一、溅射输运理论中的经典散射截面（论文文献综述）
杨立浩[1]（2021）在《电子在材料中的非弹性散射平均自由程的理论研究》文中研究说明电子的非弹性平均自由程（IMFP）是描述电子在材料中的输运性质重要的参数,同时也是定量表面分析最重要的参数之一,在电子能谱学及电子显微学中具有重要应用。在很多表面分析技术,例如Auger电子能谱（AES）、X射线光电子能谱（XPS）的定量分析中,IMFP是必不可少的参数。对于其他的以电子束作为探针的表面表征方法而言,IMFP常用于确定该表面表征方法的表面灵敏度。本文首先介绍了电子在材料中输运的IMFP及其在定量AES、XPS分析中的应用,介绍了 IMFP的三种获得手段,即使用公式预测、理论计算和实验测量。最后详细讨论了实验获得IMFP中存在的一些问题以及本论文的研究动机。（第一章）电子在材料中输运过程中会被材料内部的原子核及核外电子散射。根据是否发生能量损失,可将这些散射分为两类:弹性散射与非弹性散射。我们介绍了用于描述电子弹性散射的Mott截面,以及计算该截面需要的相关弹性散射势。同时,介绍了当前对于描述无限大介质材料非弹性散射的常规介电函数理论,及考虑表面等离激元激发、描述半无限大介质材料的半经典理论。介绍了多种用于能量损失函数（ELF）从光学极限外推至（q,ω）空间的外推方法,并对这些方法进行了比较。最后我们介绍了电子在材料内部及样品表面输运过程Monte Carlo模拟方法。（第二章）从反射电子能量损失谱（REELS）中提取电子在材料中输运的IMFP是近年来兴起的用于获得IMFP的重要方案,该方案主要分为两个步骤:1)从REELS能谱中提取光学ELF或光学常数;2)基于获取的光学ELF计算得到IMFP。逆Monte Carlo（RMC）方法是近几年发展的通过将Monte Carlo方法模拟REELS能谱及Markov链Monte Carlo方法更新参数化ELF相结合的方法。在简单介绍了 RMC方法的原理后,我们进一步改进了 RMC方法并将该方法运用到更多的材料,包括三个过渡金属材料Cr、Co、Pd、重金属Ir、轻元素C、半导体材料Si、Ge:（第三章）一、在对于三个过渡金属材料Cr、Co、Pd的分析中,我们考虑一个更精确的弹性散射势用于计算弹性散射截面。基于该截面,使用RMC方法对Cr、Co、Pd宽能量范围（0-200eV）的REELS能谱进行分析,获得了高度准确的ELF数据。该结果的准确性可以由两个求和规则,即ps-求和规则和f-求和规则,来验证。我们提出一个RMS值用于描述不同f-求和规则之间的相对偏差。相比于单个f-求和规则,RMS值更能反应低能ELF、介电函数、光学常数数据的准确性。该值预期能和求和规则一样,成为判断光学数据准确性的重要准则。二、我们将RMC方法应用于重金属材料Ir和轻元素无定形态碳（a-C）中。从这些材料的能谱中提取的ELF结果都具有较高的准确性,两个求和规则与理论值的偏差或RMS值都较小,要远低于当前其他方法获得的结果。在对a-C的分析中,我们提倡使用材料的ELF而不是REELS能谱来确定材料的等离激元能量,从而计算材料的局域密度。REELS能谱中通常存在表面效应或多重散射效应,这些效应的存在会使得确定的等离激元能量并不准确。另一方面,基于当前RMC方法得到的a-C的ELF,我们提供了一个简单的公式用于预测其他密度的a-C材料的ELF、介电函数、光学常数等。该公式预计能为后续的a-C材料性质的研究、a-C材料的定量表面分析提供重要数据支撑。三、我们提出一个FPA-Ritchie-Howie模型来将光学ELF外推到（q,ω）空间,该模型使用FPA方法处理电子在材料中的体激发,而Ritchie-Howie方法处理电子的表面激发。该模型既能非常准确地处理电子在材料中输运时的多重散射效应,同时又一定程度上兼顾了计算效率。对于自由电子类材料的定量表面分析具有重要意义。我们将FPA-Ritchie-Howie模型引入到RMC方法中,用于分析Si、Ge两个自由电子类材料并提取材料的ELF、介电常数、光学常数。我们使用ps-求和规则、f-求和规则、惯性求和规则、直流电导率求和规则、RMS值计算等多种方法对获得的结果进行检验。除了f-求和规则以外,所有的检验相对误差均小于千分之一。而两个材料的RMS值计算结果分别为0.036%和0.010%,如此小的RMS值结果表明,f-求和规则的较大误差（0.6-1.2%）主要来源于高能段其他来源数据的不准确。当前获得的高准确性的结果一方面为后续的材料分析提供重要的数据支撑,另一方面,也证明了 FPA-Ritchie-Howie模型的有效性。四、基于从REELS能谱中提取的Cr、Co、Pd、Ir、a-C、Si、Ge材料的ELF数据,计算了电子在这些材料中输运的IMFP,对IMFP数据库是一个重要补充。已经有很多结果表明,在材料的低能有效衰减长度/IMFP/平均自由程的曲线中存在一些特殊的结构。尽管有研究人员认为这些结构是由于表面等离激元激发导致的,但目前并没有任何直接的证据能够明确证明这一点。观测的有效衰减长度/IMFP/平均自由程数据中,通常包含有弹性散射效应、薄膜与衬底的耦合效应等的贡献,亟需一个更加有效的分析方法剔除相关效应的干扰,提取出材料的带有结构的纯粹的IMFP用于证明这一观点。我们基于经典电子轨迹框架,发展了一套ZT模型用于描述电子在无支撑二维材料中的输运。基于该方法,我们重新分析文献中报道的1-4层无支撑石墨烯的弹性反射率及弹性透射率数据,获得电子在石墨烯中输运的弹性平均自由程（EMFP）和IMFP数据。我们的分析表明“单个原子层厚度要比电子的IMFP小得多”这一固有观念至少对于低能电子是错误的。我们的IMFP结果表明,电子在单层石墨烯中输运的IMFP没有明显的特征结构,而对于双层石墨烯,电子的IMFP在5-15eV处开始出现一个台阶特征,随着厚度的增加,该特征变成一个凹陷结构,这一特征被认为是π+σ等离激元的面外激发模式导致的。我们的结果表明,计算低能电子在材料中输运的IMFP时必须考虑等离激元贡献,我们提出的分析方法为后续研究电子在薄膜样品中输运的IMFP提供了重要思路。这项工作表明,即使对于最薄材料,即单层石墨烯,的横向方向,经典电子轨迹框架仍可用于揭示低能电子与石墨烯相互作用的物理图像。（第四章）IMFP的实验确定通常基于电子能谱。获得IMFP的不同实验方法实际上是分析电子能谱中来自不同能量范围的信号电子的过程。已经发展了许多方法用于对弹性峰电子、二次电子、REELS能谱、Auger电子进行分析,从而获得电子的IMFP。然而,这当中存在一个空缺——背散射电子背景信号。除了背散射电子背景以外,来自所有能量范围的信号电子都已用于进行定量分析从而获得IMFP。通常,研究人员会研究不同的信号峰,例如弹性峰、Auger峰或二次电子的信号,以获得有用的信息。背散射电子背景信号通常被认为是无用的。我们提出了一种方法针对背散射电子背景信号进行定量分析,该方法可以将人们通常认为无用的信息,即背景信号,利用起来,从中提取出表面科学领域非常重要的参数——电子在材料中输运的IMFP。这一方案扩展了 IMFP的实验测量手段。同时也为后续背散射电子背景定量分析研究提供一种重要的分析手段。该方案的可扩展性强,只需要给定材料的化学式及密度,就可以从背散射电子能谱中的背景信号中获得电子IMFP。（第五章5.1小节）除了改进已有的IMFP实验获得方法、提出实验获取IMFP的新思路,我们还运用Monte Carlo方法对背散射电子能谱和REELS能谱进行定量分析。我们利用Monte Carlo方法对两个重金属Mo和W的背散射系数实验数据进行细致的分析。基于Monte Carlo方法计算得到的结果,我们认为,以往Mo和W材料在几keV以下的背散射系数实验数据存在的大偏差主要是由实验样品表面污染导致的。这些表面污染使得几keV以下的背散射系数实验数据比无污染时数值更小。我们详细分析了不同厚度的无定形态C、水、PMMA薄膜对衬底Mo和W材料背散射系数的影响。此外,我们进行了不确定度分析,以证实当前计算结果和结论的可靠性。我们提出了一种新方法用于清晰地分离电子能谱中表面激发、体激发、begrenzungs效应组分。通过使用此方法,可以详细分析电子能谱中不同组分的贡献。该方法首次对begrenzungs效应进行了定量研究,预期能为后续begrenzungs效应的详细研究提供有效的分析手段。我们以Si材料5keV的REELS能谱为例进行定量分析,展示了该方法的有效性。我们的工作证明,由于表面效应的局域性,在Si材料REELS能谱的表面激发组分中,单次散射占主要贡献,电子不发生体激发而发生多次表面激发的概率随着表面激发次数的增加而迅速减小。本分析清楚地表明,由于表面效应的深度依赖性,电子的最终碰撞顺序取决于轨迹。这项工作将REELS能谱的定量分析方法扩展到更详细,更准确的领域。（第五章5.2小节、第六章6.1小节）粒子输运研究中的负截面问题多年以来一直困扰着科学家们。