合材料。研究表明,WO3与CN之间形成紧密界面,二者能带匹配构筑Z型异质结构,即二者被可见光激发后,WO3导带上的电子与CN价带上的空穴相结合,而留在WO3价带上的具有较强氧化能力的空穴和CN导带上的具有较强还原能力的电子分别参与氧化反应和还原反应,使得光生载流子得到有效分离,提高了CN/WO3复合材料的光催化性能。
刘卓群[5]（2020）在《基于Solidworks的挤压膨化食品加工装备知识库的开发》文中研究说明挤压膨化食品是近年来膨化食品加工行业发展起来的一种新型产品。随着挤压膨化食品加工行业的快速稳步发展,挤压膨化食品加工设备制造企业对设备的生产性能和技术要求也越来越高。目前我国部分挤压膨化食品加工设备生产商和制造企业进行加工设备的设计开发时,研发周期长、问题多、效率低、速度慢等问题非常普遍,这些问题都阻碍着我国挤压膨化食品行业的发展。因此,本文以目前市场上使用的部分挤压膨化食品加工设备作为开发目标,基于SolidWorks三维绘图软件和Visual Basic编程语言,开发挤压膨化食品加工装备知识库系统。在对本系统开发的过程中,首先通过对挤压膨化食品加工的工艺流程进行具体分析,构建挤压膨化食品加工生产线,结合挤压膨化食品的特点及原料种类,选择合适的挤压膨化食品加工设备作为系统的开发目标,并分析了各设备的工作原理及结构特点,以此分析并明确系统开发的关键零部件及设计主要参数。其次深入分析了开发挤压膨化食品加工装备知识库系统所使用的工具和方法,对开发系统的主要技术SolidWorks二次开发技术、数据库访问技术、基于Visual Basic的参数化设计技术及自动装配技术进行了深入研究,同时通过Microsoft Access数据库管理系统实现了系统的数据库功能。最后基于参数化设计的方法、自动装配技术的工作流程及Visual Basic的界面设计功能,对各加工设备零部件及整机设备的具体功能开发以及系统各设备模块的人机交互界面设计,从而完成了系统的整体开发。通过本系统,用户能够实现包括挤压膨化食品加工设备关键零部件的参数化建模、挤压膨化食品加工设备整机三维模型的自动装配和挤压膨化食品加工设备的标准件和通用件的三维模型生成三种功能。同时系统可以快速、准确地响应用户的市场需求,提高设计的效率、缩短开发的周期、减少开发的成本。
穆江龙[6]（2020）在《SnX2（X=S,Se）基光阳极的构建及其光电催化性能研究》文中研究说明随着21世纪能源短缺和环境污染两大世界性难题日益凸显,全世界正经受着前所未有的巨大挑战,积极探索并开发地球储量丰富、低成本、无毒无污染、绿色环保型的可再生清洁能源是有效解决人类生存环境继续恶化的有效途径之一,具有长远性和战略性的意义。氢气是一种高能量密度的可再生清洁能源,因便于存储、运输且适用性广等优点而备受关注。光电催化技术被评为是最廉价、高效、便捷、可持续应用的先进型技术手段,通过光阳极和光阴极的氧化/还原反应快速地将太阳能转化为化学能并以化学键的形式存储,该过程类似于自然界中的光合作用。光电催化过程中,光电极的高效性、稳定性和重复性是当前科学研究的热点问题之一。半导体光电催化主要涉及光的吸收、光生载流子的分离和迁移、表界面氧化/还原反应等过程,故光电极结构需具有宽光谱响应、快速载流子分离和迁移效率及高效表面化学反应等特点。在诸多半导体材料中,IV-VI族化合物SnS2和SnSe2因其独特的层状结构而具有载流子迁移率高、对紫外-可见-近红外光响应性能好及光电催化效率高等特点,在光电催化领域中展现出巨大的潜力及应用前景。本论文构建了多种高效结构的SnX2（X=S,Se）基光阳极,通过优化形貌、调控晶面、构建异质结、引入缺陷能级等策略拓展光电极的光谱吸收范围、增强光的捕获能力、加速光生载流子的分离和迁移速率、促进电极/电解液界面反应速率,提升光电极的光电催化效率,进而厘清光生载流子的传输机制和光电性能增强机理。探究SnX2（X=S,Se）基光阳极在能源和环境等实际应用中的催化性能,分别将SnS2和SnSe2基光电极应用于光电催化分解水和光电催化降解有机物污染物（MB,Cr（VI）和RhB）等方面。具体的创新性研究内容如下:（1）通过阳极氧化法和溶剂热法将2D SnS2 NSs和1D TiO2 NTs结合构建了新颖的2D/1D SnS2 NSs/TiO2 NTs光阳极用于光电催化分解水。外加1.23 V（vs.RHE）电压时,溶剂热温度为180 oC制备的2D/1D SnS2 NSs/TiO2 NTs（ST-180）异质结光阳极的光电流密度约为1.05 mA cm-2,是纯TiO2 NTs(0.23 mA cm-2)的4.6倍。ST-180光阳极光电催化分解水产生H2和O2的速率分别为47.2和23.1μmol cm-2 h-1,其相应的法拉第效率分别为80.1%和78.3%。经分析其光电性能增强的主要因素源于:（1）表层“光陷阱”状2D SnS2 NSs减少光在材料表面的反射和增加光的传输路径,实现对光的高效捕获和增强对光的吸收效率;（2）底层“电子传输通道”状1D TiO2 NTs可以有效地实现光生电子定向快速传输,增强电子的迁移效率;（3）2D/1D SnS2 NSs/TiO2 NTs异质结界面的内建电场Eξ则可以促进光生电子-空穴对的分离效率,协同促进2D/1D SnS2 NSs/TiO2 NTs异质结实现高效光电催化分解水。该工作为新型异质结架构的设计提供了新的研究思路和实验基础。（2）结合溶剂热和原位氧化法创新地构建了强氧化性0D/2D SnO2 NPs/SnS2 NSs阶梯异质结（S-type）用于光电催化分解水。在N2/H2（95:5）气氛中,400 oC退火后2D SnS2NSs（SS-400）的表面和边缘出现适量0D SnO2 NPs,其光电性能和光电催化分解水效率得到显着地提升。外加1.23 V（vs.RHE）电压时,SS-400的稳态光电流密度为0.33 mA cm-2,分别是SS-300(0.17 mA cm-2)和SS-500(0.27 mA cm-2)的1.9和1.2倍。SS-400光阳极光电催化分解水时产生H2和O2的速率分别为5.5和2.7μmol cm-2 h-1,相应的法拉第效率为89.4%和87.7%。