一、AMD与IBM合作取得 半导体制造技术新突破（论文文献综述）
刘伟岩[1]（2020）在《战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角》文中研究说明2008年经济危机后,为摆脱经济下行的轨道,美国、日本、德国先后提出了“重振制造业”（2009年）、日本版“第四次工业革命”（2010年）、“工业4.0”（2012年）等战略计划,而我国也于2015年提出了“中国制造2025”的行动纲领。这些战略规划的陆续出台拉开了以大数据、云计算、物联网（Io T）、人工智能（AI）等为标志的新一轮科技革命的帷幕。而作为第二经济大国,我国应如何借助于这一难得机遇来推动国内产业升级则成为亟待思考的问题。回顾日本走过的“路”可知,其也曾作为“第二经济大国”面临过相似的难题,且从中日经济发展历程比较和所面临的“三期叠加”状态来看,我国现阶段也更为接近20世纪70年代的日本,而日本却在当时的情况下借助于以微电子技术为核心的科技革命成功地推动了国内产业的改造升级。基于此,本文以日本为研究对象并将研究阶段锁定在其取得成功的战后至20世纪80年代这一时期,进而研究其所积累的经验和教训,以期为我国接下来要走的“路”提供极具价值的指引和借鉴。在对熊彼特创新理论以及新熊彼特学派提出的技术经济范式理论、产业技术范式理论、国家创新体系理论和部门创新体系理论等进行阐述的基础上,本文借助于此从创新体系的视角构建了“科技革命推动产业升级”的理论分析框架,即:从整体产业体系来看,其属于技术经济范式转换的过程,该过程是在国家创新体系中实现的,且两者间的匹配性决定着产业升级的绩效;而深入到具体产业来看,其又是通过催生新兴产业和改造传统产业来实现的,对于此分析的最佳维度则是能够体现“产业间差异性”的部门创新体系,同样地,两者间的匹配性也决定着各产业升级的成效。回顾科技革命推动日本产业升级的历程可知,其呈现出三个阶段:20世纪50～60年代的“重化型”化,70～80年代的“轻薄短小”化,以及90年代后的“信息”化。其中,“轻薄短小”化阶段是日本发展最为成功的时期,也是本文的研究范畴所在。分析其发生的背景可知:虽然效仿欧美国家构建的重化型产业结构支撑了日本经济“独秀一枝”的高速发展,但在日本成为第二经济大国后,这一产业结构所固有的局限性和问题日渐凸显,倒逼着日本垄断资本进行产业调整;而与此同时,世界性科技革命的爆发恰为其提供了难得的历史机遇;但是这种机遇对于后进国来说在一定意义上又是“机会均等”的,该国能否抓住的关键在于其国内的技术经济发展水平,而日本战后近20年的高速增长恰为其奠定了雄厚的经济基础,且“引进消化吸收再创新”的技术发展战略又在较短的时间内为其积累了殷实的技术基础。在这一背景下,借助于上文所构建的理论分析框架,后文从创新体系的视角解释了战后以微电子技术为核心的科技革命是如何推动日本产业升级以及日本为何更为成功的。就整体产业体系而言,科技革命的发生必然会引致技术经济范式转换进而推动产业升级,且这一过程是在由政府、企业、大学和科研机构以及创新主体联盟等构建的国家创新体系中实现的。战后科技革命的发源地仍是美国,日本的参与借助的是范式转换过程中创造的“第二个机会窗口”,换言之,日本的成功得益于对源于美国的新技术的应用和开发研究,其技术经济范式呈现出“应用开发型”特点。而分析日本各创新主体在推动科技成果转化中的创新行为可以发现,无论是政府传递最新科技情报并辅助企业引进技术、适时调整科技发展战略和产业结构发展方向、制定激励企业研发的经济政策和专利保护制度、采取措施加速新技术产业化的进程、改革教育体制并强化人才引进制度等支持创新的行为,还是企业注重提升自主创新能力、遵循“现场优先主义”原则、实施“商品研制、推销一贯制”、将资金集中投向开发研究和创新链的中下游环节以及培训在职人员等创新行为,或是大学和科研机构针对产业技术进行研究、重视通识教育和“强固山脚”教育以及培养理工科高科技人才等行为,亦或是“政府主导、企业主体”型的创新主体联盟联合攻关尖端技术、建立能够促进科技成果转化的中介机构、联合培养和引进优秀人才等行为都是能够最大限度地挖掘微电子技术发展潜力的。而这种“追赶型”国家创新体系与“应用开发型”技术经济范式间的相匹配正是日本能够更为成功地借力于战后科技革命推动产业升级的根因所在。进一步地从具体产业来看,科技革命引致的技术经济范式转换表现为新兴技术转化为新兴产业技术范式和改造传统产业技术范式的过程,这也是科技革命“双重性质”的体现。而对这一层面的分析则要用到能够体现“产业间差异性”的部门创新体系。在选取半导体产业和计算机产业作为新兴产业的代表,以及选取工业机器产业（以数控机床和工业机器人为主）和汽车产业作为微电子技术改造传统机械产业的典型后,本文的研究发现:由于这些产业在技术体制、所处的产业链位置、所在的技术生命周期阶段等方面的不同,其产业技术范式是相异的,而日本之所以能够在这些产业上均实现自主创新并取得巨大成功就在于日本各创新主体针对不同的产业技术范式进行了相应的调整,分别形成了与之相匹配的部门创新体系。而进一步比较各部门创新体系可知,日本政府和企业等创新主体针对“催新”和“改旧”分别形成了一套惯行的做法,但在这两类产业升级间又存在显着的差异,即:日本政府在“催新”中的技术研发和成果转化中均表现出了贯穿始终的强干预性,尤其是在计算机产业上;而在“改旧”中则干预相对较少,主要是引导已具备集成创新能力的“逐利性”企业去发挥主体作用。作为一种“制度建设”,创新体系具有“临界性”特点且其优劣的评析标准是其与技术经济范式的匹配性。日本能够成功地借力于以微电子技术为核心的科技革命推动国内产业升级的经验就在于其不仅构建了与当时技术经济范式相匹配的国家创新体系,而且注重创新体系的层级性和差异性建设,加速推进了新兴产业技术范式的形成,并推动了新旧产业的协调发展。但是,这种致力于“应用开发”的“追赶型”创新体系也存在着不可忽视的问题,如:基础研究能力不足,不利于颠覆性技术创新的产生,以及政府主导的大型研发项目模式存在定向失误的弊端等,这也是日本创新和成功不可持续以致于在20世纪90年代后重新与美国拉开差距的原因所在。现阶段,新一轮科技革命的蓬勃兴起在为我国产业升级提供追赶先进国家的“机会窗口”的同时,也为新兴产业的发展提供了“追跑”“齐跑”“领跑”并行发展的机遇,并为传统产业的高质量发展带来了难得的机会。由于相较于20世纪70年代的日本,我国现阶段所面临的情况更为复杂,因此,必须构建极其重视基础研究且具有灵活性的国家创新生态体系,重视部门创新体系的“产业间差异性”,形成与新兴产业技术范式相匹配的部门创新体系,以及建设能够促进传统产业技术范式演化升级的部门创新体系等。