负截面的出现意味着在粒子输运研究中必须要考虑粒子与材料相互作用时的负概率。我们以电子为例,详细地分析了电子与材料表面相互作用时微分非弹性散射截面（DI-IMFP）中出现负值的原因。我们认为,这些负值源于电子在表面附近运动时产生的尾波效应。介质对运动电子的响应产生的尾波势本身是振荡存在的,这一尾波势在材料内部中并不占主要贡献而是当作微扰。但是在真空中,该振荡的尾波势将会使得DIIMFP也以振荡的形式存在并出现负值。更加有趣的是,我们还发现,对于begrenzungs项中也存在振荡的现象,begrenzungs项对应的DIIMFP在某些区域存在正值。这与传统的认知完全不同。我们的结果表明,当前对于begrenzungs效应的认识过于简单过于片面。begrenzungs效应不能简单地理解为对材料中体等离激元的抑制,其对（z,ω）空间中的不同区域具有不同的效果,既存在抑制也存在加强,且整体呈现为对体等离激元激发的抑制效果。我们由此发展了针对负概率的抽样方法。传统方法并不能对DIIMFP进行“正确的”抽样,在（z,ω）空间中总有一些区域无法被兼顾,而该负概率抽样方案可以很好地处理DIIMFP中出现的负值。尽管DIIMFP中的负值对能谱的影响是微弱的,但该方案能够正确地描述电子与表面相互作用的物理过程,对后续高精度的电子-表面相互作用定量分析、电子-表面相互作用机理研究具有重要意义。（第六章6.2小节）
杨栋超[2]（2020）在《铁磁过渡金属中的自旋Seebeck效应研究》文中研究说明自从巨磁电阻器件广泛应用之后,电子自旋的巨大潜力引起了研究者们的广泛兴趣。将自旋作为载体实现高性能、低功耗的信息存储和运算设备是人们的美好愿景。自旋流的产生、输运与探测仍是自旋电子学研究的热点。2008年,Uchida采用热驱动自旋注入的方法实现的自旋输运过程吸引了大家的目光,它开启了热自旋长程输运与探测的浪潮。在磁性层/重金属双层膜中,纵向热流驱动磁性层中的自旋流注入到重金属层,由于重金属的强自旋轨道耦合作用被转化为电荷流而被探测到的过程,被称为纵向自旋Seebeck效应（LSSE）。但对于磁性层为铁磁金属（FM）的体系,实验探测上存在寄生信号干扰和薄膜上温差测量不准的问题,定量确定铁磁金属的自旋Seebeck系数是一项挑战。在本文中我们逐一分析各个干扰信号,并矫正薄膜上的温差尝试解决该问题,研究了几种铁磁金属中的热自旋输运特性,主要分为以下四个方面:第一章:介绍了自旋电子学以及热自旋电子学的兴起与实验进展,阐明了铁磁金属中自旋Seebeck效应（SSE）的实验困难和我们即将开展的工作。第二章:介绍样品的制备和测试方案,着重介绍了两种自我改装的加温结构。第三章:本章中我们定量研究了FM/Pt体系中的LSSE,其中FM分别为Fe,Co,Ni和Ni80Fe20。根据并联电流源模型,通过比较单层FM与双层FM/Pt的热电电流从而扣除异常Nernst效应（ANE）。根据热自旋输运模型,分离出FM自身逆自旋霍尔效应（ISHE）,我们发现FM中的ISHE与Pt中的ISHE有相比拟的量级。针对温差测量困难,采用热通量法估算薄膜上的温差,再通过横向加温结构的测量值校准薄膜上温差。从而,我们测得在90 K至300 K的温度范围内Fe,Co,Ni和Ni80Fe20的自旋Seebeck系数。值得注意的是,我们发现Ni具有与其他三种金属异号的SSE系数。进一步地,实验上我们联合常规Seebeck系数和SSE系数,从实验上得到了自旋相关Seebeck系数↑和↓,它们的实验值与态密度的计算结果大致吻合,这揭示了铁磁金属的热自旋输运特性与其电子结构的密切联系。第四章:基于铁磁金属中热自旋输运特性与其电子结构的密切关系。我们在Ni中掺杂Cr使费米能级位置的态密度发生扭曲,以实现对SSE系数的连续调控或增强SSE系数的目的。尽管我们得到的SSE信号含有FM的ISHE干扰,但依然反映SSE的大致规律,表现出和态密度计算结果的一致性。当掺杂量为1.6%附近时,NiCr合金的SSE相关系数会出现一个峰值,随着掺杂量的增加,SSE相关系数逐渐减小,这与态密度计算预测的相一致。
刘瑛[3]（2019）在《洁净石墨烯振子制备、特性与微吸附检测研究》文中研究表明石墨烯作为原子级厚度超轻薄材料,具有极高机械强度、优异的电学性能和超大比表面积,对环境物理参量涨落异常敏感,被学界称作“魔法材料”、“与生俱来的超灵敏感知材料”,为传感领域提供了新的基础材料方案。石墨烯振子微吸附检测是当前研究的前沿与热点。为提高石墨烯振子微吸附检测能力,本文针对高质量石墨烯振子制备难、微吸附谐振检测可能失效等问题,从洁净石墨烯振子制备和评估出发,应用1/f噪声理论,分析石墨烯1/f噪声特性,引入1/f噪声作为新的检测手段,提出基于1/f噪声的石墨烯振子微吸附检测技术和1/f噪声-谐振联合检测方法,解决谐振检测失效下吸附物检测问题。论文的主要研究内容包括:（1）石墨烯振子制备技术研究针对石墨烯振子制备效率低、成品率低等问题,基于LOR基底解理石墨烯振子制备工艺,设计了新的基于LOR基底CVD石墨烯振子制备工艺流程;提出了一种CVD石墨烯干法转移方法,通过控制黏贴与基底分离速度,实现了大面积CVD石墨烯和隔离散布CVD石墨烯的可控转移,分别适用于石墨烯振子规模化制备和实验室小批量制备;通过曝光显影试验优化了PMMA、LOR电子束曝光显影关键参数;结合Corbino石墨烯振子制备阐述了具体的工艺过程和工艺参数,实现了Corbino石墨烯振子和带状石墨烯振子的高效制备。（2）石墨烯振子清洁与洁净度评估针对制备工艺污染石墨烯振子问题,阐述了石墨烯振子过电流退火技术的原理、实施环境以及具体实施过程,通过过电流退火实现了石墨烯振子的清洁;分析了退火过程中石墨烯场效应特性曲线上呈现的典型p掺杂、异常n掺杂及其迁移现象,揭示了PMMA非p掺杂属性,分析推断石墨烯n掺杂可能源自于PMMA热解所产生的H2+基团和碳氢基团吸附;在此基础上,进一步梳理了石墨烯振子中石墨烯在不同工艺阶段的掺杂机理,分析了掺杂的演化以及消除过程;结合石墨烯弹道输运特性,采用三种洁净度评估方法评估了石墨烯振子的洁净度,评估结果表明,退火后,石墨烯振子高度清洁,进入弹道输运且出现FP共振现象。（3）石墨烯振子微吸附检测失效问题分析针对石墨烯振子微吸附谐振检测失效的根源,分析了石墨烯振子表面微吸附物滑移重布问题,通过薄膜理论建立了Corbino石墨烯振子动力学模型,通过有限元建模仿真软件建立了Corbino石墨烯振子有限元仿真模型,基于动力学模型的理论分析与基于有限元模型的仿真分析共同研究了Corbino石墨烯振子谐振特性以及微吸附频移特性,包括微吸附质量大小、分布位置对频移的影响。研究结果表明,Corbino石墨烯振子表面微吸附将向靠近电极的石墨烯边缘区域或者石墨烯薄膜模态振型的驻点滑移重布,滑移重布区域与石墨烯振子谐振检测死区重合,滑移重布后微吸附谐振检测将失效。（4）石墨烯1/f噪声特性研究针对1/f噪声在微吸附检测方面的潜在能力,分析了基于热激发隧穿的石墨烯载流子数涨落噪声机理和基于散射截面随机跃迁的石墨烯迁移率涨落噪声机理;设计了一种石墨烯/h-BN隧穿晶体管,提出了基于h-BN缺陷量子点的噪声检测方法,实现了石墨烯/h-BN隧穿晶体管中电子随机隧穿行为及1/f噪声的检测和分析;针对石墨烯1/f噪声特性不明问题,利用洁净悬浮石墨烯检验了石墨烯本征1/f噪声,实验研究了石墨烯本征1/f噪声特性,研究发现,本征1/f噪声栅极调控特征谱型呈现受偏置电压调控、且在电导FP共振峰处出现相关谱峰的特点;洁净悬浮石墨烯外部1/f噪声受到抑制,仅与本征1/f噪声水平相当;本征1/f噪声易出现洛伦兹鼓包。（5）石墨烯振子微吸附1/f噪声-谐振检测技术研究针对微吸附谐振检测失效问题,提出了基于1/f噪声的石墨烯振子微吸附检测方法,涵盖了对有洛伦兹鼓包和无明显洛伦兹鼓包两种情况的检测;采用有洛伦兹鼓包方式进行了单一Ne气微吸附检测,采用无洛伦兹鼓包方式进行了混合气体微吸附检测,分析了相应的微吸附检测灵敏度,验证了方法的有效性;针对微吸附分布位置如何确定问题,提出了微吸附1/f-谐振联合检测方法,分析了FM Mixing谐振测试技术原理,优化了谐振检测参数,并进行了Corbino石墨烯振子微吸附联合检测,实验结果表明,1/f噪声检测指示了微吸附的存在,1/f噪声-谐振联合检测可以确定微吸附的分布位置。