综合分析可知催化性能增强因素是0D/2D SnO2 NPs/SnS2NSs异质结以新颖的S型载流子传输机制促进SnO2的CB中还原能力弱的电子和SnS2的VB中氧化能力弱的空穴复合,进而促使SnO2的VB中氧化能力强的空穴和SnS2的CB中还原能力强的电子迅速分离,故SS-400光阳极具有强氧化特性,增强了表界面的化学反应速率。（3）利用Al2O3对可见光高反射率和缺陷能级作用巧妙地增强Al2O3/SnS2复合异质结的光吸收特性和载流子迁移特性。通过研究Al2O3含量对Al2O3/SnS2异质结的光学性能、光电性能及光电催化性能的影响,对其载流子传输机制和性能增强机理进行剖析。经测试,Al2O3质量比为11%-Al2O3/SnS2（AOSS-11）异质结的光电特性和光电催化降解MB性能最佳。在可见光和外加0.49 V（vs.Ag/AgCl）电压时,AOSS-11的光电流密度约37μA cm-2及催化降解率85.9%,分别约为SnS2的1.23和1.18倍。经分析其光电性能增强的主要因素是:（1）Al2O3对可见光具有很高的反射率（～98%）,在Al2O3和SnS2配比合适时有利于促进Al2O3/SnS2复合异质结对光的多次反射和吸收,提高光的利用效率;（2）Al2O3的缺陷能级有效捕获光生电子,提高光生电子-空穴对的分离效率;（3）Al2O3增大了Al2O3/SnS2复合异质结的比表面积,增强界面载流子的迁移效率及反应速率,进而实现高效稳定的光电催化降解MB。（4）基于SnSe2宽光谱响应特性,采用化学气相沉积法制备高结晶2D SnSe2/FTO光阳极,研究基底FTO与SnCl4·5H2O之间的距离d和载气流速f对2D SnSe2纯度和结晶度、（001）/（101）晶面暴露比的影响,进而探索其光电催化同时降解RhB和Cr（VI）性能。外加1.23 V（vs.RHE）电压时,2D SnSe2/FTO（d=10 cm,f=50 sccm）光阳极光电流密度分别为0.32（全光谱）和0.24（λ≥420 nm）mA cm-2,而且最大偏压-光电转换效率为0.04%,是2D SnSe2/FTO（d=12 cm,f=50 sccm）的2.4倍。经测试揭示2D SnSe2/FTO光阳极光电性能增强主要因素是:（1）2D SnSe2/FTO光阳极的纯度和结晶度;（2）Se2-缺陷使SnSe2的带隙减小,拓宽光谱吸收范围至近红外光波段;（3）SnSe2的价带缺陷有效捕获空穴,增强光生载流子的分离效率;（4）Se2-缺陷提供更多的反应活性位点,加速表界面化学反应速率;（5）SnSe2合适的（001）/（101）晶面比。该工作为制备高结晶2D SnSe2/FTO光电极提供了重要的实验基础,具有一定的科学参考价值。（5）结合TiO2 NTs定向传输特性及Se和SnSe2宽光谱响应特点,创新地构建出宽光谱响应的Se/TiO2、SnSe2/TiO2和Se/SnSe2/TiO2多重异质结,并将其应用于光电催化降解RhB和Cr（VI）混合溶液,探究各结构之间载流子传输机制和光电催化降解机理。通过对光学、光电及催化性能测试,外加1.23 V（vs.RHE）电压时Se/SnSe2/TiO2多重异质结的光电流密度为0.94 mA cm-2,分别是纯TiO2 NTs、Se/TiO2、SnSe2/TiO2异质结的1.7、1.4和1.3倍。Se/SnSe2/TiO2多重异质结光电催化同时降解RhB和Cr（VI）混合溶液的最佳效率分别为95.3%和72.6%。经分析Se/SnSe2/TiO2多重异质结光电催化性能增强的主要因素是:（1）拓宽吸收光谱范围且提升吸收强度,增强光吸收效率;（2）激发更多的光生电子-空穴对且延长载流子寿命;（3）界面内建电场Eξ提升光生载流子分离效率;（4）比表面增大且活性位点数目增多,加速界面化学反应速率。
张若愚[7]（2020）在《石墨相氮化碳基光催化材料的性能调控及第一性原理研究》文中进行了进一步梳理传统的经济发展模式,一方面推进了现代社会的高速发展和工业化水平,给人类生活带来了极大便利,而另一方面也加剧了人与自然之间的矛盾,导致了能源危机与环境污染两个巨大的全球性挑战。目前深入推进的新型可持续发展战略,迫切呼唤可再生能源技术的支撑。其中以太阳能为能量来源的光催化技术正在成为理想的能源产出和环境治理的新方案,也是国际上的热点研究方向。该技术已经广泛应用于光分解水产H2、降解污染物以及杀菌消毒等方向,具有经济、安全和环保等独特优势。但到目前为止,具有光催化活性的材料对太阳能利用率低这一限制性因素仍然没有得到彻底的解决。因此,发展新型的具有高效可见光催化效率和低成本的光催化剂是现阶段光催化研究中的关键步骤。有机聚合物半导体石墨相氮化碳（g-C3N4）,因其具有独特的二维层状结构、高稳定性和可见光区响应等特性,是目前最受关注的光催化剂之一。然而,纯g-C3N4也存在光吸收范围窄,光生载流子复合率高、迁移率低等缺点,从而限制了其在光催化领域的应用范围。本文针对g-C3N4以上三点不足,以提高g-C3N4基光催化剂的光催化活性为目的,采用元素掺杂和构筑异质结等方案,对g-C3N4基光催化剂的光吸收范围、载流子分离能力和迁移率等特性进行优化。此外,鉴于光催化反应进程大多发生在半导体的表面或者半导体异质结的界面,表面与界面电荷的分布、转移方向和聚积能级共同决定了光催化剂的效率、性能与应用,而这也是目前常规实验手段难以观测的微观信息。因此,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了光催化剂的晶体结构与电子结构,并从原子尺度描述材料中载流子的迁移方向和能带边缘电位,推测光生电子与空穴在光催化进程中发生的氧化还原反应。结合实验手段验证了这些设计在提升g-C3N4基光催化剂性能的可行性。理论计算结合实验现象从深层次理解光催化反应机理和光催化效率提升的机制是本文工作的特色之一,本论文的研究内容主要包括以下四个部分:（1）选取含S元素的碳氮聚合物硫脲作为前驱物,采用高温煅烧法在g-C3N4的平面结构中引入S元素合成无金属光催化剂S-C3N4。基于对罗丹明（RhB）和Cr6+的光降解能力测试分别评估了g-C3N4和S-C3N4样品的光催化活性。光电特性表征分析结果表明S元素掺杂拓宽了g-C3N4在可见光区的吸收范围,并同时增强了光生载流子的迁移率与分离能力。