刘家良[2]（2020）在《日美半导体贸易摩擦研究》文中进行了进一步梳理2020年1月15日,中美双方签署第一阶段经贸协议,但中美贸易摩擦处于僵持阶段的状态并未得到根本改变,而且在新冠肺炎疫情、油价、股市三重影响下,世界经济衰退已经成为一种必然,保护主义、单边措施将会在未来一段时间内成为主流。半导体产业一直是中国的关键产业,也在这次中美贸易摩擦中受到较大的冲击。日本半导体产业曾经取得辉煌的成就,一度取代美国成为世界第一,因此也成为了美国强力干扰的对象。中日两国的半导体产业都曾经和正在经历美国的干扰甚至打压,中国应该吸取日本的经验与教训,以尽快实现半导体的强劲发展。半导体产业自诞生以来就一直有政府的影响,日美两国的半导体贸易摩擦更是政府直接参与,因此战略性贸易政策是本文的核心理论,幼稚产业理论解释了后发国家保护半导体产业的必要性,囚徒困境解释了为什么政府的保护不能持续。本文从微观着眼,兼顾日美两国的宏观情况,重点围绕半导体贸易摩擦进行全面的分析。日本在石油危机之后依旧保持稳定发展,可以说在很大程度上是依托了电子产业,而电子产业的核心就在于半导体。日本半导体产业的快速发展,使日本取代美国成为半导体出口大国,这引来美国的反击。美国依托自身的综合实力优势,以国内制裁推动国际谈判,逼迫日本采取措施开放市场;日本试图像往常一样推诿拖拉,但由于半导体产业的特殊性和其他国家与地区对半导体产业的争夺,最终导致日本的半导体产业一度衰落。日美半导体产业所发生的摩擦,对两国乃至世界都产生了深远影响:日本虽然短期内获得了巨额的收益,但是这种收益是依托于泡沫经济之上,为半导体产业的萎缩埋下伏笔;美国不再坚持自由贸易的立场,转向国家干预,并且获得了在半导体产业内的长足发展;世界范围内的保护主义色彩加深,但是全球半导体技术取得了进步,其他国家和地区也从日美摩擦中发展了本地的半导体产业。虽然中国的半导体产业还处于追赶阶段,但是日美半导体贸易摩擦给中国的半导体产业的发展带来了一些启示。从宏观上讲,要深化改革开放,提升本国的经济活力,协调“引进来”与“走出去”的关系;微观上讲,半导体产业要立足研发、加大投资,尽快掌握核心技术,实现技术突破。在国际事务中,企业应主动开拓出口市场,实现市场多元化;政府在谈判中坚持底线,建立新型国际关系。论文分为七个章节。第一章为导论,对论文内容进行铺垫;第二章是理论和定义,阐述半导体产业的特点,界定“贸易摩擦”和“半导体贸易摩擦”,涉及的经济学理论有:幼稚产业保护理论、战略贸易政策理论和囚徒困境理论;第三章首先介绍日美半导体贸易摩擦产生的四个原因,然后对两国的半导体产业及其贸易摩擦的历史过程进行叙述。以两次半导体协议的签署时间为节点,将贸易摩擦分为三个阶段;第四章总结美国在贸易摩擦中所采取的措施,概括来说,就是美国凭借其国际地位采取政治手段,对日本的半导体产业进行打压;第五章归纳日本的应对策略。总体而言,就是防守策略,通过让步缓解矛盾,通过迂回手段化逆境为顺境;第六章从日本、美国、世界三个角度分析此次摩擦所产生的影响。整体来看,既有客观上产生的积极影响,也有主观上造成的消极影响;第七章,将视角拉回到中国,从日美半导体贸易摩擦中提炼出对中国的启示,概括中国的半导体产业的发展以及中美半导体摩擦过程,总结日本应对策略中在经济、政治上的经验与教训,根据这些经验与教训为中国提出建议。
李传志[3]（2020）在《我国集成电路产业链:国际竞争力、制约因素和发展路径》文中研究指明集成电路产业是基础性、先导性和战略性产业,其全球化程度高,国际竞争激烈。以我国集成电路产业链为研究对象,考察其国际竞争力、制约因素和发展路径。研究发现:我国集成电路产业在设计、制造和封装测试等环节均取得快速发展,产业规模不断壮大,产业链条初步形成。但是,由于起步晚和底子薄,产业链的关键环节缺失严重,核心技术匮乏,产能不足。制约因素既有外部因素,也有内部因素,使得产业链的完备性和安全性面临巨大的挑战。因此,需要从政府和企业两个方面给出完善我国集成电路产业链的路径。。
王媛媛[4]（2019）在《智能制造发展的国际比较与中国抉择》文中认为当前移动互联网、大数据、云计算、人工智能等新一代信息技术蓬勃发展,并加速向制造业渗透,制造业领域将迎来一场智能化革命,进而引发新一轮的工业革命。美欧等发达国家和地区纷纷出台应对新工业革命和智能制造的发展战略。我国也迎来新工业革命和转变经济发展方式的历史交汇期,由此提出以智能制造作为主攻方向,推动产业技术变革和优化升级,进而建设制造强国的发展目标。因此,研究智能制造这一主导新工业革命发展的新型制造模式具有重要意义。本文以智能制造作为研究对象,以马克思技术进步及资本有机构成理论、熊彼特和新熊彼特学派技术创新及演化经济学等理论为研究基础,运用系统分析、实证分析、比较分析以及实地调查等研究方法,对智能制造进行全面而深入的研究。主要研究内容包括:一是,探索智能制造发展演化的机理及其技术-经济范式。对智能制造的内涵、产生动力、生产组织模式创新以及技术-经济范式进行分析;二是,对智能制造发展的关键基础性产业——集成电路、智能传感器、高档数控机床、工业机器人以及软件和信息技术服务业的全球发展态势进行比较分析;三是,对G20国家智能制造发展水平进行实证分析。在投入产出分析方法基础上,建立“制造业智能化指数”衡量智能制造发展水平,并进行国别和分行业的比较分析;四是,对美国、德国、日本智能制造发展的典型模式进行分析、比较,并得出有益的经验借鉴。首先对其智能制造赖以发展的国家创新体系和创新政策演变进行分析,其次对其推动智能制造发展的具体政策措施进行深入研究,再次对这三个国家智能制造的发展模式进行比较,分析异同点,并得出可供我国借鉴的有益经验;五是,分析我国智能制造发展的现状。从顶层设计、标准体系建设、基础产业发展、企业以及地方政府推动等方面分析我国智能制造发展取得的进展和成就,同时剖析了中国智能制造在发展基础、创新能力、推进机制、企业主体引领、政策规划以及人才等方面存在的问题,明确努力的方向;六是,提出我国智能制造发展的创新路径和对策。即要以建设制造强国为目标的智能制造发展导向;建设政府引领、产业界主导、研究机构和大学紧密合作的智能制造创新网络;要涵盖重要战略性新兴产业的智能制造发展领域;以及实施面向不同发展优势和水平的差异化发展战略。总之,发展智能制造是我国实现技术跃升及经济实力赶超的重要契机,应密切关注和研究新工业革命发展趋势以及智能制造技术-经济范式发展演化特征,把握各国智能制造发展的态势、能力水平以及具体的推进战略,同时深入了解我国智能制造发展的优劣势,构建与我国经济社会发展相适应的智能制造发展路径和政策体系,抓住机遇加快发展,早日实现制造强国的目标和国家实力的历史性跨越。