范小华[4]（2019）在《利用BUU模型研究核物质对称能与原子核类气泡结构》文中指出对称能及其密度依赖性表征着非对称核物质方程的同位旋相关矢量部分,对不稳定核的结构和反应,中子星的结构组分和冷却演化有着非常重要的影响;核子密度分布是原子核结构的最基本的特征之一,由于核力和量子多体系统的复杂性,它可以有一个非典型的形式——类气泡结构。本文利用BUU输运模型研究了核物质对称能的密度依赖性以及原子核的类气泡结构,提出了在高密区间对称能敏感的观测量和利用高能质子探测气泡结构的方法。基于Boltzmann-Uehling-Uhlenbeck（BUU）输运模型,我们充分考虑了模型的同位旋相关性,包括同位旋相关的核子坐标空间和动量空间的初始化、核子-核子散射截面、单粒子势、泡利阻塞等。为了减小统计误差,在每次核反应的模拟中,事件数都达到百万计以稳定分析结果。在BUU框架下,我们模拟了不同能量和不同碰撞参数下的核反应132Sn+124Sn和197Au+197Au,研究了对称能敏感观测量的有效密度范围:在每核子入射能量为0.3 GeV的132Sn+124Sn的中心碰撞中,对称能敏感观测量自由核子中质比n/p只可以探测1.5倍饱和密度以下的对称能,特别是在饱和密度附近区域极其敏感;在半中心132Sn+124Sn碰撞中,当入射能量由0.3 GeV/u增加到0.6GeV/u时,核子椭圆流的对称能敏感区域从低密度区域过度为高密度区域;在入射能量为0.6 GeV/u 197Au+197Au的半中心碰撞中,核子横向流和椭圆流对对称能的高密度行为更为敏感。结果表明在重质量反应体系和较高入射能量的核反应中的核子观测量更适合用来探测对称能的高密行为。基于BUU输运模型,我们模拟了能量为0.8 GeV的高能质子与假想原子核48Si的中心碰撞,研究发现原子核的气泡结构可以用高能质子探测。在束流方向,当靶核有类气泡结构时比靶核没有气泡结构时穿过靶核的高能质子更多;但是,在与束流方向有一定夹角的出射方向,从气泡结构的靶核中散射出来的高能质子更少;并且,出射质子能量变高,气泡效应增强。结果表明,用能量为0.8GeV的质子轰击靶核,出射的高能质子的角度分布可以作为探测靶核气泡结构的探针,这是一种探测原子核中气泡结构的新方法。本研究也可用于探测其他一些潜在的气泡核。
杜华荣[5]（2017）在《托卡马克等离子体中离子回旋尺度漂移波不稳定性的研究》文中研究指明托卡马克是目前实现可控核聚变从而解决能源危机与环境问题最有希望的磁约束聚变装置之一。在托卡马克实验中观测到的粒子、能量及动量输运都远大于经典（包含新经典）理论的预测值,人们称这种无法用碰撞理论解释的输运现象为反常输运。托卡马克等离子体中微观漂移波不稳定性驱动的湍流被普遍认为是引起反常输运的主要贡献者。大量研究表明,属于离子拉莫尔回旋半径尺度的漂移波不稳定性主要有离子温度梯度模（Ion Temperature Gradient mode,ITG 模）和捕获电子模（Trapped Electron Mode,TEM）。因此阐明这两种不稳定性的物理性质,探索控制它们的手段,对理解等离子体的基本行为和先进磁约束聚变研究都具有重要意义。经过几十年的发展,回旋动理学模拟已经成为研究托卡马克等离子体中微观不稳定性及湍动输运的主要工具。本论文应用回旋动理学理论及数值代码,系统地研究了托卡马克含杂质等离子体中的ITG模和TEM,等离子体形变效应对ITG模不稳定性的影响,以及中空密度分布下ITG模和TEM的特性。本论文研究内容对于理解湍动输运的物理机制以及微观不稳定性的控制有很大的帮助,并为改善等离子体的约束性能提供重要依据。论文的基本结构和主要研究内容总结如下:第一章,简要介绍本论文的研究背景和科学意义,概述托卡马克等离子体中微观不稳定性的基本性质以及反常输运、离子温度梯度模和捕获电子模的研究现状。采用s-α局域平衡模型,基于回旋动理学理论,给出描述托卡马克等离子体中微观漂移波色散关系的积分本征方程,介绍相应的回旋动理学局域积分本征值程序HD7。第二章,采用s-α局域平衡模型,利用HD7代码数值研究杂质离子对TEM的影响,并分析不同背景等离子体参数下TEM和ITG模的耦合、TEM和杂质模的耦合。结果发现,杂质离子对TEM的影响不仅依赖杂质离子密度梯度（▽nz）,还取决于离子温度梯度（▽Ti）、电子温度梯度（▽Te）及电子密度梯度（▽ne）等参数。随着▽nz/▽ne（从正到负）减小,电子密度梯度驱动的TEM（▽ne-TEM）增长率逐渐增加,而电子温度梯度驱动的TEM（VTe-TEM）增长率逐渐减小。在较大的▽Te/▽ne区间,即使轻杂质离子▽nz足够大,其去稳效应逐渐减弱甚至致稳▽Te-TEM。另外,在适中/较小的▽ne区间并且▽nz/▽ne<0时,依赖于其他等离子体参数,分别沿离子和电子抗磁漂移方向旋转的离子模和TEM可以同时存在;▽ne较大时,离子模和TEM的强耦合效应只能驱动一支不稳定性。此外,在各个参数区间,相比轻杂质,重杂质钨容易对漂移波不稳定性具有明显的致稳效应。第三章,采用Miller局域平衡模型,推导托卡马克非圆截面等离子体中微观不稳定性的回旋动理学积分本征方程,并改善计算代码HD7。通过调节杂质离子及背景等离子体参数,进而研究非圆截面含杂质等离子体中的ITG模。研究表明等离子体拉长比k对ITG模的影响主要取决于电子密度梯度▽n。以及极向波数kθρs:κ对长波长ITG模具有较强的抑制作用;▽ne较小时,适中（较大）的κ可以使SWITG（短波长ITG,Short Wavelength ITG）模变得更不稳定（稳定）;▽n。较大时,κ始终致稳SWITG模。另外,经过分析我们得知非圆截面等离子体中,杂质对ITG模的影响主要依赖杂质离子密度梯度Vnz、质量mz及电荷数Z。和主离子密度梯度方向一致（相反）的高电离态轻杂质离子对ITG模具有较强的致稳（去稳）效应,而与主离子密度梯度方向相反的重杂质钨仍可以有效的致稳ITG模。最后,临界杂质离子密度梯度▽nzc随κ及其径向导数sκ的增加而增加,说明杂质模在非圆位型等离子体中较难被激发。第四章,利用回旋动理学局域积分本征代码HD7和全域初始值粒子模拟代码gKPSP,研究中空密度分布下（R/Ln=-R▽n/n<0）ITG模和TEM的性质。局域结果表明在（▽Ti,▽Te）平面上可以得到四个区间,即“TEM不稳定”、“ITG模不稳定”、“TEM和ITG模同时不稳定”及“稳定”区间。在（▽n,▽T）平面上对应三个区间:“TEM不稳定”或者“ITG模不稳定”、“TEM和ITG模同时不稳定”及“稳定”区间。随着-R/Ln的增加,稳定区间逐渐增加。ITG模对电子与离子温度比Te/Ti的依赖关系取决于▽n,-R/Ln较大（适中或者较小）时,ITG模临界温度梯度特征长度R/LTic随Te/Ti增加而增加（减小）。TEM主要是由▽Te驱动,▽Ti对TEM具有明显的抑制作用,并且Te/Ti的增加可以减小TEM的增长率,即TEM在热离子等离子体中波谱结构比较宽、更加不稳定。在聚变反应堆的条件下（Te/Ti～1）,kθρs～1是ITG模和TEM占主导区间的分界线。此外,通过全域模拟发现在非单调密度剖面情况下,ITG模和TEM都可以出现在正、负密度梯度区域分别沿着不同方向旋转的双峰本征模结构。此外,R/Ln～0时,ITG模呈现的是非常规气球模结构。最后一章,总结本论文研究工作并提出工作展望。
王鹏[6]（2017）在《金纳米颗粒宏观连续组装膜的导电性质及局域表面激元的研究》文中研究说明金纳米颗粒具有良好的生物相容性、电学和光学性质,因而在生物材料研究领域受到越来越多的重视。随着金纳米颗粒在生物医学应用领域中的拓展,研究金纳米颗粒特定组装结构及性质就成为了一个关键问题,有望在体内新型生物电子微纳器件的开发中发挥重要作用,本论文围绕金纳米颗粒的宏观均匀致密膜的组装及电磁学性质开展了如下工作:首先使用柠檬酸钠还原的方法合成了单分散性好,粒径均一,重复性好的金纳米颗粒。然后利用层层自组装的方法构建了不同层数的金纳米颗粒膜。交流阻抗测量发现随着组装层数的增加,其表面阻抗性质会发生显着的变化。通过温度依赖的电输运测量表明,金纳米颗粒多层组装膜的电子传导由愈渗模型和hopping模型共同决定。因此金纳米颗粒膜在交变磁场中会由于涡流效应从而产生焦耳热,产热量可以通过膜表面电导率、作用面积、交变磁场频率等进行调控。进一步将金纳米颗粒膜置入载有药物的水凝胶中,发现交变磁场可以通过磁热效应对药物释放进行控制。由于交变磁场具有穿透深部组织的特性,研究金纳米颗粒膜在交变磁场下发热的特性将会大大拓展金纳米颗粒热效应在体内的应用。接着,通过结构变换,用层层自组装的方法构成螺旋状的金纳米颗粒超材料薄膜。经测量发现其在微波频段下有一个明显的谐振峰,通过对比发现,该谐振峰和宏观金属或溅射方法构成的螺旋状超材料产生的谐振峰有明显的差异,表明金纳米颗粒构成的超材料结构和原子直接堆积构成的超材料结构是有显着差异的。在此基础上,进一步研究了不同弯曲程度的螺旋状超材料薄膜的微波共振性质,结果发现其弯曲角度和谐振峰的位置呈现明显的正相关,研究螺旋状纳米颗粒超材料在微波频段的电磁响应与组装结构之间的关系,探索基于纳米材料的特殊电磁学性质对宏观微波共振现象的调控作用,为将来新型生物材料的开发奠定了一定的工作基础。本论文聚焦于组装导致的金纳米颗粒集体导电性质的变化,研究了组装结构在中低频和高频电磁场下的响应,为将来基于金纳米颗粒组装的生物医学应用提供了一定的基础。