同时,采用第一性原理计算了S-C3N4的晶体结构、能带结构、功函数以及能带边缘电位等信息。结合计算与实验结果系统地分析了S-C3N4中的光催化反应机理,有助于为设计性能更优异的g-C3N4基光催化剂材料提供参考。（2）从能带调控角度出发,设计Ti元素插层式的Ti/C3N4光催化剂。第一性原理计算结果确认了Ti元素的掺杂位置,发现了掺杂位置对g-C3N4中载流子迁移方式的改变,预测了Ti/C3N4间的强相互作用既会提升光吸收性能,同时也会抑制光生电子-空穴对的复合,体现了这种结构的良好光催化潜力。随后,实验上采用前驱体重整策略,通过钛酸四丁酯预处理三聚氰胺,成功制备这种Ti/C3N4。采用光降解RhB有机染料实验评估样品的光催化活性,结果表明掺杂后样品的光降解能力得到提升,稳定性良好,且不同的掺杂浓度会影响掺杂体系的光催化活性。进一步结合能带边缘电位的变化与光催化捕获实验的结果解释了掺杂浓度对光催化效率的影响,并分析了光催化反应机理,相关研究结果证明该体系在光降解领域具有广阔的应用前景。（3）选取具有可见-近红外光区响应的黑磷（BP）作为研究对象,采用构建二维异质结的策略,研究了单层BP与g-C3N4形成“互补”的高载流子迁移率和可见光利用率的光催化剂C3N4/BP。利用杂化泛函方法对C3N4/BP异质结的电子结构和光学性质进行计算,结果显示C3N4/BP异质结是典型的Ⅰ型异质结,异质结界面处形成了gC3N4指向BP的内建电场与并发生能带弯曲,半导体之间的强相互作用增强了异质结的光吸收能力。异质结的形成对于g-C3N4组分完成了光生载流子在空间上的分离,对于BP组分增强了CB边缘电位的还原能力,使其更适用于析氢反应中。因此,二维C3N4/BP异质结相比于纯g-C3N4或者BP具有更强的光分解水产H2能力,光催化性能得到显着增强,有潜力成为性能优越的无金属光催化剂。（4）利用煅烧-水热两步法制备了C3N4/BiOCl异质结,通过异质结的界面强相互作用和匹配的能带边缘电位完成界面电荷的高效分离与转移,同时提高RhB的光降解效率和光解水制H2效率。通过形貌结构和光电特性的表征手段研究了异质结的堆叠方式、光吸收性质和载流子传输能力。结合第一性原理计算研究了异质结内部的电荷转移和内建电场方向,定量地计算了半导体的能带排列结构和能带边缘电位变化。此外,对比反应自由基捕获实验结果,研究了C3N4/BiOCl异质结的光催化反应机理,为异质结光催化剂的设计及性能优化提供了新思路。
王文敏[8]（2020）在《含锌复合金属催化剂的制备及其多相光催化臭氧降解水中有机污染物的研究》文中研究说明随着社会的飞速发展,环境中有机污染物造成的人体健康和生态平衡问题已成为社会关注的焦点。多相光催化臭氧化技术是将光催化技术和臭氧化技术相结合,具有可将污染物高效降解的潜力。在该体系中,不同类型催化剂的表面特性各不相同,因而在多相光催化臭氧化技术中所展现出的催化效果和污染物降解能力各不相同。因此,选取和制备合适的催化剂成为研究重点。本文分别制备了不同金属掺杂ZnS二元纳米复合催化剂、TiO2/ZnO/Mg（OH）2三元纳米复合催化剂。通过对这两类催化剂进行一系列表征测试、催化性能分析,进而得到这两类催化剂在应用于多相光催化臭氧化技术时的内部电子转移机制,从根本上推动了其在多相光催化臭氧化技术净化废水方面的应用。通过自由基捕获实验和阅读相关文献,研究了O3、UV和催化剂之间的协同作用机理和主要作用活性物质,为该技术的应用提供理论基础。本文取得了一些有价值的研究成果,主要如下:（1）研究不同金属掺杂（Cu、Ag、Bi、Ga或In）ZnS二元纳米复合催化剂应用于多相光催化臭氧化技术。掺杂的金属分别进入到ZnS纳米晶格中,且金属元素的掺杂会影响ZnS颗粒的部分结构。金属掺杂ZnS催化剂在紫外光区域的吸收强度明显高于ZnS,这有利于其在254 nm的紫外灯下形成更多的电子-空穴对。Cu/ZnS具有最窄带隙,这促进电子传输速率。Ag/ZnS、Bi/ZnS、Ga/ZnS和In/ZnS具有比ZnS更正的价带,这促进空穴的氧化能力。金属掺杂ZnS的催化性能优于ZnS,其内部电子转移机制为:ZnS与掺杂金属之间形成肖特基结,该结用作电子陷阱可有效捕获电子,抑制电子-空穴对的复合。Cu/ZnS在18 min内可达到4-CP的几乎完全降解和72.69%的矿化率,具有最佳催化性能和良好的可重复利用性。（2）研究TiO2/ZnO/Mg（OH）2三元纳米复合催化剂应用于多相光催化臭氧化技术。合成的三元纳米复合材料是由TiO2和Mg（OH）2包裹在ZnO的表面上的球状结构。随着煅烧温度的升高,Mg（OH）2会进行脱水缩合反应形成MgO,增加材料的比表面积、孔体积和孔径。TiO2/ZnO/Mg（OH）2在紫外光区域的吸收强度明显高于ZnO,这更容易吸收波长为254 nm的紫外线。TiO2/ZnO/Mg（OH）2三元纳米复合材料具有比单一催化剂更窄的带隙,这促进电子传输速率。在400℃煅烧温度下合成的TiO2/ZnO/Mg（OH）2（TZM-400）在40 min内可达到1,4-D的几乎完全降解和84.37%的矿化率,具有最佳催化性能和良好的可重复利用性。TZM-400的内部电子转移机制为:（a）当Mg（OH）2价带（VB）中的光激发电子转移到导带（CB）时,电子先转移到ZnO的CB,然后再转移到TiO2的CB;（b）Mg（OH）2的光激发电子直接转移到TiO2的CB;（c）VB中的空穴沿相反方向移动。同时,具有优异吸附性能的MgO使更多的污染物和活性物质附着到催化剂的表面,促进反应的进行。1,4-D最终会降解为CO2、H2O和少量有机酸:甲酸、乙酸和草酸。（3）多相光催化臭氧化体系降解污染物过程中,O3、UV和催化剂之间的协同作用机理主要分为以下四部分:催化剂在UV作用下产生电子（e-）-空穴（h+）对;O3在e-作用下生成·OH和·O2-;O3在UV的作用下生成·OH和·O2-;溶液中水分子在h+作用下生成·OH。其中,e-和·OH起着主要作用。
许莹[9]（2017）在《基于VB的ADO技术应用与研究》文中研究说明介绍并分析了VB中ADO技术的体系结构和分层对象模型,详细描述了VB中使用ADO访问数据库的两种不同的方法,最后通过超市管理系统具体实现了在VB中使用ADO连接数据库的功能.