姜心宓[5]（2019）在《中国半导体企业品牌国际地位探析与借鉴》文中研究指明半导体广泛运用于现代社会各个领域,各国都把半导体产业作为战略性新兴产业来对待,其技术水平的高低和产业规模的大小已成为衡量一个国家技术、经济和国防实力的重要标志。同时,半导体产业又是一个高度全球化的产业,任何国家都不可能实现100%的纯本土化制造,已经形成一个全球性的供应链,要在这个供应链中占据主导位置,就需要提高我国半导体企业品牌的国际地位,推动自主品牌向全球产业链中的高附加值位置靠拢。目前我国半导体企业品牌存在核心技术无法突破、聚集在低附加值领域、高端领域品牌缺失、品牌国际市场覆盖面窄、全球市场占有率低等问题。2018年4月的“中兴通讯事件”和“华为事件”更是暴露了我国半导体产业的短板,中国半导体企业品牌国际地位提升迫在眉睫。美国是半导体技术的发源地,也是全球半导体产业的领导者,美国半导体品牌在全球产业链上各关键环节都占据领先地位;同时,面对中国在高科技领域的逐渐崛起,美国担心中国会对其全球霸主地位产生威胁,因此不断升级其对中国核心高科技企业的围堵,并试图打压中国在高科技领域的进一步发展。可以说要实现中国半导体企业品牌国际地位的提升,美国既是最好的学习对象,也是最大的阻挠者。通过分析美国半导体企业品牌国际地位提升过程,能给我国带来一定的启示和警示。半导体产业在国际化发展过程中从发展初期的高度集成化逐渐向垂直细化分工不断演变,目前主要形成了前端设计、中端制造、后端封装测试及侧端材料和设备这几个关键环节,分别有大量的优秀企业品牌,形成白热化的竞争格局。本文通过详细对比中国与领先国家——美国的半导体企业品牌的国际地位现状,发现中国品牌主要在品牌附加值、品牌核心技术、品牌国际市场覆盖率和品牌全球市场占有率等核心指标上距离美国还有较大差距。中国的半导体企业已经发展了几十年,期间国家也给予了很多帮助,为什么始终处于缺乏品牌国际竞争力的状态呢?本文通过对中国半导体企业品牌国际地位落后原因进行了多维度的剖析,发现主要有以下原因:半导体是绝对的高精尖产业,技术壁垒十分高,我国品牌突破核心技术还需要一定时间;中国品牌在追赶国际龙头品牌过程中,陷入了僵化的“跟随模式”,忽略了国际市场需求;半导体产业客户认证壁垒高,作为后来者很难打入国际供应链;中国品牌常常受到西方国家的压制。美国作为半导体产业的全球领军者,在推动其国家半导体企业品牌国际地位提升过程中,做了很多努力。首先,美国努力建造出一个有利于品牌发展的环境支撑体系,美国的科学体制、人才制度、金融体系和专利环境十分完善,再加上美国追求科技、创新的国家形象,能为其国家的品牌在国际市场起到一定的背书作用;在产业政策上,美国政府针对产业的不同发展阶段采取了一系列的产业政策来帮助美国自主品牌走向世界舞台;另外,美国的企业研发能力过硬,品牌意识强,擅于利用行业规则、形成联盟来压制后来者,以及通过越过下游采购者直接在消费市场打响品牌知名度等方法成功建设全球龙头品牌。基于半导体的产业特性,从中国品牌目前国际地位落后原因出发,通过对美国发展经验的合理借鉴,本文认为要提升我国半导体企业品牌国际地位单靠企业的力量是不够的,需要政府和企业齐心协力。建议政府改善国家形象,尤其是扭转“中国制造”的负面形象,完善我国专利制度,重视基础研究,为自主品牌营造健康有利的营商环境;产业政策方面,在目前的基础上继续加强投资力度,同时要明确发展目标,凝聚支持力量,同时政策支持必须形成持续效应,避免发展无主次,投资分散、中途暂停投资造成资源浪费等问题;企业方面,通过努力打入国际龙头品牌供应链建立行业声誉,直接向终端消费者营销打响品牌知名度,战略上有意识地从“跟随模式”转变为“赶超模式”以及积极参与制定国际行业规则等方面不懈努力,提升品牌的国际地位。
周建军[6]（2018）在《寡头竞合与并购重组:全球半导体产业的赶超逻辑》文中研究表明后发国家的产业组织体系,以日本和韩国最为典型。作为企业并购重组的重要形式,产业政策协调下的大型寡头企业联合投资的研发联合体,对日本的技术创新发挥了重要作用。基于研发联合体进行联合投资、合作研究的日本半导体——超大规模集成电路的研发,就是最为成功的案例之一。类似日本,韩国大企业始终以寡头竞合的方式参与市场竞争,推动韩国半导体产业的规模经济和技术创新。日本半导体企业的技术赶超也引发了美日半导体企业的全球贸易战和并购重组。因应日本半导体产业的赶超,美国在1990年前后通过政府的产业政策引导、对企业多种形式的并购重组等,从生产制造、研究开发、市场竞争等方面入手,以拯救衰败中的美国半导体产业。半导体产业赶超的历史表明,只要与产业发展的规模经济特点和技术创新要求相趋同,以产业政策推动和领军企业共同投资组织的研发联合体、技术收购、企业合并等并购重组形式,是非常有效的。
张临川[7]（2018）在《铜、钨掺杂GeTe相变存储材料的结构与性质的第一性原理及分子动力学研究》文中进行了进一步梳理近年来,集成电路产业高速发展,作为其核心部件之一的存储器获得了广阔的应用前景。凭借着非易失性、存储密度高、擦写速度快和使用寿命长等优点,相变存储器从新一代半导体存储器中脱颖而出。相变存储器利用存储材料在晶相和非晶相之间往复进行的快速可逆相变,以及与之伴随的物理性质的显着转变来实现二进制数据的擦写和读取操作。GeTe是一种窄带隙半导体,能够在数十纳秒的时间内完成晶态-非晶态可逆相变,与此同时伴随着电阻率的显着变化,是一种综合性能优异的相变存储材料。提高非晶态GeTe在室温下（约300 K）的稳定性可以提高存储数据的可靠性,而降低它在高温下（约600 K）的稳定性有助于提高器件的擦写速度。已有文献报道利用过渡金属掺杂GeTe以调制其非晶态稳定性,例如Cu掺杂可以提高其热稳定性,而W掺杂可以同时实现数据可靠存储和快速擦写,然而其内在机理尚不明确。本文通过第一性原理及第一性原理分子动力学方法,利用对关联函数、配位数、键角分布、环统计、差分电荷密度、电子局域化函数和均方位移等研究手段,在原子和电子尺度上系统地研究了过渡金属Cu和W掺杂GeTe的非晶态局域结构、化学键性质和相变过程中的原子扩散等,有效地克服了非晶态结构长程无序的研究难点,揭示了实验现象的内在机理。同时,本文还通过基于量子力学的第一性原理计算研究了 W掺杂晶态GeTe的结构、力学、磁学和输运性质等,探究其掺杂改性的机理,为开发性能优异的新材料提供理论依据。本文第三章研究了非晶态GeTe及Cu掺杂GeTe的局域结构。研究发现,Cu掺杂将显着提高四面体配位的Ge的比例,同时增加三元环的数量,由此扩大了非晶态和晶态GeTe的结构差异,是提高非晶态GeTe的稳定性和数据读取可靠性的重要原因。本文第四章研究了两种不同浓度的W掺杂GeTe的非晶态结构及其再结晶过程,并计算了体系的化学键性质。研究发现,W的热运动能力在常温和高温下有显着差异,其在常温下均方位移很小,并通过较强的化学键束缚Ge和Te的无规则热运动,从而提高了常温下非晶态GeTe的稳定性;W在高温下运动能力显着增强,Ge和Te也凭借着与晶态中相近的局域结构而快速结晶。揭示了 GeTe同时实现常温下的数据可靠存储和高温下的快速擦写的机理。本文第五章针对W掺杂立方晶相GeTe开展了研究。首次在相关体系中发现了大原子置换小原子后晶胞参数反常缩小的现象。经分析发现,W的外层电子进入Te的未填满的5p轨道,二者形成较短的W-Te键,从而造成局域结构收缩和晶胞参数变小。该发现突破了经典的Vegard定律的适用范围,为预测掺杂原子对基体晶胞参数的改变提供了更进一步的认识。另外,W还将使GeTe产生显着的性质转变。例如,W提高GeTe的载流子浓度,使其从半导体转变为导体;当W弥散分布时,体系将产生磁性;GeTe的力学性质也因W掺杂而发生从脆性断裂到韧性断裂的转变。以上发现对于拓展GeTe的应用前景有重要意义。
廖湘科,肖侬[8]（2016）在《新型高性能计算系统与技术》文中指出高性能计算技术是信息时代世界各国特别是发达国家激烈竞争的技术制高点.本文针对未来新型高性能计算技术的挑战,从微处理器、高性能计算机系统、高性能并行算法与应用等多个核心技术来分析高性能计算技术的国内外发展现状、趋势与挑战,从基础研究的角度阐述我国未来高性能计算系统理论与技术领域需重点开展研究的领域（或科学问题）与相关政策建议.