杜珺[7]（2017）在《可燃薄片制备及其红外毫米波特性研究》文中指出以Mg-PTFE-Viton为主要组分的红外诱饵剂（简称MTV）制成的药柱通过燃烧产生强烈的红外辐射能够模拟目标用来对抗红外制导武器,但随着红外-毫米波复合制导武器的出现,MTV诱饵药剂由于燃烧温度高、辐射光谱特性与真实目标差异较大等问题,已难以有效对抗新型制导武器。本课题根据烟火辐射、毫米波散射相关理论,采用以金属薄片为基底,一侧表面复合红外烟火药剂制备可燃薄片的方法,通过红外烟火药剂配方和薄片设计,降低其燃烧温度、改善光谱分布特征,研究可燃薄片燃烧产生的红外辐射性能、毫米波性能以及其应用技术等。基于烟火药剂的红外辐射特性及金属薄片的毫米波散射特性,开展了可燃薄片制备工艺的研究。采用垂直喷射法、粘性附着法、外力扩散法以及重力沉积法制备可燃薄片,结果显示重力沉积法制备的可燃薄片牢固、药剂分布均匀、厚度可控。在此基础上研究了烟火药剂量、可燃薄片尺寸等工艺参数对可燃薄片成型、燃烧及其红外辐射性能的影响,确定在1Ocm×1Ocm的基底上复合10g烟火药剂制成的可燃薄片效果较好。基于MTV药剂具有强红外辐射的特点,通过调整其组分种类、粒径、配比等,研究药剂成分变化对可燃薄片燃烧及辐射性能的影响。利用SC7000远红外热像仪测试可燃薄片的燃烧温度、辐射亮度、辐射面积等燃烧及辐射性能,同时利用OPAG33遥感傅里叶变换红外光谱仪测试可燃薄片红外光谱分布,筛选出48%RF型PTFE、52%150-200目P型Mg粉以及10%Viton作为可燃薄片红外烟火药剂的基础配方。通过对烟火辐射理论的研究分析,提出了在基础配方中添加EG、铝热剂、LH从而降低燃烧温度、增加具有中、远红外强辐射燃烧产物来改善可燃薄片光谱分布的方法。借助SC7000和OPAG33研究可燃薄片红外辐射性能,结果显示,添加具有吸热阻燃作用的EG后可燃薄片燃烧温度降低了 20-29%,辐射向3-5μm波段偏移;同时利用傅里叶红外光谱仪测试可知,添加铝热剂、LH后可燃薄片燃烧气、固产物具有中、远红外辐射峰,能显着提高可燃薄片中、远红外波段辐射。根据毫米波散射理论,借助三毫米波雷达散射截面积测量雷达研究可燃薄片毫米波散射性能,以期获得具有合适毫米波散射特性的可燃薄片材料。结果显示,随可燃薄片金属基底导电性提高其雷达散射截面增大;随基底面积增大,雷达散射截面先迅速增大后趋于稳定;对比等面积圆形、方形、一头沉菱形及尾翼型基底雷达截面知,尾翼型RCS值最大,达1.208m2;烟火药剂会大幅降低基底毫米波散射性能（降幅80%）,通过添加耐高温CF材料可显着提高可燃薄片药剂面毫米波散射性能,且随其含量增加雷达截面线性增大。通过抛撒方式试验可燃薄片点火、分散、燃烧及辐射性能,结果显示抛出后辐射面积逐渐增大至1.88s时达到极大值10.95m2,而辐射温度在0.88s时达到极大值732.30℃;对比不同可燃薄片装填数量、形状、单个可燃薄片与辐射云间的关系发现影响辐射云燃烧及辐射性能的主要因素为烟火药剂量、可燃薄片数量及单个可燃薄片燃烧及辐射性能。
曾燕萍[8]（2016）在《纳米结构铁磁—非磁复合薄膜的制备、磁性和和磁电输运特性研究》文中研究说明磁电阻材料在磁感应、磁记录等领域都获得了广泛的应用。由磁性金属与非磁性基体材料组成的复合体系由于丰富的界面效应,具有特殊的磁性和电子输运特性。尽管磁性金属/非磁性基体薄膜的室温磁电阻效应已有大量研究,但是对其电子输运特性尚没有一个统一的认识,对于如何进一步提高磁电阻的数值和磁电阻效应的产生机制等有待进一步探究。研究表明,添加Fe、Co、Ni等磁性金属元素到碳基及硅基等非磁性基质中形成的纳米复合薄膜材料,不仅导电性质可以随添加量变化,而且表现出可以调控的大的磁电阻效应。因此,掌握复合膜中金属磁性元素对非磁性基薄膜材料结构与载流子迁移率等特性的影响规律,理解其磁电阻效应产生机理,有利于推动高性能、低成本的碳材料及硅材料等在电子信息领域的广泛应用,具有重要的科学意义和实用价值。本论文工作通过在多种非磁基体（窄禁带半导体SiN、宽禁带氧化物半导体ZnO、非晶C、绝缘体MgO）中掺杂过渡族元素（主要是高自旋极化率的FeCo）,研究成分和结构对磁电性能的影响。论文采用溅射沉积技术制备了具有室温铁磁性的铁磁/非磁颗粒膜或多层膜的纳米复合材料。用X射线衍射、透射电镜、X射线光电子能谱、原子力与磁力显微镜等观察和分析其结构和物相。利用物理性能综合测试系统测量薄膜的磁性、电性和磁电输运性质。主要研究内容与结论如下:首先,用反应磁控溅射沉积制备了FeCo-Si-N复合薄膜,在室温沉积的条件下成功获得FeCo颗粒分布在Si-N基体中的纳米颗粒膜;用电子显微分析和磁力显微分析清晰表征出其结构特征和磁性特征;系统研究了FeCo-Si-N薄膜的磁电输运特性,在室温获得了大的正磁电阻,磁电阻在宽的磁场区间内随磁场呈线性变化。通过磁性测量和磁电阻随成分的变化关系分析,间接判断出颗粒内的磁畴结构,得到了获得最大磁电阻所需的结构特征和规律;研究了温度对薄膜磁电阻的影响,发现低温下样品的电子输运机制为隧穿导电,表现为隧道负磁电阻。在磁性FeCo纳米颗粒截止温度附近,正负磁电阻效应发生转变,表明该磁电阻与磁矩的排列有关。结果表明,薄膜大的室温正磁电阻既有轨道效应的影响,也有自旋效应的影响。其次,制备了FeCo-ZnO纳米颗粒薄膜并研究了磁电性能。发现溅射功率对FeCo-ZnO薄膜的影响很大。对于较低溅射功率制备的薄膜,FeCo不以零价的金属态出现,没有FeCo团簇,表现为正的磁电阻效应,并且磁电阻几乎不受成分和厚度的影响,表明该正磁电阻与磁性的相关性小,极有可能来源于轨道效应而不是自旋效应。薄膜在220 K的磁电阻高达350%,这种正磁电阻值随温度急剧变化的表现说明该磁电阻效应与声子的散射有关。而对于较高溅射功率下制备的薄膜,Fe、Co以零价的金属态存在,薄膜具有超顺磁性。在较厚的样品中出现负磁电阻效应,可能来源于FeCo团簇产生的隧穿磁电阻。此外,制备了FeCo与非晶碳复合的不同周期数的[C/FeCo]n多层复合薄膜,研究了结构和磁电性能。结果表明,随着周期数增加,磁电阻MR由正值变为负值。正磁电阻的大小与磁场成线性关系,而且在高场下也没有饱和。通过薄膜电阻率随温度的变化行为研究了薄膜的传导机制。对周期数不同的样品的变程跃迁ln R--1/2与ln R--1/4曲线的拟合显示,低温下都属于Efros变程跃迁,因此磁电阻为负,但在高温下,周期数少的薄膜由于热激活不再是变程跃迁导电机制,磁电阻也转变为正值;而周期数多的样品由于界面和碳化物等缺陷的增加导致其局域化程度较强,即使温度升高也依然是变程跃迁,磁电阻保持为负值。研究表明,在2-300 K范围内传导机制的转变导致了磁电阻的转变,证实传导机制确实对磁电阻起着关键作用。最后,论文探索了FePt/C和FePt/MgO铁磁-非磁复合膜的磁电输运性能及其在垂直磁记录介质方面的潜力。采用共溅射沉积的方法制备了FePt-C和MgO/[FePt-MgO]薄膜。利用C、MgO与FePt不互溶特性,在FePt颗粒间获得C和MgO隔离物。研究了成分、退火温度对FePt-C和FePt-MgO颗粒膜结构和磁性能的影响。发现需要合适的隔离物含量以获得较大的矫顽力。提高退火温度有助于薄膜内部FePt相的形成,从而获得较大的矫顽力;但是,温度过高会使薄膜的质量遭到破坏,反而降低了矫顽力。此外,在FePt-C和FePt-MgO颗粒膜中还获得了一定的磁电阻效应,分析了磁电阻的产生机制。综上所述,本文采用磁控溅射沉积技术制备了铁磁/非磁纳米复合薄膜,在FeCo-Si-N、FeCo-ZnO和FeCo/C薄膜中获得了较大的室温磁电阻效应,并且通过结合其结构、磁性、正负磁电阻的转变和电阻的温度变化关系等的分析,研究了薄膜的输运机制和磁电阻机制,对铁磁-半导体复合膜中的自旋相关输运有进一步的认识。针对FePt-C和FePt-MgO颗粒膜,探索了其磁电阻效应,同时研究了成分、退火工艺等对其结构和磁性能的影响,这些工作对自旋电子学的发展和自旋电子学器件的开发以及新的磁记录介质材料开发具有一定的借鉴意义。