王月帆[10]（2016）在《基于VB2010程序设计中的数据库应用》文中提出随着现代信息技术的广泛普及和应用,计算机技术逐渐受到了人们的关注。在计算机的知识体系中,Visual Basic程序设计是计算机的基础知识之一。在Visual Basic程序设计中,数据库又是较为重要的内容,并且它的实用性也很突出,很多工作岗位中都有涉及。据此本文就对Visual Basic2010程序设计中的数据库应用进行了分析。
二、VB中ADO技术的应用机制分析（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、VB中ADO技术的应用机制分析（论文提纲范文）
（1）二维g-C3N4基半导体异质界面调控及其光催化性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 引言 |
| §1.2 光催化技术 |
| §1.2.1 光催化原理 |
| §1.2.2 光催化技术的应用 |
| §1.2.3 光催化材料的发展 |
| §1.3 g-C_3N_4材料的研究 |
| §1.3.1 g-C_3N_4的基本性质与制备 |
| §1.3.2 g-C_3N_4的结构 |
| §1.3.3 g-C_3N_4的局限性 |
| §1.4 提升g-C_3N_4光催化性能的手段 |
| §1.4.1 纳米结构设计 |
| §1.4.2 表面缺陷调控与元素掺杂 |
| §1.4.3 金属沉积 |
| §1.4.4 构建异质结与界面工程 |
| §1.5 研究内容与意义 |
| §1.5.1 研究意义 |
| §1.5.2 研究内容 |
| 第二章 实验材料、仪器和表征 |
| §2.1 实验材料及仪器 |
| §2.1.1 实验材料 |
| §2.1.2 实验仪器 |
| §2.2 催化剂性能表征手段 |
| §2.2.1 X-射线衍射分析(XRD) |
| §2.2.2 傅里叶红外光谱(FT-IR) |
| §2.2.3 扫描电子显微镜分析(SEM) |
| §2.2.4 透射电子显微镜分析(TEM) |
| §2.2.5 紫外可见分光光度计(UV-vis) |
| §2.2.6 荧光光谱分析(PL) |
| §2.2.7 X-射线电子能谱(XPS) |
| §2.2.8 光电化学测试 |
| 第三章 Cd~(2+)和氰基共掺杂诱导g-C_3N_4自S型同质结析氢性能研究 |
| §3.1 引言 |
| §3.2 实验部分 |
| §3.2.1 纯CN的合成 |
| §3.2.2 Cd-ZIF-8 的合成 |
| §3.2.3 Cd-ZIF-8 改性CN的合成 |
| §3.2.4 光催化析氢测试 |
| §3.3 结果与讨论 |
| §3.3.1 相结构和表面化学状态分析 |
| §3.3.2 形态和结构分析 |
| §3.3.3 光吸收和光催化产氢活性分析 |
| §3.3.4 光响应能力和光学特性 |
| §3.3.5 能级结构 |
| §3.4 本章小结 |
| 第四章 缺陷调控的C-ZnO/A-CN Z型机制光催化降解TC的载流子动力学研究 |
| §4.1 引言 |
| §4.2 实验部分 |
| §4.2.1 ZIF-8 及其衍生物C掺杂ZnO(C-ZnO)多孔纳米材料的合成 |
| §4.2.2 C掺杂ZnO/无定型CN(C-ZnO/A-CN)Z型光催化剂的合成 |
| §4.2.3 光催化降解实验 |
| §4.3 结果与讨论 |
| §4.4 本章小结 |
| 第五章 pH定向聚集构建硫化银铟量子点缺陷相关亚带隙促进光催化析氢 |
| §5.1 引言 |
| §5.2 实验部分 |
| §5.2.1 水分散谷胱甘肽修饰的AIS量子点的合成 |
| §5.2.2酸或碱处理裁剪GSH修饰的AIS量子点的表面电荷或缺陷 |
| §5.2.3 光催化析氢实验 |
| §5.3 结果和讨论 |
| §5.3.1 光学特性 |
| §5.3.2 AIS的 PHE性能 |
| §5.3.3 AIS的表面态、聚集和生长机制 |
| §5.3.4 光催化产氢机理 |
| §5.4 AIS/CN光催化性质研究 |
| §5.5 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| §6.1 总结 |
| §6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者在攻读硕士期间的主要研究成果 |
（2）银/镉基半导体光催化材料的设计合成、电子结构调控和性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 半导体光催化简介 |
| 1.2.1 太阳光 |
| 1.2.2 半导体 |
| 1.3 半导体光催化原理 |
| 1.4 半导体光催化剂改性方法 |
| 1.4.1 掺杂 |
| 1.4.2 表面沉积金属 |
| 1.4.3 半导体复合 |
| 1.5 银基/镉基半导体材料简介与研究进展 |
| 1.5.1 银基半导体材料光催化研究进展 |
| 1.5.2 镉基半导体材料光催化研究进展 |
| 1.6 研究意义与研究内容 |
| 1.6.1 研究意义 |
| 1.6.2 研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验仪器与测试条件 |
| 2.1 实验仪器与药品 |
| 2.2 测试条件与样品表征 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) |
| 2.2.2 傅里叶红外光谱(FT-IR) |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.2.4 透射电子显微镜(TEM) |
| 2.2.5 紫外-可见漫反射(DSR) |
| 2.2.6 X射线光电子能谱(XPS) |
| 2.2.7 表面光电压谱(SPV) |
| 2.2.8 电化学测试 |
| 2.2.9 紫外光电子能谱(UPS) |
| 2.2.10 荧光光谱测试(PL) |
| 2.2.11 密度泛函计算(DFT) |
| 第三章 原位生成Ag~0/AgNb_(1-x)Ta_xO_3用于揭示电子结构和活性位点与催化性能的构效关系 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验内容 |
| 3.2.1 Ag_2O前躯体的制备 |
| 3.2 2 AgNb_(1-x)Ta_xO_3 固溶体的制备 |
| 3.2.3 Ag~0/AgNb_(1-x)Ta_xO_3 复合材料的制备 |
| 3.2.4 催化还原对硝基苯酚试验 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 晶体结构与形貌 |
| 3.3.2 金属离子掺杂机理分析 |
| 3.3.3 表面化学价态和电子结构 |
| 3.3.4 固溶体光催化性能研究 |
| 3.3.5 界面电荷转移分析 |
| 3.3.6 光催化机理探究 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 CdS QDs修饰AgTaO_3用于增强可见光光催化活性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验内容 |
| 4.2.1 AgTaO3的制备 |
| 4.2.2 CdS QDs的制备 |
| 4.2.3 TCQ/AgTaO_3 复合材料的制备 |
| 4.2.4 xTCQ/Ag@AgTaO_3 复合材料的制备 |
| 4.2.5 Ag/TCQ的制备 |
| 4.2.6 催化还原对硝基苯酚试验 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 光催化剂的结构与形貌 |
| 4.3.2 化学组成与价态分析 |
| 4.3.3 光学性能 |
| 4.3.4 光催化性能 |
| 4.3.5 光催化机理探究 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 单原子Ni负载和掺杂的CdS QDs用于光解水产氢性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验内容 |
| 5.2.1 Fe~(2+),Co~(2+),Ni~(2+)离子掺杂CdS QDs的制备 |
| 5.2.2 光催化分解水产氢活性测试 |