王龙兴[9]（2016）在《2015年全球集成电路技术发展和主要产品分析》文中研究说明2015年全球CMOS技术从22/20nm节点迅速过渡到16/14nm节点,移动智能终端芯片愈益采用16/14nm制程。预计10nm技术2016年底进入量产,FD-SOI（全耗尽SOI）技术异军突起。全球技术领先厂商的技术各显神通。2015年全球集成电路主要产品中,市场规模存储器超越CPU,新型半导体存储器技术正在寻求新突破。
王鹏飞[10]（2014）在《中国集成电路产业发展研究》文中进行了进一步梳理当今世界,在经济社会现代化发展过程中,信息越来越展示出其无所不在的特征,电子信息产品已经在日常生活与工作中起到越来越重要的作用。集成电路是处理信息的基础设备,因此,集成电路被公认为信息技术革命、信息化、信息时代的动力系统。进入21世纪以后,随着全球信息化、网络化和知识经济的迅速发展,集成电路产业在国民经济中的地位越来越重要,它以其无穷的变革、创新和极强的渗透力,推动着电子信息产业的快速发展。就电子信息产品而言,集成电路不仅是电子信息设备的核心,同时也会起到很明显的辐射效应。据国际货币基金组织测算,集成电路产业1元的产值可以带动相关电子信息产业10元的产值,带来100元的国内生产总值（GDP）。电子信息技术的战略性、基础性、渗透性首先体现在集成电路产业,很多精密设备都需要性能强大的集成电路产品作为坚强后盾。集成电路产业是培育发展战略性新兴产业、推动信息化和工业化深度融合的核心和基础,是转变经济发展方式、调整信息产业结构、扩大信息消费、维护国家安全的重要保障。集成电路产业是现代电子信息产业的基础和核心,其发展程度会对中国在全球经济一体化和信息化竞争中所处的地位造成极大的影响。一方面,工业化社会的各个领域都会应用到集成电路产业的发展成果,集成电路产业的发展影响和推动了-系列传统产业的革新和升级；另一方面,信息化和网络化的发展都是需要建立在集成电路技术进步的基础之上的,集成电路产业的发展能够有力地推动国家信息化进程,这就使得集成电路在经济发展中的战略地位愈发重要。经过几十年的发展,特别是2000年6月,国务院发布了《关于鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（国发[2000]18号）,自文件颁布以来,中国的集成电路产业发展速度加快,投资环境不断改善,产业规模迅速扩大,技术水平显着提升。此后十几年间,中国集成电路产业获得了长足进步。从产业规模来看,中国集成电路产量增长11倍,占全球产量近10%,销售收入翻了三番,占全球产业比重达8.6%,已经成为世界集成电路产业的重要一极。从产业链来看,在一系列重大科技专项的支持下,中国集成电路产业在设计、制造、封测、材料和设备方面形成了较为完整的产业体系,技术水平与国际先进水平的距离逐步缩小,企业实力得到明显提升。中国集成电路产业经历几十年的发展,尽管取得了长足进步,但是在未来的发展道路上也会面临着巨大的挑战,仍然面临着诸多制约因素。美国、欧洲、日本等国家和地区在高端集成电路产品及技术方面对中国仍然实行禁运政策,使中国对近邻国家和地区的竞争处于不利地位,这也对中国集成电路产业自主发展能力提出更高要求。企业技术创新力量薄弱,能与国际领先水平抗衡的国家队尚未形成,致使中国集成电路市场长期大量依靠进口,国内产品能满足国内市场需求的尚不足20%。集成电路产品高度对外依存严重影响了中国电子整机产业以及经济信息安全等领域的自主可控发展。中国要以新的面貌、新的视角、新的思路,追赶和缩短与世界集成电路产业水平的差距,走上自强、自立、自主地快速发展中国集成电路产业的大道。党的“十八大”提出实施创新驱动发展战略,明确指出：“提高原始创新、集成创新和引进消化吸收再创新能力,深化科技体制改革,推动科技和经济紧密结合,加快建设国家创新体系,着力构建以企业为主体、市场为导向、产学研相结合的技术创新体系。完善知识创新体系,强化基础研究、前沿技术研究、社会公益技术研究,提高科学研究水平和成果转化能力,抢占科技发展战略制高点。加快新技术新产品新工艺研发应用,加强技术集成和商业模式创新。”与此同时,移动互联网、两化融合、三网融合、物联网和云计算、电动汽车、新能源等战略性新兴产业快速发展,成为推动集成电路产业持续、健康发展的新动力,中国集成电路产业的广阔前景正在逐步实现。展望未来,中国集成电路产业的发展将迎来一个新的发展时期。在新的历史征程开始之前,需要认真梳理中国集成电路产业所面临的机遇和挑战,沉着应对国际风云变幻,抓住技术升级和商业模式转变所带来的历史性发展契机,充分发挥后发优势,推动中国集成电路产业实现跨越式发展,让集成电路产业在实现中国工业化和信息化、带动其他产业转型升级方面发挥排头兵的作用,为中国在全球信息化的竞争中占据有利地位,实现由中国制造向中国创造转型提供保障。中国集成电路产业研究既是一个重要的理论研究课题,也是一个具有很强现实指导意义的研究课题。本论文应用相关经济学理论,采取规范分析与实证分析相结合、定量分析与定性分析相结合、及比较分析的研究方法,进行系统分析,在现有集成电路发展问题研究成果的基础上,研究了中国集成电路的发展现状、产业结构、区域布局等,论述了集成电路产业的地位和作用,并对集成电路产业发展存在的问题和原因进行了分析,总结了国际集成电路产业发展的经验和启示,分析了国际集成电路产业的发展趋势,重点研究了中国集成电路产业的发展现状及其发展所面临的机遇和挑战。在此基础上从政策扶持、技术创新、产业链、区域布局、商业模式、市场环境、人才激励、国际化等角度提出了中国集成电路产业发展的政策建议。论文除绪论外,共分为六章。论文阐述了研究背景和研究意义,国内外研究现状,研究的理论基础,研究的思路、主要内容和研究方法,并提出了研究的创新点及进一步研究的问题。论文阐述了集成电路产业的相关概念和发展情况,介绍了集成电路产业在对电子信息产业、国民经济发展以及国防与信息安全的地位和作用,并结合国际上先进国家和地区集成电路产业的发展经验及启示,客观分析了集成电路产业的发展趋势。论文研究了中国集成电路产业的发展历程,从国家相关政策、技术创新、公共服务、人才培养、产业链、区域分布等角度评价了中国集成电路产业的发展现状。论文研究了中国集成电路产业发展中存在的问题和差距,分析了造成中国集成电路产业发展中存在问题和差距的历史原因和现实原因。论文研究了美国、欧洲、日本、韩国和中国台湾地区集成电路产业的发展状况,总结出集成电路产业发展的主要经验和对中国集成电路产业发展的启示。论文重点从全球产业转移带来的发展机遇、国内巨大市场需求带来的发展机遇、国际政策支持带来的发展机遇、技术进步和两化融合带来的发展机遇、以及商业模式创新带来的发展机遇等客观分析了中国集成电路产业面临的战略机遇；与此同时,分别从全球市场平缓增长、国际竞争更加激烈,产业模式不断创新、全球产业加快重组,技术革新步伐加快、资金门槛不断提高,以及知识产权竞争加剧、产业生态深度演变等方面分析了中国集成电路产业发展面临的挑战。论文在全面分析国际集成电路产业发展趋势及中国集成电路面临的发展机遇与挑战的基础上,有针对性地提出了对策建议,包括加大政策扶持、完善配套政策体系,强化技术创新、增强企业核心竞争力,整合产业资源、做大做强产业链,优化区域布局、统筹规划资源投入,创新商业模式、实现产业跨越式发展,改善投融资体系、培育健康市场环境,健全激励机制、吸引聚集高端人才,着眼国际市场、积极实施国际化战略等。
二、AMD与IBM合作取得 半导体制造技术新突破（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、AMD与IBM合作取得 半导体制造技术新突破（论文提纲范文）
（1）战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角（论文提纲范文）
| 答辩决议书 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及研究意义 |
| 1.1.1 选题背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 文献综述 |
| 1.2.1 国内研究现状 |
| 1.2.2 国外研究现状 |
| 1.2.3 国内外研究述评 |
| 1.3 研究框架与研究方法 |
| 1.3.1 研究框架 |
| 1.3.2 研究方法 |
| 1.4 研究中的创新与不足 |
| 第2章 科技革命推动产业升级的一般分析 |
| 2.1 科技革命的概念与研究范围界定 |
| 2.1.1 科技革命的概念 |
| 2.1.2 战后科技革命研究范围的界定 |
| 2.2 科技革命推动下产业升级的内涵及研究范围界定 |