郭文梅[9]（2016）在《利用重离子碰撞研究对称能的高密行为》文中研究指明非对称核物质状态方程（特别是对称能的高密行为）的研究是当前核物理领域的热点之一,这一研究对于认识和理解核物理与核天体物理中许多物理问题和物理现象至关重要。重离子碰撞是目前实验室内可以形成高密非对称核物质从而用于研究对称能高密行为的唯一手段。由于实验上不能直接测量对称能,人们需要利用输运理论模型模拟重离子碰撞过程并与相应的实验观测量进行比较来间接提取对称能密度依赖性的相关信息。目前,中国、美国、德国、日本等国家的各大重离子实验室都将非对称核物质性质以及对称能高密行为的研究作为主要的物理目标。本论文在同位旋依赖的Boltzmann-Uehling-Uhlenbeck（IBUU）模型和极端相对论量子分子动力学（UrQMD）模型理论框架内,通过系统模拟中能重离子碰撞过程,研究了对称能的各种灵敏观测量,得到了一些有价值的结果,主要包括:研究并指出了π-/π+比、自由核子发射n/p比、质子和中子的集体流、中子-质子微分横向流等常用的对称能敏感观测量的模型依赖性;研究了高密对称能对核子的同位旋相分化的影响,提出高动能核子的正常和反常同位旋相分化可以作为模型无关的对称能高密行为的定性探针;讨论了介质中核子-核子弹性散射截面对域下π介子发射的影响,结果表明:具有相同质量数的丰中子系统和缺中子系统的π-/π+的双比可以消除介质中核子-核子弹性散射截面效应,而保留对称能效应;研究了π势对重离子碰撞中π介子发射的影响,结果表明:在较低束流能量下,由于π势的作用,对称能对π-/π+比的影响会减小;还进一步研究了?共振态势对π-/π+比和预平衡发射核子n/p比的影响,结果表明:?共振态势对预平衡发射核子n/p比几乎没有影响,而对π-/π+比有轻微的影响,而且,在采用软的对称能时,可以用核子的同位旋标量势代替?共振态势,从而避免??π反应道的能量不守恒问题。
李钢贤（Ri Kang Hyon）[10]（2011）在《AZO透明导电薄膜载流子输运机制及特性研究》文中研究表明透明导电薄膜已广泛用于太阳能电池、平板显示和触摸屏等的透明导电电极,且其需求日益增大。Al掺杂ZnO（简称AZO）透明导电薄膜因其优异的光电学性能、丰富廉价的原材料来源以及环境友好等特点引起了业界的特别关注,被公认为是取代Sn掺杂In203（简称ITO）透明导电薄膜材料的最佳候选者。目前,为了更改善其电学及光学性能,人们正在对它进行实验和理论方面的深入研究。本论文围绕对AZO薄膜中载流子输运机制和相关物理特性的问题,开展了如下研究工作。深入研究了AZO薄膜晶界处载流子输运机制有关的两种效应,即热电子发射效应和隧道效应,并扩展了已有的相关理论模型。为了克服针对热电子发射效应的已有理论模型的缺陷,采用Fermi-Dirac统计分布重新研究载流子输运特性,推导出了与热电子发射机制相关的载流子迁移率关系式。为了完善解释隧道效应对晶界处载流子输运的影响,对隧道效应有关的积分方程进行了修正,得到更为更简单的积分方程式。根据推导出来的迁移率理论模型研究了各种环境下制备的AZO薄膜中载流子输运特性。在对各种薄膜样品的载流子浓度和迁移率进行测试的基础上,评价了电离杂质散射和晶界散射对载流子输运的影响。结果表明,迁移率实验测量值随载流子浓度的变化趋势与电离杂质散射相关的迁移率随载流子浓度的变化趋势相反。这说明对载流子输运特性的影响因素中,晶界散射要比电离杂质散射占优势。根据本研究得到的热电子发射和隧道效应相关的迁移率模型,进一步解释了晶界散射对载流子输运特性的影响。其结果表明随着费米能级因载流子浓度的增大而上升,势垒高度一起上升,但激活能基本上不变,仅仅在180～240 meV范围内变动而已,晶界处载流子输运特性主要由隧道效应决定。根据实验工艺条件对薄膜质量和晶界缺陷的实际影响,分析了晶界缺陷能级填充状态。据此得出AZO薄膜的晶界缺陷处于由载流子部分填充的状态,影响势垒高度的缺陷能级位于导带底以下180～240 meV处。这与一些文献报道的缺陷能级位置差不多。研究了不同的衬底温度和不同的薄膜厚度对AZO薄膜微观结构和电学特性的影响,并解释了其机制与薄膜生长过程的关系。无论衬底温度是100℃还是350℃,晶粒尺寸和残留应力都随薄膜厚度的增加同时增加。X射线光电子能谱分析显示出吸附在晶界的氧原子和析出在晶界处的A1203和ZnAl2O4随薄膜厚度增加或者衬底温度增加而减少,尤其是A1氧化物的析出物显着减少,而薄膜内纤锌矿结构的ZnO成分增加。AZO薄膜的载流子浓度随薄膜厚度和衬底温度的变化主要与析出在晶界的Al氧化物有关的。本试验中得到的样品载流子迁移率主要由晶界状态所决定。研究了玻璃基Si02阻挡层对AZO薄膜性能的影响。200℃下制备薄膜时,载玻片上的Si02阻挡层对AZO薄膜电学性能的影响不明显,但在350℃下制备薄膜时Si02阻挡层对AZO薄膜电学性能显示出明显的影响。通过引入Si02阻挡层,载玻片上制备的AZO薄膜载流子浓度和迁移率明显提高。在400℃温度下形成的Si02阻挡层对Na扩散的阻止作用与在不加热状态下形成的Si02阻挡层相比强一些；载流子浓度和迁移率随衬底种类的变化原因在于薄膜内缺陷（晶粒内替代Na原子和析出在晶界的Na、Al等的化合物）。研究了氢和氧气氛对AZO薄膜微观结构、电学及光学特性。无论在100℃温度下还是400℃下制备薄膜,晶粒尺寸随H2气流量增加而下降,但400℃下制备时晶粒尺寸随H2气流量的下降速率快一些。此原因根据H原子的还原作用可以解释；晶粒尺寸随02气流量的增加而增加,但在一定流量之后下降。这些变化可由薄膜内O和Zn原子的比率来解释；对100℃衬底温度下制备的AZO薄膜,掺H2气时,当H2流量未能达某一流量值之前,载流子浓度和迁移率一直会增加,但过剩的H原子导致电学性能的劣化。对400℃衬底温度下制备的AZO薄膜,掺H2气时,载流子浓度和迁移率都下降。这是与H原子高温下还原作用增加有关；02气掺杂时,薄膜电学性能因Al氧化物的形成以及晶界缺陷的增加而劣化。
二、溅射输运理论中的经典散射截面（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、溅射输运理论中的经典散射截面（论文提纲范文）
（1）电子在材料中的非弹性散射平均自由程的理论研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 电子非弹性平均自由程(IMFP)及其在定量表面分析中的应用 |
| 1.1.1 IMFP |
| 1.1.2 IMFP在定量表面分析中的应用 |
| 1.2 IMFP的获得方法 |
| 1.2.1 预测公式用于计算IMFP |
| 1.2.2 IMFP的理论计算 |
| 1.2.3 IMFP的实验获得 |
| 1.2.4 实验获得IMFP中的问题 |
| 1.3 本章小结 |
| 第2章 电子散射理论及电子能谱的Monte Carlo模拟 |
| 2.1 弹性散射理论 |
| 2.1.1 Mott截面 |
| 2.1.2 弹性散射势场 |
| 2.1.3 电子发生弹性散射的总截面及输运截面 |
| 2.2 非弹性散射理论 |
| 2.2.1 介电函数理论 |
| 2.2.2 表面等离激元激发 |
| 2.3 能量损失函数(ELF)的外推方法 |
| 2.3.1 Full-Pen算法与单极近似 |
| 2.3.2 Ritchie-Howie方法及其简化方法 |
| 2.3.3 不同ELF外推方法的比较 |
| 2.4 电子能谱的Monte Carlo模拟 |
| 2.4.1 电子在材料内部输运的Monte Carlo方法模拟 |
| 2.4.2 电子在样品表面输运的Monte Carlo方法模拟 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 逆Monte Carlo(RMC)方法从反射电子能量损失谱(REELS)实验数据中提取IMFP |
| 3.1 研究现状 |
| 3.2 RMC方法的原理 |
| 3.3 对过渡金属材料Cr、Co、Pd的再分析 |
| 3.3.1 相比之前方法的改进 |
| 3.3.2 光学ELF、介电函数、光学常数的提取 |
| 3.3.3 求和规则检验 |
| 3.3.4 IMFP的计算 |
| 3.4 对重金属Ir (Z=77)的分析 |
| 3.4.1 研究背景 |
| 3.4.2 光学ELF、介电函数、光学常数的提取 |
| 3.4.3 求和规则检验 |
| 3.4.4 IMFP的计算 |
| 3.5 对轻元素无定形态C(Z=6)的分析 |
| 3.5.1 研究背景 |
| 3.5.2 光学ELF、介电函数、光学常数的提取 |
| 3.5.3 求和规则检验 |
| 3.5.4 a-C材料密度依赖的ELF |
| 3.5.5 IMFP的计算 |
| 3.6 对半导体材料Si、Ge的分析 |
| 3.6.1 研究背景 |
| 3.6.2 FPA-Ritchie-Howie模型 |
| 3.6.3 光学ELF、介电函数、光学常数的提取 |
| 3.6.4 求和规则检验 |
| 3.6.5 IMFP的计算 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 从石墨烯的弹性透射率与弹性反射率中提取EMFP和IMFP |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 Geelen分析中的不自洽性 |
| 4.3 VT近似和ZT近似 |
| 4.4 对Geelen的弹性透射率与弹性反射率数据的再分析 |
| 4.5 ZT近似中的误差分析 |
| 4.5.1 截断带来误差及其误差分析 |