| 5.3 实验结果及讨论 |
| 5.3.1 结构与形貌分析 |
| 5.3.2 化学组成与价态分析 |
| 5.3.3 光学性能研究 |
| 5.3.4 光催化性能测试 |
| 5.3.5 光催化机理探究 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 锌缺陷ZnS/CdS复合光催化剂的构筑及光催化机理探究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验内容 |
| 6.2.1 CdS纳米棒的制备 |
| 6.2.2 CdS/ZnS复合物的制备 |
| 6.2.3 光催化分解水制氢活性测试 |
| 6.3 实验结果与讨论 |
| 6.3.1 光催化剂制备流程 |
| 6.3.2 晶体结构与形貌 |
| 6.3.3 光学性能 |
| 6.3.4 表面化学价态和电子结构 |
| 6.3.5 光电测试与光催化性能研究 |
| 6.3.6 荧光与寿命测试 |
| 6.3.7 光催化机理探究 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 CdTe QDs/NaTaO_3异质结光催化剂的设计合成与光生电荷动力学研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 实验内容 |
| 7.2.1 NaTaO_3的制备 |
| 7.2.2 TGA-Cd e QDs的制备 |
| 7.2.3 TGA(MPA)-CdTe QDs/NaTaO_3的制备 |
| 7.2.4 光催化分解水制氢反应 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.3.1 密度泛函理论计算 |
| 7.3.2 催化剂制备原理 |
| 7.3.3 结构与相貌分析 |
| 7.3.4 表面结构与化学价态分析 |
| 7.3.5 光学性能分析 |
| 7.3.6 光电性能测试 |
| 7.3.7 光催化性能测试 |
| 7.3.8 光催化反应机理 |
| 7.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第八章 总结与展望 |
| 总结 |
| 展望 |
| 攻读博士期间的研究成果 |
| 致谢 |
（3）铋基半导体光催化剂的制备及其光催化有机合成反应的性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 半导体光催化技术 |
| 1.3 半导体光催化剂的改性手段 |
| 1.3.1 离子掺杂 |
| 1.3.2 构筑异质结构 |
| 1.3.3 形貌和晶体结构的调控 |
| 1.3.4 缺陷工程 |
| 1.4 几种常见的铋(Bi)基可见光催化剂 |
| 1.4.1 BiVO_4基光催化剂 |
| 1.4.2 Bi_2MO_6(M= Mo,W)基光催化剂 |
| 1.4.3 Bi_2O_2CO_3基光催化剂 |
| 1.4.4 BiOX(X=Cl,Br,I)基光催化剂 |
| 1.5 本论文的选题意义及主要研究内容 |
| 1.5.1 论文的选题意义 |
| 1.5.2 论文的主要研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验材料与表征方法 |
| 2.1 实验试剂及实验仪器 |
| 2.1.1 实验试剂 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 材料的表征方法 |
| 2.2.1 X-射线粉末衍射(XRD) |
| 2.2.2 X-射线光电子能谱(XPS) |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.2.4 透射电子显微镜(TEM) |
| 2.2.5 紫外可见漫反射(UV-vis DRS) |
| 2.2.6 光致发光光谱(PL) |
| 2.2.7 N_2吸附-脱附等温曲线(BET) |
| 2.2.8 气相色谱仪(GC)分析条件 |
| 2.2.9 气相色谱/质谱联用仪(GC-MS)分析条件 |
| 第三章 不同BiVO_4的制备及其光催化性能的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 不同BiVO4的制备 |
| 3.2.2 催化剂的性能测试实验 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 XRD分析 |
| 3.3.2 SEM分析 |
| 3.3.3 TEM分析 |
| 3.3.4 UV-vis DRS分析 |
| 3.3.5 BET分析 |
| 3.3.6 催化剂的活性测试结果 |
| 3.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 Ag/Pd/ms-BiVO_4 微球的制备及其光催化性能的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.2.1 ms-BiVO_4 微球复合光催化剂的制备 |
| 4.2.2 催化剂的性能测试实验 |
| 4.2.3 催化剂的循环能力测试实验 |
| 4.2.4 活化能的分析方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 XRD分析 |
| 4.3.2 SEM分析 |
| 4.3.3 TEM分析 |
| 4.3.4 UV-vis DRS分析 |
| 4.3.5 PL分析 |
| 4.3.6 XPS分析 |
| 4.3.7 BET分析 |
| 4.3.8 催化剂中Ag-Pd含量的测定 |
| 4.3.9 催化剂的活性测试结果 |
| 4.3.10 反应机理的探究 |
| 4.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 Z-scheme异质结构Bi_2WO_6/g-C_3N_4 的构建及其光催化性能的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.2.1 x-BWO/CN光催化剂的制备 |
| 5.2.2 催化剂的性能测试实验 |
| 5.2.3 催化剂的循环能力测试实验 |
| 5.2.4 活化能的分析方法 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 XRD分析 |
| 5.3.2 SEM分析 |
| 5.3.3 TEM分析 |
| 5.3.4 UV-vis DRS分析 |
| 5.3.5 PL分析 |
| 5.3.6 XPS分析 |
| 5.3.7 BET分析 |
| 5.3.8 催化剂的活性测试结果 |
| 5.3.9 反应机理的探究 |
| 5.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 Bi基二元异质结构Bi_2O_2CO_3/Bi_2WO_6 的制备及其光催化性能的研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验过程 |
| 6.2.1 x-BOC/BWO光催化剂的制备 |
| 6.2.2 催化剂的性能测试实验 |
| 6.2.3 催化剂的循环能力测试实验 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 XRD分析 |
| 6.3.2 SEM分析 |
| 6.3.3 TEM分析 |
| 6.3.4 UV-vis DRS分析 |
| 6.3.5 PL分析 |
| 6.3.6 XPS分析 |
| 6.3.7 催化剂的活性测试结果 |
| 6.3.8 反应机理的探究 |
| 6.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 攻读博士期间的研究成果 |
| 致谢 |
（4）氧化钨基光催化剂的设计及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 水污染概况 |
| 1.2 光催化技术 |
| 1.2.1 光催化技术的基本原理 |
| 1.2.2 光催化技术的应用领域 |
| 1.2.3 半导体光催化材料 |
| 1.3 提高半导体光催化材料性能的途径 |
| 1.3.1 增强有效吸附 |