| 2.2.1 科技革命推动下产业升级的内涵 |
| 2.2.2 科技革命推动产业升级的研究范围界定 |
| 2.3 科技革命推动产业升级的理论基础 |
| 2.3.1 熊彼特创新理论 |
| 2.3.2 技术经济范式理论 |
| 2.3.3 产业技术范式理论 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 科技革命推动产业升级:基于创新体系视角的分析框架 |
| 3.1 科技革命推动产业升级的机理 |
| 3.1.1 科技革命推动产业升级的经济本质:技术经济范式转换 |
| 3.1.2 科技革命推动产业升级的传导机制:“催新”与“改旧” |
| 3.2 创新体系相关理论 |
| 3.2.1 国家创新体系理论 |
| 3.2.2 部门创新体系理论 |
| 3.3 以创新体系为切入点的分析视角 |
| 3.3.1 国家创新体系与技术经济范式匹配性分析视角 |
| 3.3.2 部门创新体系与产业技术范式匹配性分析视角 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 战后科技革命推动日本产业升级的历程与背景 |
| 4.1 科技革命推动日本产业升级的历程 |
| 4.1.1 战前科技革命成果推动下日本产业的“重化型”化(20世纪50-60年代) |
| 4.1.2 战后科技革命推动下日本产业的“轻薄短小”化(20世纪70-80年代) |
| 4.1.3 战后科技革命推动下日本产业的“信息”化(20世纪90年代后) |
| 4.2 战后科技革命推动日本产业升级的背景 |
| 4.2.1 重化型产业结构的局限性日渐凸显 |
| 4.2.2 世界性科技革命的爆发为日本提供了机遇 |
| 4.2.3 日本经济的高速增长奠定了经济基础 |
| 4.2.4 日本的“引进消化吸收再创新”战略奠定了技术基础 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 战后科技革命推动日本产业升级:基于国家创新体系的分析 |
| 5.1 技术经济范式转换的载体:日本国家创新体系 |
| 5.2 科技革命推动日本产业升级中政府支持创新的行为 |
| 5.2.1 传递最新科技情报并辅助企业引进技术 |
| 5.2.2 适时调整科技发展战略和产业结构发展方向 |
| 5.2.3 制定激励企业研发的经济政策和专利保护制度 |
| 5.2.4 采取措施加速新技术产业化的进程 |
| 5.2.5 改革教育体制并强化人才引进制度 |
| 5.3 科技革命推动日本产业升级中企业的创新行为 |
| 5.3.1 注重提升自主创新能力 |
| 5.3.2 遵循技术创新的“现场优先主义”原则 |
| 5.3.3 实行考虑市场因素的“商品研制、推销一贯制” |
| 5.3.4 将资金集中投向开发研究和创新链的中下游环节 |
| 5.3.5 重视对在职人员的科技教育和技术培训 |
| 5.4 科技革命推动日本产业升级中大学和科研机构的创新行为 |
| 5.4.1 从事与产业技术密切相关的基础和应用研究 |
| 5.4.2 重视通识教育和“强固山脚”教育 |
| 5.4.3 培养了大量的理工类高科技人才 |
| 5.5 科技革命推动日本产业升级中的创新主体联盟 |
| 5.5.1 产学官联合攻关尖端技术 |
| 5.5.2 建立能够促进科技成果转化的中介机构 |
| 5.5.3 联合培养和引进优秀人才 |
| 5.6 日本国家创新体系与技术经济范式的匹配性评析 |
| 5.6.1 日本国家创新体系与微电子技术经济范式相匹配 |
| 5.6.2 “追赶型”国家创新体系与“应用开发型”技术经济范式相匹配 |
| 5.7 本章小结 |
| 第6章 战后科技革命催生日本主要新兴产业:基于部门创新体系的分析 |
| 6.1 新兴产业技术范式的形成与日本部门创新体系 |
| 6.2 微电子技术催生下日本半导体产业的兴起和发展 |
| 6.2.1 微电子技术产业化中政府支持创新的行为 |
| 6.2.2 微电子技术产业化中企业的创新行为 |
| 6.2.3 微电子技术产业化中科研机构的创新行为 |
| 6.2.4 微电子技术产业化中的创新主体联盟 |
| 6.2.5 微电子技术产业化中的需求因素 |
| 6.3 计算机技术催生下日本计算机产业的兴起与发展 |
| 6.3.1 计算机技术产业化中政府支持创新的行为 |
| 6.3.2 计算机技术产业化中企业的创新行为 |
| 6.3.3 计算机技术产业化中的创新主体联盟 |
| 6.3.4 计算机技术产业化中的需求因素 |
| 6.4 日本部门创新体系与新兴产业技术范式形成的匹配性评析 |
| 6.4.1 部门创新体系与半导体产业技术范式形成相匹配 |
| 6.4.2 部门创新体系与计算机产业技术范式形成相匹配 |
| 6.4.3 部门创新体系与新兴产业技术范式形成相匹配 |
| 6.5 本章小结 |
| 第7章 战后科技革命改造日本主要传统产业:基于部门创新体系的分析 |
| 7.1 科技革命改造传统产业的本质:传统产业技术范式变革 |
| 7.2 微电子技术改造下日本工业机器自动化的发展 |
| 7.2.1 工业机器自动化中政府支持创新的行为 |
| 7.2.2 工业机器自动化中企业的创新行为 |
| 7.2.3 工业机器自动化中的创新主体联盟 |
| 7.2.4 工业机器自动化中的需求因素 |
| 7.3 微电子技术改造下日本汽车电子化的发展 |
| 7.3.1 汽车电子化中政府支持创新的行为 |
| 7.3.2 汽车电子化中企业的创新行为 |
| 7.3.3 汽车电子化中的创新主体联盟 |
| 7.3.4 汽车电子化中的需求因素 |
| 7.4 日本部门创新体系与传统产业技术范式变革的匹配性评析 |
| 7.4.1 部门创新体系与工业机器产业技术范式变革相匹配 |
| 7.4.2 部门创新体系与汽车产业技术范式变革相匹配 |
| 7.4.3 部门创新体系与传统产业技术范式变革相匹配 |
| 7.5 本章小结 |
| 第8章 创新体系视角下战后科技革命推动日本产业升级的经验与教训 |
| 8.1 战后科技革命推动日本产业升级的经验 |
| 8.1.1 构建了与微电子技术经济范式相匹配的国家创新体系 |
| 8.1.2 重视创新体系的层级性和差异性建设 |
| 8.1.3 加速推进新兴产业技术范式的形成 |
| 8.1.4 借力科技革命的“双重性质”推动新旧产业协调发展 |
| 8.2 战后科技革命推动日本产业升级的教训 |
| 8.2.1 创新体系的基础研究能力不足 |
| 8.2.2 创新体系不利于颠覆性技术创新的产生 |
| 8.2.3 政府主导下的大型研发项目模式存在定向失误的弊端 |
| 8.3 本章小结 |
| 第9章 创新体系视角下战后科技革命推动日本产业升级对我国的启示 |
| 9.1 新一轮科技革命给我国产业升级带来的机遇 |
| 9.1.1 为我国产业升级提供“机会窗口” |
| 9.1.2 为我国新兴产业“追跑”“齐跑”与“领跑”的并行发展提供机遇 |
| 9.1.3 为我国传统制造业的高质量发展创造了机会 |
| 9.2 构建与新一轮科技革命推动产业升级相匹配的创新体系 |
| 9.2.1 构建国家创新生态体系 |
| 9.2.2 重视部门创新体系的“产业间差异性” |
| 9.2.3 形成与新兴产业技术范式相匹配的部门创新体系 |
| 9.2.4 建设能够促进传统产业技术范式演化升级的部门创新体系 |
| 9.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间的科研成果 |
| 致谢 |
（2）日美半导体贸易摩擦研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 国内外文献综述 |
| 1.2.1 国内相关文献 |
| 1.2.2 国外相关文献 |
| 第2章 贸易摩擦及相关理论 |
| 2.1 贸易摩擦的相关概念 |
| 2.1.1 贸易摩擦的概念 |
| 2.1.2 半导体贸易摩擦的概念及其特点 |
| 2.2 相关理论 |
| 2.2.1 幼稚产业保护论 |
| 2.2.2 战略性贸易政策理论 |
| 2.2.3 囚徒困境理论 |
| 第3章 日美半导体贸易摩擦的起因与演变过程 |
| 3.1 日美半导体贸易摩擦的起因 |
| 3.1.1 产业发展模式不相同 |
| 3.1.2 市场开放度不一致 |
| 3.1.3 进出口数量不平衡 |
| 3.1.4 美国对自身国际地位的维护 |
| 3.2 日美半导体贸易摩擦的演变过程 |