| 4.5.2 条件数的数值计算 |
| 4.5.3 弹性散射角的二值化——两组分ZT模型与三组分ZT模型 |
| 4.6 关于不同实验数据之间较大偏差的讨论 |
| 4.7 本章小结 |
| 第5章 背散射电子信号的定量分析研究 |
| 5.1 从背散射电子背景中提取IMFP |
| 5.1.1 研究背景 |
| 5.1.2 背散射电子背景定量分析方法 |
| 5.1.3 实验数据来源 |
| 5.1.4 AES能谱的绝对强度 |
| 5.1.5 模拟的背散射电子绝对强度与实验结果的比较 |
| 5.1.6 从背散射电子能谱中提取IMFP——简单测试 |
| 5.1.7 一般化方法 |
| 5.2 Mo和W材料背散射系数计算 |
| 5.2.1 研究背景 |
| 5.2.2 Monte Carlo模型介绍 |
| 5.2.3 背散射电子能谱、平均能量、背散射系数计算 |
| 5.2.4 背散射电子的最大穿透深度 |
| 5.2.5 不确定度分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 REELS能谱的定量分析研究 |
| 6.1 表面电子能谱中表面激发、体激发和begrenzungs效应组分的分离 |
| 6.1.1 研究背景 |
| 6.1.2 方法介绍 |
| 6.1.3 对Si的REELS能谱的定量分析 |
| 6.2 电子与材料表面相互作用中负微分非弹性散射截面的讨论 |
| 6.2.1 物理学中的负概率 |
| 6.2.2 电子与材料表面相互作用时微分非弹性散射截面(DIIMFP)及总截面中负值的讨论 |
| 6.2.3 负值非弹性散射截面对REELS能谱模拟的影响 |
| 6.3 本章小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 附录A 光学常数、介电函数、能量损失函数的求和规则检验 |
| A.1 几个常见的求和规则 |
| A.1.1 振子强度求和规则 |
| A.1.2 振子强度求和规则的RMS偏差 |
| A.1.3 完美屏蔽求和规则 |
| A.1.4 惯性求和规则 |
| A.1.5 直流电导求和规则 |
| A.2 求和规则的简单证明 |
| 附录B 原子散射因子与光学常数、介电函数的关系 |
| B.1 基于原子散射因子计算介电函数、光学常数、ELF |
| B.2 不同密度的a-C材料的介电函数、光学常数、ELF的计算 |
| 附录C 三组分ZT模型 |
| C.1 模型介绍 |
| C.2 两组分ZT模型与三组分ZT模型的比较 |
| C.3 三组分ZT模型的计算公式 |
| 附录D 量子力学框架下的表面等离激元激发 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 |
（2）铁磁过渡金属中的自旋Seebeck效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 自旋电子学 |
| 1.2 Seebeck效应 |
| 1.3 热自旋输运 |
| 1.3.1 热自旋探测的几种构型 |
| 1.3.2 自旋Seebeck效应三要素 |
| 1.3.3 铁磁金属中的LSSE实验困难 |
| 1.4 本文的工作和目的 |
| 2 实验设备及方法 |
| 2.1 磁控溅射仪 |
| 2.2 原子力显微镜 |
| 2.3 振动样品磁强计 |
| 2.4 热输运测量平台 |
| 3 铁磁金属Fe,Co,Ni,Ni_(80)Fe_(20) 的自旋Seebeck效应 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 FM/NM中的热自旋输运模型 |
| 3.3 铁磁金属的自旋Seebeck实验测量 |
| 3.4 铁磁金属中的自旋相关Seebeck系数 ↑和 ↓ |
| 3.5 自旋Seebeck系数的定义 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 掺杂对Ni_(1-x) Cr_x自旋Seebeck系数的连续调控 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ni_(1-x) Cr_x合金的电子结构 |
| 4.3 Ni_(1-x) Cr_x合金的制备与磁性测量 |
| 4.4 Ni_(1-x) Cr_x合金的自旋Seebeck测量 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文以及学术会议报告 |
（3）洁净石墨烯振子制备、特性与微吸附检测研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 文献综述 |
| 1.2.1 石墨烯基本特性方面 |
| 1.2.2 石墨烯振子微吸附检测方面 |
| 1.2.3 石墨烯噪声特性研究现状及应用方面 |
| 1.2.4 存在的问题分析 |
| 1.3 论文研究内容及组织结构 |
| 第二章 石墨烯振子制备技术研究 |
| 2.1 石墨烯振子制备工艺流程设计 |
| 2.1.1 基于LOR基底解理石墨烯振子制备工艺流程简介 |
| 2.1.2 基于LOR基底CVD石墨烯振子制备工艺流程 |
| 2.2 石墨烯振子制备关键技术研究 |
| 2.2.1 CVD石墨烯干法转移 |
| 2.2.2 PMMA/LOR显影曝光参数优化 |
| 2.3 石墨烯振子制备 |
| 2.3.1 Corbino石墨烯振子制备 |
| 2.3.2 带状石墨烯振子制备 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 石墨烯振子清洁与洁净度评估 |
| 3.1 石墨烯振子过电流退火 |
| 3.1.1 石墨烯振子过电流退火清洁过程 |
| 3.1.2 石墨烯振子过电流退火结果分析 |
| 3.2 石墨烯掺杂机理分析及消除 |
| 3.2.1 石墨烯掺杂机理及异常电子掺杂现象分析 |
| 3.2.2 石墨烯振子掺杂演化与消除过程 |
| 3.3 石墨烯振子洁净度评估 |
| 3.3.1 基于弹道石墨烯理论电导模型的洁净度评估 |
| 3.3.2 基于电导-载流子浓度对数关系的洁净度评估 |
| 3.3.3 基于FP共振的洁净度评估 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 石墨烯振子微吸附检测失效问题分析 |
| 4.1 石墨烯振子微吸附分布问题 |
| 4.2 Corbino石墨烯振子微吸附频移特性理论研究 |
| 4.2.1 Corbino石墨烯振子动力学模型与谐振特性分析 |
| 4.2.2 Corbino石墨烯振子微吸附谐振检测失效分析 |
| 4.3 Corbino石墨烯振子微吸附检测失效仿真分析 |
| 4.3.1 微吸附质量大小对频响特性影响分析 |
| 4.3.2 微吸附分布频移特性与谐振检测失效分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 石墨烯1/f噪声特性研究 |
| 5.1 石墨烯1/f噪声机理分析 |
| 5.1.1 基于随机隧穿的石墨烯载流子数涨落噪声机理分析 |
| 5.1.2 基于散射截面随机跃迁的石墨烯迁移率涨落噪声机理分析 |
| 5.2 石墨烯/h-BN隧穿晶体管1/f噪声特性研究 |
| 5.2.1 石墨烯/h-BN隧穿晶体管1/f噪声检测原理 |
| 5.2.2 石墨烯/h-BN隧穿晶体管制备 |
| 5.2.3 石墨烯/h-BN隧穿晶体噪声特性研究 |
| 5.3 洁净悬浮石墨烯本征1/f噪声特性研究 |
| 5.3.1 洁净悬浮石墨烯本征1/f噪声检验 |
| 5.3.2 洁净悬浮石墨烯本征1/f噪声特性研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 石墨烯振子微吸附1/f噪声-谐振检测技术研究 |
| 6.1 基于1/f噪声的石墨烯振子微吸附检测 |
| 6.1.1 基于1/f噪声的石墨烯振子微吸附检测方法 |
| 6.1.2 基于1/f噪声的石墨烯振子微吸附检测实验与分析 |
| 6.2 石墨烯振子微吸附1/f噪声-谐振联合检测 |
| 6.2.1 石墨烯表面微吸附1/f噪声-谐振联合检测方法 |
| 6.2.2 石墨烯振子谐振检测研究 |
| 6.2.3 Corbino石墨烯振子微吸附1/f噪声-谐振联合检测实验 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 研究结论 |
| 7.2 研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者在学期间取得的学术成果 |