| 1.3.2 元素掺杂 |
| 1.3.3 贵金属沉积 |
| 1.3.4 染料敏化 |
| 1.3.5 半导体复合 |
| 1.4 三氧化钨材料研究进展 |
| 1.4.1 三氧化钨材料概述 |
| 1.4.2 三氧化钨材料的研究现状 |
| 1.5 论文的选题思路和主要研究内容 |
| 第二章 氧缺陷型WO_3的合成及其吸附环境污染物研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验试剂和仪器 |
| 2.2.2 材料的制备 |
| 2.2.3 材料的表征 |
| 2.2.4 材料吸附性能实验 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 透射电镜和元素分布分析 |
| 2.3.2 X射线衍射和红外光谱分析 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱、电子顺磁共振和拉曼分析 |
| 2.3.4 吸附性能及稳定性测试 |
| 2.3.5 比表面积分析 |
| 2.3.6 吸附机理分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 Ag/WO_3 光催化剂的设计及其降解环境污染物研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验试剂和仪器 |
| 3.2.2 光催化材料的制备 |
| 3.2.3 光催化材料的表征 |
| 3.2.4光催化性能实验 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 透射电镜和元素分布分析 |
| 3.3.2 X射线衍射和红外光谱分析 |
| 3.3.3 X射线光电子能谱分析 |
| 3.3.4 紫外-可见漫反射光谱分析 |
| 3.3.5 荧光光谱和荧光寿命分析 |
| 3.3.6 光电流和阻抗分析 |
| 3.3.7 光催化性能及稳定性测试 |
| 3.3.8 光催化机理研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Z型 CN/WO_3 的设计及其降解环境污染物研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验试剂和仪器 |
| 4.2.2 光催化材料的制备 |
| 4.2.3 光催化材料的表征 |
| 4.2.4光催化性能实验 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 透射电镜及元素分布分析 |
| 4.3.2 X射线衍射和红外光谱分析 |
| 4.3.3 X射线光电子能谱分析 |
| 4.3.4 紫外-可见漫反射光谱分析 |
| 4.3.5 荧光光谱和荧光寿命分析 |
| 4.3.6 光电流和电化学阻抗分析 |
| 4.3.7 比表面积分析 |
| 4.3.8 光催化性能及稳定性测试 |
| 4.3.9 光催化机理研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 创新点 |
| 5.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
（5）基于Solidworks的挤压膨化食品加工装备知识库的开发（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题来源与研究意义 |
| 1.2 挤压膨化食品的发展趋势 |
| 1.2.1 国外发展趋势 |
| 1.2.2 国内发展趋势 |
| 1.3 参数化设计的研究现状 |
| 1.4 挤压膨化食品加工设备CAD系统研究现状 |
| 1.5 本文主要的研究内容 |
| 1.6 本文主要的创新点 |
| 2 挤压膨化食品加工装备设计参数 |
| 2.1 挤压膨化食品的类型 |
| 2.2 挤压膨化食品生产线设计 |
| 2.3 锤片式粉碎机 |
| 2.3.1 锤片式粉碎机的组成与工作原理 |
| 2.3.2 锤片式粉碎机的主要设计参数 |
| 2.4 食品搅拌机 |
| 2.4.1 食品搅拌机的组成与工作原理 |
| 2.4.2 食品搅拌机的主要设计参数 |
| 2.5 单螺杆挤压膨化机 |
| 2.5.1 单螺杆挤压膨化机的组成与工作原理 |
| 2.5.2 单螺杆挤压膨化机的主要设计参数 |
| 2.6 带式输送机 |
| 2.6.1 带式输送机的组成与工作原理 |
| 2.6.2 带式输送机的主要设计参数 |
| 2.7 其他设备 |
| 2.7.1 真空干燥机的组成与工作原理 |
| 2.7.2 充气包装机的组成与工作原理 |
| 2.8 本章小结 |
| 3 基于SolidWorks的装备知识库二次开发方法 |
| 3.1 SolidWorks二次开发概述 |
| 3.1.1 SolidWorks二次开发思路 |
| 3.1.2 COM与 OLE技术 |
| 3.1.3 SolidWorks API |
| 3.2 数据库访问技术 |
| 3.3 基于Visual Basic的 SolidWorks二次开发 |
| 3.3.1 基于VB的二次开发 |
| 3.3.2 基于VB的参数化建模 |
| 3.3.3 基于VB的自动装配技术 |
| 3.4 装备知识库系统的开发流程 |
| 3.4.1 基于VB的参数化设计工作流程 |
| 3.4.2 基于VB的装备知识库执行流程 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 装备知识库系统的总体设计 |
| 4.1 装备知识库开发的需求分析 |
| 4.2 装备知识库的总体方案设计 |
| 4.2.1 总体体系构建 |
| 4.2.2 模块化设计 |
| 4.3 装备知识库的数据库设计 |
| 4.3.1 数据库总体体系结构 |
| 4.3.2 数据库构建 |
| 4.3.3 零部件的数据库开发 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 装备知识库的功能实现 |
| 5.1 锤片式粉碎机知识库模块 |
| 5.1.1 粉碎机构的参数化设计 |
| 5.1.2 锤片式粉碎机的装配模块设计 |
| 5.2 食品搅拌机知识库模块 |
| 5.2.1 搅拌桨机构的参数化设计 |
| 5.2.2 食品搅拌机的装配模块设计 |
| 5.3 单螺杆挤压膨化机知识库模块 |
| 5.3.1 挤压机构的参数化设计 |
| 5.3.2 单螺杆挤压膨化机的装配模块设计 |
| 5.4 带式输送机知识库模块 |
| 5.4.1 槽型托辊机构的参数化设计 |
| 5.4.2 传动滚筒机构的参数化设计 |
| 5.4.3 带式输送机的装配模块设计 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 装备知识库系统的界面设计 |
| 6.1 系统的登录界面和主界面 |
| 6.2 锤片式粉碎机模块界面 |
| 6.3 食品搅拌机模块界面 |
| 6.4 单螺杆挤压膨化机模块界面 |
| 6.5 带式输送机模块界面 |
| 6.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（6）SnX2（X=S,Se）基光阳极的构建及其光电催化性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 半导体光电催化概述 |
| 1.2.1 光电催化基本原理 |
| 1.2.2 光电极材料的基本要求 |
| 1.2.3 光电催化反应过程的影响因素 |
| 1.2.4 光电催化反应过程的主要性能评价参数 |
| 1.2.5 光电催化技术的应用 |
| 1.3 半导体光电极催化效率的增强途径 |
| 1.3.1 形貌及晶面调控 |
| 1.3.2 引入缺陷能级 |
| 1.3.3 异质结体系构建 |
| 1.4 半导体光电催化材料的研究 |
| 1.4.1 光电催化材料的研究进展 |
| 1.4.2 二硫化锡(SnS_2)光电催化材料介绍及研究进展 |
| 1.4.3 二硒化锡(SnSe_2)光电催化材料介绍及研究进展 |
| 1.5 论文的选题思路、研究内容及创新点 |
| 1.5.1 选题思路 |
| 1.5.2 主要内容 |
| 1.5.3 创新点 |
| 1.6 参考文献 |