| 3.2.1 签署《日美半导体协议》之前的日美半导体产业的发展情况 |
| 3.2.2 两次日美半导体协议之间的日美半导体贸易摩擦 |
| 3.2.3 《新日美半导体协议》签署后日美半导体贸易摩擦的发展 |
| 第4章 美国在日美半导体贸易摩擦中所采取的措施 |
| 4.1 制造国际压力逼迫日本在经济领域的让步 |
| 4.1.1 通过外交谈判签署协议 |
| 4.1.2 依据美国法律开展各项调查 |
| 4.1.3 通过政治手段干预日本企业的发展 |
| 4.2 国内通过相关议案赋予政府部门干预权限 |
| 4.2.1 对原有法律体系扩充 |
| 4.2.2 国会讨论或通过关于日美贸易问题的相关议案 |
| 第5章 日本在日美半导体贸易摩擦中的应对策略 |
| 5.1 提高日本国内市场的开放程度 |
| 5.1.1 调整关税体系 |
| 5.1.2 对现有市场结构进行改革 |
| 5.1.3 签订个别市场分类协议 |
| 5.2 通过价格管制间接实现“全面”的自主限制出口 |
| 5.3 通过扩大对外投资“迂回”缓解贸易摩擦 |
| 5.3.1 通过对美国的投资缓解贸易摩擦 |
| 5.3.2 通过对发展中国家的投资规避贸易摩擦 |
| 第6章 日美半导体贸易摩擦产生的影响 |
| 6.1 对日本的影响 |
| 6.1.1 短期影响 |
| 6.1.2 长期影响 |
| 6.2 对美国的影响 |
| 6.2.1 美国的经常项目收支明显改善 |
| 6.2.2 美国企业不得不大力研发新技术以保证技术优势 |
| 6.2.3 美国开始实行战略性贸易政策 |
| 6.2.4 美国获得了日本直接投资的一部分 |
| 6.3 对世界的影响 |
| 6.3.1 短期内进一步加重了国际贸易保护主义色彩 |
| 6.3.2 促进了全球在半导体领域的技术进步 |
| 6.3.3 半导体产业从日本转移到其他国家和地区 |
| 第7章 日美半导体贸易摩擦对中国的启示 |
| 7.1 中美贸易摩擦在半导体产业上的表现 |
| 7.1.1 中国半导体产业的发展情况 |
| 7.1.2 中美半导体贸易摩擦 |
| 7.2 日本应对日美半导体贸易摩擦上的经验与教训 |
| 7.2.1 日本在应对摩擦时的经验 |
| 7.2.2 日本在应对摩擦时的教训 |
| 7.3 吸取日本的经验与教训妥善应对中美贸易摩擦 |
| 7.3.1 调整出口结构,促进产品差异化与市场多元化 |
| 7.3.2 加强自主研发力度以掌握核心技术 |
| 7.3.3 面对贸易摩擦要积极应对 |
| 7.3.4 有效利用WTO框架下的多边谈判机制 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（3）我国集成电路产业链:国际竞争力、制约因素和发展路径（论文提纲范文）
| 一、引言 |
| 二、集成电路产业概述 |
| (一) 集成电路、半导体和芯片 |
| (二) 集成电路产业结构的演变 |
| (三) 集成电路产业的转移 |
| (四) 集成电路产业的特征 |
| 三、我国集成电路产业链的国际竞争力 |
| (一) 产业链 |
| 1. 产业规模。 |
| 2. 产业链结构。 |
| 3. 进出口。 |
| (二) 产业链各环节的国际竞争力 |
| 1. 集成电路设计。 |
| 2. 集成电路制造。 |
| 3. 集成电路封装测试。 |
| 4. 集成电路专用设备。 |
| 5. 集成电路专用材料。 |
| 四、我国集成电路产业链的制约因素 |
| (一) 外部因素 |
| 1. 美国等国家的封锁和打压。 |
| 2. 核心技术依然受制于人。 |
| (二) 内部因素 |
| 1. 主导理念存在偏差。 |
| 2. 资本投入的力度不足。 |
| 3. 自主研发能力仍待加强。 |
| 4. 税收优惠力度不够。 |
| 5. 人才短缺。 |
| 6. 产业链上下游的关联度低, 且协同不足。 |
| 五、我国集成电路产业链的发展路径 |
| (一) 政府方面 |
| 1. 强化产业顶层设计。 |
| 2. 完善产业税收优惠政策。 |
| 3. 持续推进重大专项。 |
| 4. 利用“大基金”支持有实力的企业做大做强。 |
| 5. 重视微电子方面的人才培养。 |
| (二) 企业方面 |
| 1. 不断强化技术创新。 |
| 2. 积极开展跨境并购。 |
| 3. 重视知识产权保护。 |
| 4. 深入开展国际与国内合作。 |
| 5. 加大高端人才的引进力度。 |
（4）智能制造发展的国际比较与中国抉择（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 绪论 |
| 第一节 研究背景、问题及意义 |
| 一、研究背景 |
| 二、问题的提出 |
| 三、研究意义 |
| 第二节 智能制造研究综述 |
| 一、国外相关研究 |
| 二、国内相关研究 |
| 三、文献评述 |
| 第三节 研究内容、思路及方法 |
| 一、研究内容 |
| 二、研究思路 |
| 三、研究方法 |
| 第四节 主要创新点 |
| 第一章 研究智能制造发展的理论基础 |
| 第一节 马克思技术进步理论及资本有机构成理论 |
| 一、技术进步和机器大工业生产理论 |
| 二、资本有机构成理论 |
| 第二节 西方经济学相关理论 |
| 一、熊彼特创新及经济周期理论 |
| 二、弗里曼工业创新及演化经济学理论 |
| 三、佩雷斯技术-经济范式及技术革命周期演化理论 |
| 四、其他新熊彼特学派学者的创新和演化经济学理论 |
| 第二章 智能制造发展演化的机理及其技术-经济范式 |
| 第一节 智能制造的定义及内涵界定 |
| 一、有关智能制造的定义概述 |
| 二、本文对于智能制造概念的界定 |
| 第二节 智能制造产生的动力分析 |
| 一、技术进步是智能制造产生的根本动力 |
| 二、经济危机是智能制造产生的催化剂 |
| 第三节 智能制造的生产组织模式 |
| 一、制造业生产组织模式变迁 |
| 二、智能制造的生产组织模式创新 |
| 第四节 智能制造的技术-经济范式体系 |
| 一、范式及技术-经济范式概念界定 |
| 二、技术革命的划分及其技术-经济范式变迁分析 |
| 三、第三次工业革命下的智能制造技术-经济范式 |
| 第三章 智能制造关键基础性产业全球发展态势比较分析 |
| 第一节 集成电路和传感器产业 |
| 第二节 高档数控机床产业 |
| 第三节 工业机器人产业 |
| 第四节 软件和信息技术服务业 |
| 第四章 G20国家智能制造发展水平实证分析 |
| 第一节 智能制造发展水平的分析思路及方法 |
| 一、智能制造发展水平的分析思路 |
| 二、投入产出分析方法及直接消耗系数 |
| 三、制造业智能化指数的概念及其对智能制造发展水平的表征 |
| 第二节 相关产业的界定 |
| 一、信息通信技术产业的界定 |
| 二、机械自动化产业的界定 |
| 三、制造业的行业界定 |
| 第三节 制造业智能化指数的计算及数据来源 |
| 一、制造业智能化指数的计算方法 |
| 二、研究的国别及数据来源 |
| 第四节 实证结果分析 |
| 一、各国智能制造总体发展水平比较分析 |
| 二、分行业智能制造发展水平比较分析 |
| 三、中国智能制造发展水平分析 |
| 第五章 典型国家智能制造发展模式比较与经验借鉴 |
| 第一节 美国国家创新体系及先进制造业发展战略 |
| 一、美国国家创新体系和创新政策演变分析 |
| 二、美国先进制造业及工业互联网发展战略 |
| 第二节 德国国家创新体系及工业4.0战略 |
| 一、德国国家创新体系和创新政策演变分析 |
| 二、德国高技术创新战略及工业4.0发展战略 |
| 第三节 日本国家创新体系及新机器人战略 |
| 一、日本国家创新体系和创新政策演变分析 |
| 二、日本新机器人战略及互联工业倡议 |
| 第四节 美、德、日智能制造发展模式比较与启示 |
| 一、美、德、日智能制造发展模式的相同点 |
| 二、美、德、日智能制造发展模式的不同点 |
| 三、几点启示 |
| 第六章 中国智能制造发展现状分析 |
| 第一节 中国智能制造发展情况概述 |
| 一、智能制造发展的顶层设计逐步完善 |
| 二、智能制造标准体系建设全面展开 |
| 三、智能制造关键基础性产业持续发展 |
| 四、企业积极参与推动智能制造发展 |
| 五、各地方政府主动对接智能制造发展 |
| 第二节 中国智能制造发展存在的问题分析 |
| 一、智能制造发展基础薄弱,自主创新意识和能力不强 |
| 二、官产学研的协同创新机制尚未建立起来 |
| 三、智能制造推进平台缺失 |
| 四、企业的主体引领作用不突出 |