（4）利用BUU模型研究核物质对称能与原子核类气泡结构（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 重离子碰撞 |
| 1.2 密度依赖的对称能 |
| 1.2.1 对称能与非对称核物质状态方程 |
| 1.2.2 对称能的研究意义 |
| 1.2.3 对称能的研究方法与现状 |
| 1.3 奇特原子核结构 |
| 第二章 同位旋相关的Boltzmann-Uehling-Uhlenbeck(IBUU)输运模型 |
| 2.1 BUU方程 |
| 2.2 BUU模型中的单粒子势 |
| 2.3 BUU模型的核子-核子散射截面 |
| 2.4 BUU模型的数值计算 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 利用核子流探测对称能的高密行为 |
| 3.1 高密对称能与重离子碰撞 |
| 3.2 重离子碰撞中高密非对称核物质的形成 |
| 3.3 利用中质比、集体流探测对称能的高密行为 |
| 3.3.1 自由中质比n/p |
| 3.3.2 椭圆流 |
| 3.3.3 横向流 |
| 3.4 研究反应系统质量对观测量的影响 |
| 3.5 研究较软对称势对观测量的影响 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 原子核气泡结构的探测研究 |
| 4.1 气泡核的核子坐标空间初始化方法 |
| 4.1.1 Skyrme-Hartree-Fock方法 |
| 4.1.2 相对论Hartree–Fock近似下有效拉氏量PKA1 |
| 4.2 利用高能质子研究原子核的气泡结构 |
| 4.2.1 探测~(48)Si的气泡结构 |
| 4.2.2 高能质子探测气泡结构的检验 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 插图 |
| 在读期间的研究成果 |
| 致谢 |
（5）托卡马克等离子体中离子回旋尺度漂移波不稳定性的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 主要符号表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 聚变能与托卡马克 |
| 1.2 微观湍流与输运概述 |
| 1.2.1 碰撞输运 |
| 1.2.2 湍动输运 |
| 1.2.3 漂移波不稳定性 |
| 1.2.4 回旋动理学理论及模拟 |
| 1.3 离子温度梯度模和捕获电子模的研究进展 |
| 1.3.1 离子温度梯度模 |
| 1.3.2 捕获电子模 |
| 1.4 局域平衡模型下的回旋动理学积分本征方程 |
| 1.4.1 Vlasov-Maxwell方程组 |
| 1.4.2 积分本征方程 |
| 1.4.3 数值处理 |
| 1.5 本论文研究内容 |
| 2 含杂质等离子体中捕获电子模、离子温度梯度模的研究 |
| 2.1 研究背景 |
| 2.2 模型和方程 |
| 2.3 数值结果 |
| 2.3.1 杂质对捕获电子模的影响 |
| 2.3.2 杂质模和捕获电子模的耦合 |
| 2.3.3 离子温度梯度模和捕获电子模的耦合 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 非圆截面等离子体中离子温度梯度模的研究 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 Miller局域平衡模型 |
| 3.3 积分本征方程 |
| 3.4 数值结果 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 中空密度分布下离子温度梯度模和捕获电子模的研究 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 局域模型下的离子温度梯度模和捕获电子模 |
| 4.2.1 离子温度梯度模 |
| 4.2.2 捕获电子模 |
| 4.2.3 离子温度梯度模和捕获电子模的耦合 |
| 4.3 全域离子温度梯度模和捕获电子模 |
| 4.3.1 模型和方程 |
| 4.3.2 数值结果 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 创新点 |
| 5.3 展望 |
| 参考文献 |
| 附录A 符号索引 |
| 附录B 非圆截面局域平衡模型下积分本征方程详细推导过程 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（6）金纳米颗粒宏观连续组装膜的导电性质及局域表面激元的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 金纳米颗粒 |
| 1.2.1 金纳米颗粒的合成 |
| 1.2.2 金纳米颗粒的特性与应用 |
| 1.3 纳米薄膜材料 |
| 1.3.1 Langmuir-Blodgett法制备纳米薄膜材料 |
| 1.3.2 自组装技术 |
| 1.3.3 层层自组装技术 |
| 1.3.4 层层自组装技术中的驱动力 |
| 1.3.5 层层自组装的应用 |
| 1.3.6 纳米薄膜材料的导电机制 |
| 1.4 基于金纳米颗粒构成的器件及应用 |
| 1.4.1 微电子器件方面的应用 |
| 1.4.2 生物医学方面的应用 |
| 1.5 超材料 |
| 1.5.1 超材料的定义 |
| 1.5.2 超材料的类型 |
| 1.5.3 超材料的性能特点及应用前景研究 |
| 1.6 论文主要工作 |
| 第二章 层层自组装法构成的金纳米颗粒膜的制备及表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验材料、仪器 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 实验仪器 |
| 2.3 实验方法 |
| 2.3.1 金纳米颗粒的合成 |
| 2.3.2 金纳米颗粒膜的制备 |
| 2.3.3 金纳米颗粒及其组装膜的表征 |
| 2.4 实验结果与讨论 |
| 2.4.1 金纳米颗粒的表征 |
| 2.4.2 LBL组装金纳米颗粒膜的表征 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 层层自组装法构成的金纳米颗粒膜的电导性质研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验材料、仪器 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 实验仪器 |
| 3.3 实验方法 |
| 3.3.1 金纳米颗粒组装膜电学性质的测定 |
| 3.3.2 金纳米颗粒膜导电机制的解释 |
| 3.3.3 导电机制的解释中用到的表征方法 |
| 3.3.4 金纳米颗粒膜升温性质的测定 |
| 3.3.5 金核水凝胶(PAM@Au)的制备及表征 |
| 3.3.6 PAM@Au水凝胶促进药物释放 |
| 3.4 实验结果与讨论 |
| 3.4.1 LBL组装金纳米颗粒膜的电学性质的测定 |
| 3.4.2 金纳米颗粒膜导电机制的解释 |
| 3.4.3 金纳米颗粒膜升温性质的测定 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 层层自组装方法构成的金纳米颗粒超材料膜的微波共振性质研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验材料、仪器 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 实验仪器 |
| 4.3 新型螺旋状超材料的介绍 |
| 4.4 实验方法 |
| 4.4.1 螺旋状超材料基底的选择与制备 |
| 4.4.2 LBL方法制备螺旋状结构的超材料薄膜 |
| 4.4.3 溅射方法制备螺旋状结构的超材料薄膜 |
| 4.4.4 螺旋状结构超材料薄膜的表征 |
| 4.4.5 螺旋状超材料薄膜的微波共振性质测定 |
| 4.5 实验结果与讨论 |
| 4.5.1 螺旋状超材料的表征 |
| 4.5.2 螺旋状超材料的CST仿真结果分析 |
| 4.5.3 螺旋状超材料的微波共振性质测定 |
| 4.5.4 影响螺旋状超材料微波共振性质因素的探究 |
| 4.5.5 柔性螺旋状超材料薄膜的微波共振性质测定 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 结果与展望 |