| 第二章 新颖2D/1D SnS_2 NSs/TiO_2 NTs光阳极增强光捕获和载流子分离效率实现高效光电催化分解水 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验试剂与仪器 |
| 2.2.2 阳极氧化法制备1D TiO_2 NTs光阳极 |
| 2.2.3 溶剂热法制备2D/1D SnS_2 NSs/TiO_2 NTs光阳极 |
| 2.2.4 光阳极材料特性表征 |
| 2.2.5 光阳极光电性能测试 |
| 2.2.6 光电催化分解水测试 |
| 2.3 结果及讨论 |
| 2.3.1 2D/1D SnS_2 NSs/TiO_2 NTs的形貌、结构及组分表征 |
| 2.3.2 2D/1D SnS_2 NSs/TiO_2 NTs的光吸收特性表征 |
| 2.3.3 光阳极的载流子复合及分离特性研究 |
| 2.3.4 光阳极的光电转换效率及分解水性能测试 |
| 2.3.5 Type-Ⅱ型载流子传输机制及光电催化理论和实验机理分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 2.5 参考文献 |
| 第三章 构建具有强氧化性的阶梯型0D/2D SnO_2 NPs/SnS_2 NSs光阳极及光电催化分解水研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验试剂与仪器 |
| 3.2.2 溶剂热法制备2D SnS_2 NSs光阳极 |
| 3.2.3 原位氧化法制备0D/2D SnO_2 NPs/SnS_2 NSs光阳极 |
| 3.2.4 0D/2D SnO_2 NPs/SnS_2 NSs光阳极材料表征 |
| 3.2.5 0D/2D SnO_2 NPs/SnS_2 NSs光阳极光电性能测试 |
| 3.2.6 光阳极光电催化分解水性能测试 |
| 3.3 结果及讨论 |
| 3.3.1 光阳极的结构和形貌表征 |
| 3.3.2 光阳极的组分及化学价态表征 |
| 3.3.3 原位氧化机理分析 |
| 3.3.4 光阳极的光学吸收特性表征 |
| 3.3.5 光阳极的荧光及光电性能测试 |
| 3.3.6 SS-400光阳极光电催化分解水 |
| 3.3.7 阶梯型载流子传输机制及光电催化机理分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 3.5 参考文献 |
| 第四章 Al_2O_3 缺陷能级增强Al_2O_3/SnS_2 复合光阳极载流子分离效率及光电催化降解MB性能 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验试剂与仪器 |
| 4.2.2 光电催化材料的制备及光阳极的制备 |
| 4.2.3 催化材料表征 |
| 4.2.4 SnS_2和Al_2O_3/SnS_2 复合光阳极的光电性能测试 |
| 4.2.5 光电催化降解MB评估实验及循环实验 |
| 4.2.6 反应活性物种诱捕实验 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 催化材料结构及组份表征 |
| 4.3.2 催化材料形貌特性表征 |
| 4.3.3 催化材料元素组成及化学价态表征 |
| 4.3.4 催化材料光学吸收特性表征 |
| 4.3.5 SnS_2和Al_2O_3/SnS_2 复合光阳极的光电流及阻抗(EIS)测试 |
| 4.3.6 SnS_2和Al_2O_3/SnS_2 复合光阳极光电催化降解MB实验 |
| 4.3.7 活性物种确定及Al_2O_3/SnS_2 光阳极载流子传输和降解机制分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 4.5 参考文献 |
| 第五章 高结晶2D SnSe_2/FTO光阳极的制备及光电催化同时降解RhB和 Cr(Ⅵ)研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 实验试剂与仪器 |
| 5.2.2 化学气相沉积法制备高结晶2D SnSe_2/FTO光阳极 |
| 5.2.3 2D SnSe_2/FTO光阳极材料表征 |
| 5.2.4 2D SnSe_2/FTO光阳极光电性能测试 |
| 5.2.5 光电催化同时降解RhB和 Cr(Ⅵ)性能测试 |
| 5.3 结果及讨论 |
| 5.3.1 不同条件下2D SnSe_2/FTO光阳极的结构、组分及形貌表征 |
| 5.3.2 不同条件下2D SnSe_2/FTO光阳极的光学吸收特性表征 |
| 5.3.3 荧光特性及光电性能测试 |
| 5.3.4 光电催化同时降解RhB和 Cr(Ⅵ)混合溶液 |
| 5.3.5 载流子传输机制及光电催化降解机理分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 5.5 参考文献 |
| 第六章 Se/SnSe_2/TiO_2 多重异质结的构建及光电催化同时降解RhB和 Cr(Ⅵ)对比研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 实验试剂与仪器 |
| 6.2.2 改进阳极氧化法制备TiO_2纳米管阵列 |
| 6.2.3 化学气相沉积法制备Se/SnSe_2/TiO_2 多重异质结 |
| 6.2.4 多重异质结光阳极材料表征 |
| 6.2.5 多重异质结光阳极光电性能测试 |
| 6.2.6 光电催化同时降解RhB和 Cr(Ⅵ)性能测试 |
| 6.3 结果及讨论 |
| 6.3.1 多重异质结的结构、形貌及组分表征 |
| 6.3.2 多重异质结的光学吸收特性表征 |
| 6.3.3 多重异质结的荧光及光电性能测试 |
| 6.3.4 光电催化同时降解RhB和 Cr(Ⅵ)混合溶液 |
| 6.3.5 载流子传输机制及光电催化性能增强机理分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 6.5 参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 作者简介 |
（7）石墨相氮化碳基光催化材料的性能调控及第一性原理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 光催化简介 |
| 1.2.1 光催化反应原理 |
| 1.2.2 光催化应用概述 |
| 1.3 石墨相氮化碳(g-C_3N_4)概述 |
| 1.3.1 g-C_3N_4的发展历史 |
| 1.3.2 g-C_3N_4的合成方法 |
| 1.3.3 g-C_3N_4的基本性质 |
| 1.4 g-C_3N_4光催化剂的研究现状 |
| 1.4.1 形貌调控 |
| 1.4.2 元素掺杂 |
| 1.4.3 构筑异质结构 |
| 1.4.4 g-C_3N_4光催化性能的计算研究 |
| 1.5 选题思路与研究内容 |
| 第二章 实验及理论计算方法 |
| 2.1 实验方法 |
| 2.2 实验仪器及设备 |
| 2.3 测试表征方法 |
| 2.3.1 X射线衍射图谱 |
| 2.3.2 傅里叶变换红外光谱仪 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 |
| 2.3.4 扫描电子显微镜和透射电子显微镜 |
| 2.3.5 光致发光光谱 |
| 2.3.6 紫外-可见漫反射谱 |
| 2.3.7 电化学性能测试 |
| 2.4 光催化性能评估 |
| 2.5 理论计算基础 |
| 2.5.1 Born-Oppenheimer(B-O)近似 |
| 2.5.2 密度泛函理论 |
| 2.5.3 交换关联泛函 |
| 2.5.4 赝势平面波法 |
| 2.5.5 Vienna Ab initio Simulation Package程序简介 |
| 第三章 无金属光催化剂S-C_3N_4的合成及光催化机理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 S-C_3N_4的制备方法 |
| 3.3 S-C_3N_4的测试和表征 |
| 3.4 结果与讨论 |
| 3.4.1 S-C_3N_4的结构与形貌 |
| 3.4.2 S-C_3N_4光电特性表征 |
| 3.4.3 S-C_3N_4的光催化能力测试及分析 |