| 五、政策规划相对宽泛,没有突出自身特点和优势 |
| 六、相关教育和人才缺失 |
| 第七章 推进中国智能制造发展的创新路径 |
| 第一节 推进中国智能制造发展的基本原则 |
| 第二节 推进中国智能制造发展的路径分析 |
| 一、发展目标:以建设制造强国为目标的智能制造发展导向 |
| 二、创新主导力量:政府引领、产业界主导、研究机构和大学紧密合作的智能制造创新网络 |
| 三、涵盖领域:涵盖重要战略性新兴产业的智能制造发展领域 |
| 四、重点环节和思路:面向不同发展优势和水平的差异化发展战略 |
| 第三节 推进中国智能制造发展的对策建议 |
| 一、深化智能制造相关基础理论体系的研究 |
| 二、加强智能制造关键技术和装备的攻关 |
| 三、健全智能制造发展的体制机制 |
| 四、完善智能制造发展的政策保障 |
| 五、强化智能制造相关人才的教育和培训 |
| 第八章 结论 |
| 第一节 本文的主要结论 |
| 第二节 有待进一步研究的问题 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（5）中国半导体企业品牌国际地位探析与借鉴（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1.绪论 |
| 1.1 研究背景和研究意义 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 .文献综述 |
| 1.2.1 国际品牌的概念界定 |
| 1.2.2 国际企业品牌价值的评价 |
| 1.2.3 企业品牌提升国际地位的策略 |
| 1.2.4 简要述评 |
| 1.3 研究内容与方法 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 研究方法 |
| 2.全球半导体企业主要品牌国际地位现状分析 |
| 2.1 半导体产业国际化过程 |
| 2.2 半导体企业分类：产业链视角 |
| 2.3 产业链不同环节企业品牌国际地位排名 |
| 3.中国半导体企业国际品牌取得的成绩及与领先国家的差距 |
| 3.1 中国半导体企业国际品牌取得的成绩 |
| 3.2 中国半导体企业国际品牌与领先国家的差距 |
| 3.2.1 品牌附加值 |
| 3.2.2 品牌核心技术 |
| 3.2.3 品牌国际市场覆盖面 |
| 3.2.4 品牌全球市场占有率 |
| 4.中国半导体企业品牌国际地位落后的原因 |
| 4.1 核心技术难以突破 |
| 4.1.1 长期大量缺乏研发投入 |
| 4.1.2 前端设备、材料遭到西方国家限制 |
| 4.1.3 人才的缺乏 |
| 4.2 陷入僵化的“跟随模式” |
| 4.3 客户认证壁垒高 |
| 4.3.1 认证周期长 |
| 4.3.2 核心技术泄露隐患 |
| 4.3.3 国家品牌形象对中国品牌国际传播的背书障碍 |
| 4.4 中国品牌受到领先国家的压制 |
| 4.4.1 国际龙头品牌通过主导国际规则的制定来压制中国 |
| 4.4.2 国际领先品牌通过发动专利战拖住对手 |
| 4.4.3 国际领先品牌通过低价倾销打垮后来者 |
| 4.4.4 领先国家政府对中国品牌的战略遏制 |
| 5.中国半导体企业品牌国际地位提升的国际经验借鉴 |
| 5.1 通过国家营销提升国家品牌形象 |
| 5.1.1 确定中国国家品牌形象新定位 |
| 5.1.2 在国际电视频道推出半导体国家品牌计划 |
| 5.1.3 提升“中国制造”在国际消费者心中的地位 |
| 5.2 建造有利于品牌发展的环境支撑体系 |
| 5.2.1 国家加大对基础研究的投入 |
| 5.2.2 致力于吸引全球人才 |
| 5.2.3 注重研究成果的商业化应用 |
| 5.2.4 金融深化驱动技术创新 |
| 5.2.5 专业品牌咨询公司对半导体企业的支持 |
| 5.3 制定有利于品牌打造的半导体产业政策 |
| 5.3.1 产业幼稚期政府采购提供“需求拉力” |
| 5.3.2 产业高速成长期政府放松管制和鼓励竞争 |
| 5.3.3 特殊时期对内整和与对外打压相结合 |
| 5.3.4 中国半导体产业政策的重新调整 |
| 5.4 强化中国半导体企业的国际品牌意识 |
| 5.4.1 通过大客户营销建立行业声誉 |
| 5.4.2 直接面向终端消费者展开营销活动 |
| 5.4.3 积极参与制定国际规则 |
| 5.5 实现由“跟随模式”到“赶超模式”的转变 |
| 5.5.1 实现由“指标追赶”到“满足终端消费者”的战略目标转变 |
| 5.5.2 与颠覆式创新客户形成战略联盟 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（6）寡头竞合与并购重组:全球半导体产业的赶超逻辑（论文提纲范文）
| 寡头竞合与日韩的产业赶超 |
| (一) 寡头竞合与并购重组 |
| (二) 产业赶超的经济意识形态 |
| 寡头竞合与并购重组:日本半导体产业的赶超 |
| (一) 基于研发联合体的并购重组 |
| (二) 超大规模集成电路的赶超 |
| 寡头竞合与并购重组:韩国半导体产业的赶超 |
| (一) 基于研发联合体的并购重组 |
| (二) 多种形式的并购重组 |
| 对赶超的应对:美国半导体产业的并购重组 |
| (一) 受监管的垄断:半导体技术的起源 |
| (二) 对日本半导体赶超的应对 |
| 赶超背景下的中国半导体产业 |
（7）铜、钨掺杂GeTe相变存储材料的结构与性质的第一性原理及分子动力学研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 相变存储器在数据存储领域的应用 |
| 1.2.1 相变存储技术的发展历程 |
| 1.2.2 相变存储器的工作机理 |
| 1.2.3 优秀的相变存储材料 |
| 1.2.4 相变存储技术的研究现状 |
| 1.2.5 相变存储器的发展方向 |
| 1.3 GeTe基相变存储材料 |
| 1.4 本论文的研究目的与主要内容 |
| 第二章 计算材料学研究方法及软件简介 |
| 2.1 计算材料学在相变存储研究中的应用 |
| 2.2 密度泛函理论 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 |
| 2.2.3 交换关联泛函 |
| 2.3 第一性原理计算分析方法 |
| 2.3.1 电子局域化函数 |
| 2.3.2 Bader电荷转移 |
| 2.3.3 声子谱 |
| 2.4 第一性原理分子动力学模拟方法 |
| 2.4.1 第一性原理分子动力学 |
| 2.4.2 均方位移 |
| 2.4.3 对关联函数 |
| 2.4.4 配位数分布 |
| 2.4.5 键角分布 |
| 2.4.6 环统计 |
| 2.5 本文所使用的软件 |
| 2.5.1 VASP |
| 2.5.2 VESTA |
| 2.5.3 R.I.N.G.S |
| 2.5.4 Phonopy |
| 2.5.5 p4vasp |
| 第三章 非晶态GeTe及Cu掺杂GeTe的AIMD研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 计算方法 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 非晶态Cu掺杂GeTe的局域结构 |
| 3.3.2 结构与成键 |
| 3.3.3 光学性质对比 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 W掺杂非晶态GeTe的第一性原理分子动力学研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 计算方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 非晶态W掺杂GeTe的局域结构 |
| 4.3.2 过渡金属掺杂质的团聚 |
| 4.3.3 相变前后W掺杂GeTe的密度变化 |
| 4.3.4 非晶态W掺杂GeTe的早期结晶过程 |
| 4.3.5 非晶态W掺杂GeTe中的化学键 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 W掺杂晶态GeTe的第一性原理研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 计算方法 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 晶胞体积与局域结构的反常收缩 |