| 3.4.4 第一性原理计算分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 Ti掺杂g-C_3N_4光催化剂的合成及光催化机理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ti/C_3N_4的制备 |
| 4.3 Ti/C_3N_4的测试和表征 |
| 4.4 结果与讨论 |
| 4.4.1 Ti/C_3N_4的结构与形貌 |
| 4.4.2 Ti/C_3N_4的光电特性表征 |
| 4.4.3 Ti/C_3N_4的光催化能力测试及分析 |
| 4.4.4 第一性原理计算分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 C_3N_4/BP无金属异质结的电子结构及光催化性质研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 计算方法及参数设置 |
| 5.3 单层BP的基本性质和能带调控 |
| 5.3.1 单层BP的电子结构 |
| 5.3.2 单层BP中电子和空穴的有效质量 |
| 5.3.3 单层BP的能带调控特性 |
| 5.4 C_3N_4/BP无金属异质结的光催化性质研究 |
| 5.4.1 C_3N_4/BP异质结的晶体结构 |
| 5.4.2 C_3N_4/BP异质结的电子结构分析 |
| 5.4.3 C_3N_4/BP异质结的光吸收系数 |
| 5.4.4 C_3N_4/BP异质结界面电荷转移分析 |
| 5.4.5 C_3N_4/BP异质结中的能带边缘电位与光催化机理研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 C_3N_4/BiOCl异质结的合成及光催化机理研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 C_3N_4/BiOCl异质结的制备 |
| 6.3 C_3N_4/BiOCl异质结的的表征 |
| 6.4 结果与讨论 |
| 6.4.1 C_3N_4/BiOCl异质结的结构与形貌 |
| 6.4.2 C_3N_4/BiOCl异质结的光学吸收特性 |
| 6.4.3 C_3N_4/BiOCl异质结光催化能力测试及分析 |
| 6.4.4 第一性原理计算分析 |
| 6.5 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间取得的科研成果 |
| 发表学术论文 |
| 参与科研项目 |
| 作者简介 |
| 基本情况 |
| 教育背景 |
（8）含锌复合金属催化剂的制备及其多相光催化臭氧降解水中有机污染物的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 有机污染物来源及危害 |
| 1.2 有机污染物处理方法 |
| 1.2.1 物理法 |
| 1.2.2 生物法 |
| 1.2.3 化学法 |
| 1.3 多相光催化臭氧化技术 |
| 1.3.1 臭氧化 |
| 1.3.2 臭氧/紫外线 |
| 1.3.3 光催化 |
| 1.3.4 多相光催化臭氧化 |
| 1.4 催化剂 |
| 1.4.1 金属硫化物催化剂 |
| 1.4.2 金属氧化物催化剂 |
| 1.5 选题思路与研究内容 |
| 1.5.1 研究目的与意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 1.5.3 技术路线 |
| 第2章 实验方法与材料表征 |
| 2.1 实验材料与仪器 |
| 2.1.1 实验材料 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 催化剂的制备 |
| 2.3 催化剂的表征 |
| 2.3.1 微观形貌 |
| 2.3.2 X射线衍射 |
| 2.3.3 比表面积和孔隙结构 |
| 2.3.4 傅立叶变换红外光谱 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱 |
| 2.3.6 紫外-可见漫反射吸收光谱 |
| 2.3.7 表面零电荷点 |
| 2.4 催化剂的性能测试 |
| 2.4.1 多相光催化臭氧化体系的建立 |
| 2.4.2 催化剂性能测试 |
| 2.4.3 可重复利用性测试 |
| 2.4.4 自由基捕获实验 |
| 第3章 金属掺杂ZnS催化剂的制备、表征及催化降解4-CP的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 形貌分析 |
| 3.3.2 XRD分析 |
| 3.3.3 FTIR分析 |
| 3.3.4 XPS分析 |
| 3.3.5 UV-vis DRS分析 |
| 3.3.6 催化性能对比 |
| 3.3.7 初始溶液pH的影响 |
| 3.3.8 可重复利用性测试 |
| 3.3.9 Cu/ZnS多相光催化臭氧化机理 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 TiO_2/ZnO/Mg(OH)_2 催化剂的制备、表征及催化降解1,4-D的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 形貌分析 |
| 4.3.2 BET分析 |
| 4.3.3 XRD分析 |
| 4.3.4 FTIR分析 |
| 4.3.5 XPS分析 |
| 4.3.6 UV-vis DRS分析 |
| 4.3.7 催化性能对比 |
| 4.3.8 初始溶液pH的影响 |
| 4.3.9 可重复利用性测试 |
| 4.3.10 TZM-400 多相光催化臭氧化机理 |
| 4.3.11 1,4-D降解路径 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（9）基于VB的ADO技术应用与研究（论文提纲范文）
| 引言 |
| 1 ADO概述 |
| 1.1 基于ADO的应用系统体系结构 |
| 1.2 ADO的对象模型 |
| 1.3 ADO数据控件 |
| 2 基于ADO的两种访问数据库的方式 |
| 2.1 基于ADO数据控件访问数据库 |
| 2.2 基于ADO对象的数据库访问 |
| 3 VB访问SQL Server数据库实例 |
| 3.1 数据库表设计 |
| 3.2 系统实现 |
| 4 结束语 |
（10）基于VB2010程序设计中的数据库应用（论文提纲范文）
| 1 Visual Basic2010 |
| 2 Visual Basic2010程序设计中数据库应用的重要性 |
| 3 Visual Basic2010程序访问数据库的方式介绍 |
| 3.1 DAO技术 |
| 3.2 RDO技术 |
| 3.3 ADO技术 |
| 3.4 对比和选择 |
| 4 Visual Basic2010程序设计中数据库应用的难点分析 |
| 4.1 绑定控件访问数据库 |
| 4.2 ADO技术嵌入式访问数据库 |
| 5 总结 |
四、VB中ADO技术的应用机制分析（论文参考文献）
- [1]二维g-C3N4基半导体异质界面调控及其光催化性能研究[D]. 黄小艳. 桂林电子科技大学, 2021(02)
- [2]银/镉基半导体光催化材料的设计合成、电子结构调控和性能研究[D]. 王芳. 内蒙古大学, 2020(05)
- [3]铋基半导体光催化剂的制备及其光催化有机合成反应的性能研究[D]. 余秀娟. 内蒙古大学, 2020(04)
- [4]氧化钨基光催化剂的设计及性能研究[D]. 蒲文杰. 江苏大学, 2020(02)
- [5]基于Solidworks的挤压膨化食品加工装备知识库的开发[D]. 刘卓群. 哈尔滨商业大学, 2020(08)
- [6]SnX2（X=S,Se）基光阳极的构建及其光电催化性能研究[D]. 穆江龙. 西北大学, 2020(01)
- [7]石墨相氮化碳基光催化材料的性能调控及第一性原理研究[D]. 张若愚. 西北大学, 2020(01)
- [8]含锌复合金属催化剂的制备及其多相光催化臭氧降解水中有机污染物的研究[D]. 王文敏. 吉林大学, 2020(08)
- [9]基于VB的ADO技术应用与研究[J]. 许莹. 菏泽学院学报, 2017(05)
- [10]基于VB2010程序设计中的数据库应用[J]. 王月帆. 电子技术与软件工程, 2016(22)