| 5.3.2 W掺杂GeTe的可行合成路径 |
| 5.3.3 W掺杂GeTe结构的稳定性 |
| 5.3.4 W掺杂GeTe的电子态密度与能带结构 |
| 5.3.5 W掺杂GeTe的磁性性质 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和获奖情况 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（9）2015年全球集成电路技术发展和主要产品分析（论文提纲范文）
| 1 2015年全球集成电路技术的新进展 |
| 1.1 2015年全球集成电路制程技术从28/22nm节点全面过渡到16/14nm节点 |
| 1.2 移动智能终端芯片愈益采用16/14nm制程 |
| 1.3 2015年导入10nm技术,2016年底进入量产 |
| 1.4 FD-SOI(全耗尽SOI)技术异军突起 |
| 1.5 2015年全球技术领先厂商的技术发展状况 |
| 2.1 存储器(Memory) |
| 2.1.1 DRAM(动态随机存取存储器) |
| 2.1.2 快闪存储器(Flash) |
| 2.1.3 新型半导体存储器 |
| 2.3 微处理器 |
| 2.3.1 CPU(中央处理器)和GPU(图像处理器) |
| 2.3.2 手机与平板电脑AP(应用处理器) |
| 2.3.3 MCU(微控制器) |
| 3 结语 |
（10）中国集成电路产业发展研究（论文提纲范文）
| 论文创新点 |
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 表目次 |
| 图目次 |
| 绪论 |
| 一、研究背景和研究意义 |
| 二、国内外相关研究综述 |
| 三、研究的理论基础 |
| 四、研究内容和研究方法 |
| 五、研究的创新与需要进一步研究的问题 |
| 第一章 集成电路产业概述 |
| 第一节 集成电路 |
| 一、集成电路的涵义 |
| 二、集成电路技术 |
| 三、集成电路的发展历史 |
| 四、集成电路分类 |
| 第二节 集成电路产业 |
| 一、集成电路产业的涵义 |
| 二、集成电路产业的特征 |
| 三、集成电路产业的市场状况 |
| 第三节 集成电路产业的重要地位和作用 |
| 一、集成电路产业是电子信息产业的基础和核心 |
| 二、集成电路产业是国民经济持续增长的推动力 |
| 三、集成电路产业对国防与信息安全具有重要意义 |
| 第四节 集成电路产业的发展趋势 |
| 一、集成电路产业技术发展趋势 |
| 二、集成电路产业结构调整及转移趋势 |
| 三、集成电路产业芯片、整机联动的发展趋势 |
| 四、集成电路产业与资本结合的发展趋势 |
| 五、集成电路产业商业模式的发展趋势 |
| 第二章 中国集成电路产业的发展现状 |
| 第一节 中国集成电路产业发展的总体概况 |
| 一、中国集成电路产业的发展历程 |
| 二、中国集成电路产业的技术创新现状 |
| 三、中国集成电路产业的公共服务现状 |
| 四、中国集成电路产业发展的人才培养现状 |
| 第二节 中国集成电路产业的产业链 |
| 一、集成电路设计产业 |
| 二、集成电路制造产业 |
| 三、集成电路封装与测试产业 |
| 四、集成电路材料与装备产业 |
| 第三节 中国集成电路产业的区域布局 |
| 一、环渤海区域集成电路产业的发展 |
| 二、长三角区域集成电路产业的发展 |
| 三、珠三角区域集成电路产业的发展 |
| 四、西部区域集成电路产业的发展 |
| 第三章 中国集成电路产业发展的问题及原因 |
| 第一节 中国集成电路产业发展存在的问题 |
| 一、市场严重依赖进口 |
| 二、缺乏高端领军企业 |
| 三、工艺水平差距较大 |
| 四、基础技术积累不足 |
| 五、配套技术发展滞后 |
| 六、产业布局尚需优化 |
| 第二节 中国集成电路产业发展存在问题的原因 |
| 一、人才基础相对薄弱 |
| 二、技术创新能力不强 |
| 三、政策支持不能持续 |
| 四、商业模式创新不够 |
| 五、资本投入运作欠缺 |
| 第四章 美、欧、日、韩及中国台湾地区集成电路产业发展的经验和启示 |
| 第一节 美国集成电路产业发展 |
| 一、美国集成电路产业发展历程及现状 |
| 二、美国集成电路产业发展的经验及启示 |
| 第二节 欧洲集成电路产业发展 |
| 一、欧洲集成电路产业发展历程及现状 |
| 二、欧洲集成电路产业发展的经验及启示 |
| 第三节 日、韩集成电路产业发展 |
| 一、日、韩集成电路产业发展历程及经验 |
| 二、日、韩集成电路产业发展特点及启示 |
| 第四节 中国台湾地区集成电路产业发展 |
| 一、中国台湾地区集成电路产业发展历程及经验 |
| 二、中国台湾地区集成电路产业发展特点及启示 |
| 第五章 中国集成电路产业面临的机遇和挑战 |
| 第一节 中国集成电路产业发展面临的环境 |
| 一、宏观环境 |
| 二、市场环境 |
| 三、政策环境 |
| 第二节 中国集成电路产业面临的机遇 |
| 一、全球产业转移带来的发展机遇 |
| 二、国内巨大市场需求带来的发展机遇 |
| 三、国家政策支持带来的机遇 |
| 四、工业化和信息化融合带来的发展机遇 |
| 五、商业模式创新带来的发展机遇 |
| 第三节 中国集成电路产业面临的挑战 |
| 一、全球市场平缓增长,国际竞争更加激烈 |
| 二、产业模式不断创新,全球产业加快重组 |
| 三、技术革新步伐加快,资金门槛不断提高 |
| 四、知识产权竞争加剧,产业生态深度演变 |
| 第六章 中国集成电路产业发展对策 |
| 第一节 加大政策扶持,完善配套政策体系 |
| 一、政策扶持是产业发展的最大助力 |
| 二、产业发展新的突破需要更强力的政策扶持 |
| 第二节 强化技术创新,增强企业核心竞争力 |
| 一、技术创新是集成电路产业快速发展的源泉 |
| 二、鼓励技术创新,促进产业发展 |
| 第三节 整合产业资源,做大做强产业链 |
| 一、资源整合是产业健康发展的必由之路 |
| 二、采取多种措施推动产业做大做强 |
| 第四节 优化区域布局,统筹规划资源投入 |
| 一、集成电路产业群聚效应日益凸现 |
| 二、增强区域聚焦,强化产业协同 |
| 第五节 创新商业模式,实现产业跨越式发展 |
| 一、市场多元化与服务化趋势提供新契机 |
| 二、创新商业模式,实现跨越发展 |
| 第六节 改善投融资体系,培育健康市场环境 |
| 一、改善产业投融资环境,增强市场活力 |
| 二、引导市场规范运作,促进产业良性发展 |
| 第七节 健全激励机制,吸引聚集高端人才 |
| 一、国际竞争需要一流的高端人才 |
| 二、健全激励机制,引进高端人才 |
| 第八节 着眼国际市场,积极实施国际化战略 |
| 一、国际化是产业发展的必然选择 |
| 二、形成产业合力,共同开拓国际市场 |
| 参考文献 |
| 中文部分 |
| 英文部分 |
| 攻读学位期间发表的相关论文 |
| 后记 |
四、AMD与IBM合作取得 半导体制造技术新突破（论文参考文献）
- [1]战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角[D]. 刘伟岩. 吉林大学, 2020(03)
- [2]日美半导体贸易摩擦研究[D]. 刘家良. 吉林大学, 2020(08)
- [3]我国集成电路产业链:国际竞争力、制约因素和发展路径[J]. 李传志. 山西财经大学学报, 2020(04)
- [4]智能制造发展的国际比较与中国抉择[D]. 王媛媛. 福建师范大学, 2019(12)
- [5]中国半导体企业品牌国际地位探析与借鉴[D]. 姜心宓. 江西财经大学, 2019(01)
- [6]寡头竞合与并购重组:全球半导体产业的赶超逻辑[J]. 周建军. 国际经济评论, 2018(05)
- [7]铜、钨掺杂GeTe相变存储材料的结构与性质的第一性原理及分子动力学研究[D]. 张临川. 厦门大学, 2018(07)
- [8]新型高性能计算系统与技术[J]. 廖湘科,肖侬. 中国科学:信息科学, 2016(09)
- [9]2015年全球集成电路技术发展和主要产品分析[J]. 王龙兴. 集成电路应用, 2016(07)
- [10]中国集成电路产业发展研究[D]. 王鹏飞. 武汉大学, 2014(06)
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