| 5.1 论文总结 |
| 5.2 论文展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介(包括论文和成果清单) |
（7）可燃薄片制备及其红外毫米波特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 红外诱饵干扰机理 |
| 1.2.2 红外诱饵材料 |
| 1.2.3 毫米波诱饵干扰机理 |
| 1.2.4 毫米波诱饵材料 |
| 1.2.5 红外/毫米波复合诱饵材料 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 2. 可燃薄片设计与制备技术研究 |
| 2.1 可燃薄片设计方案研究 |
| 2.1.1 可燃薄片及传统药柱样品制备 |
| 2.1.2 测试仪器设备与测试方法 |
| 2.1.3 结果与讨论 |
| 2.2 可燃薄片制备技术研究 |
| 2.2.1 可燃薄片药剂复合牢固性研究 |
| 2.2.2 可燃薄片药剂复合均一性研究 |
| 2.3 可燃薄片制备工艺参数研究 |
| 2.3.1 可燃薄片药量研究 |
| 2.3.2 可燃薄片尺寸研究 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 红外烟火药剂基础配方研究 |
| 3.1 烟火药剂组分的选择 |
| 3.1.1 氧化剂 |
| 3.1.2 可燃剂 |
| 3.1.3 粘合剂 |
| 3.2 PTFE对药剂制备、燃烧及辐射性能的影响 |
| 3.2.1 试验原材料及样品制备 |
| 3.2.2 不同PTFE可燃薄片燃烧性能研究 |
| 3.2.3 不同PTFE可燃薄片辐射性能研究 |
| 3.2.4 不同PTFE可燃薄片光谱分布研究 |
| 3.3 Mg对可燃薄片燃烧及辐射性能的影响 |
| 3.3.1 样品制备 |
| 3.3.2 结果与讨论 |
| 3.4 PTFE/Mg配比研究 |
| 3.4.1 PTFE/Mg配比影响规律 |
| 3.4.2 PTFE/Mg最优配比选择 |
| 3.5 Viton含量 |
| 3.5.1 样品制备 |
| 3.5.2 Viton含量对可燃薄片燃烧性能的影响规律 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 可燃薄片红外光谱优化研究 |
| 4.1 烟火辐射理论 |
| 4.1.1 红外辐射基本定律 |
| 4.1.2 烟火药燃烧产物的辐射机理 |
| 4.1.3 红外诱饵剂的辐射特性 |
| 4.2 EG对可燃薄片红外光谱的影响 |
| 4.2.1 EG对可燃薄片燃烧性能的影响 |
| 4.2.2 EG对可燃薄片辐射性能的影响 |
| 4.2.3 EG对可燃薄片光谱分布的影响 |
| 4.3 铝热剂对可燃薄片红外光谱的影响 |
| 4.3.1 样品的制备 |
| 4.3.2 实验结果 |
| 4.3.3 结果分析 |
| 4.4 LH对可燃薄片红外光谱的影响 |
| 4.4.1 实验结果 |
| 4.4.2 结果分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 可燃薄片毫米波性能研究 |
| 5.1 毫米波散射理论 |
| 5.1.1 毫米波与毫米波雷达的基本特点 |
| 5.1.2 毫米波诱饵干扰原理 |
| 5.1.3 毫米波散射性能 |
| 5.2 测试仪器设备与测试方法 |
| 5.2.1 测试仪器设备 |
| 5.2.2 测试方法 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 可燃薄片基底材质对RCS的影响 |
| 5.3.2 可燃薄片尺寸对RCS的影响 |
| 5.3.3 可燃薄片形状对RCS的影响 |
| 5.3.4 红外烟火药剂对可燃薄片RCS的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 可燃薄片应用与红外性能研究 |
| 6.1 可燃薄片抛撒方式研究 |
| 6.2 可燃薄片形成辐射云的红外辐射性能研究 |
| 6.2.1 辐射云红外性能 |
| 6.2.2 可燃薄片装填数量对辐射云红外性能影响 |
| 6.2.3 可燃薄片形状对辐射云红外性能影响 |
| 6.3 单个可燃薄片与可燃薄片辐射云关系 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 结束语 |
| 7.1 论文主要研究成果 |
| 7.2 论文的创新点 |
| 7.3 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（8）纳米结构铁磁—非磁复合薄膜的制备、磁性和和磁电输运特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 磁电阻效应的研究进展 |
| 1.2.1 自旋极化和自旋相关散射 |
| 1.2.2 巨磁电阻 |
| 1.2.3 隧道磁电阻 |
| 1.2.4 正磁电阻效应 |
| 1.2.5 正负磁电阻的转变 |
| 1.3 铁磁金属-非磁基体颗粒膜的磁性和磁输运 |
| 1.3.1 铁磁-非磁颗粒膜的磁性 |
| 1.3.2 铁磁金属-绝缘体颗粒膜的磁输运机理 |
| 1.3.3 FeCo纳米颗粒膜磁输运的研究进展 |
| 1.4 无序体系的电子输运理论 |
| 1.5 垂直磁性各向异性的磁记录介质材料 |
| 1.6 本论文的思路和工作安排 |
| 第二章 薄膜制备、结构表征和物性测量 |
| 2.1 薄膜样品的制备 |
| 2.1.1 磁控溅射沉积技术 |
| 2.1.2 用磁控溅射技术制备铁磁-非磁复合膜的工艺过程 |
| 2.2 薄膜的结构和成分表征 |
| 2.2.1 薄膜厚度测量 |
| 2.2.2 X射线衍射（XRD） |
| 2.2.3 透射电子显微镜（TEM） |
| 2.2.4 X射线光电子能谱（XPS） |
| 2.2.5 磁力显微镜（MFM） |
| 2.3 薄膜的物性测量 |
| 2.3.1 磁性的测量 |
| 2.3.2 电阻和磁电阻的测量 |
| 第三章 FeCo-Si-N纳米颗粒膜的结构和磁电阻效应 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 FeCo-Si-N薄膜的制备和测试方法 |
| 3.3 FeCo-Si-N薄膜的结构 |
| 3.4 FeCo-Si-N薄膜的磁性能 |
| 3.4.1 FeCo-Si-N薄膜的磁滞回线 |
| 3.4.2 FeCo-Si-N薄膜的磁化曲线 |
| 3.5 FeCo-Si-N薄膜的磁电阻效应 |
| 3.5.1 不同电流和磁场方向下的室温磁电阻效应 |
| 3.5.2 FeCo-Si-N薄膜的室温磁电阻效应与成分的关系 |
| 3.5.3 温度对FeCo-Si-N薄膜的磁电阻效应的影响 |
| 3.6 正磁电阻效应可能的物理机制探讨 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 FeCo-ZnO纳米颗粒膜的结构和磁电阻效应 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 FeCo-ZnO薄膜的制备和测试方法 |
| 4.3 低溅射功率（100W）制备的FeCo-ZnO薄膜的结构和性能 |
| 4.3.1 薄膜的结构 |
| 4.3.2 薄膜的X射线光电子能谱分析 |
| 4.3.3 薄膜的磁性能 |
| 4.3.4 薄膜的磁电输运性能 |
| 4.4 溅射功率对FeCo-ZnO薄膜结构和性能的影响 |
| 4.4.1 溅射功率为 200 W时制备的FeCo (8)-ZnO薄膜的XPS分析 |
| 4.4.2 不同溅射功率制备的FeCo (8)-ZnO薄膜的磁性能 |
| 4.4.3 溅射功率和厚度对FeCo (8)-ZnO薄膜磁电输运性能的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 [C/FeCo]_n纳米结构复合多层膜的结构和磁电阻效应 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 [C/FeCo]_n多层膜的制备和测试方法 |
| 5.3 [C/FeCo]_n多层膜的结构 |
| 5.4 [C/FeCo]_n多层膜的磁性能 |
| 5.5 [C/FeCo]_n多层膜的导电机制和磁电阻效应 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 FePt-C和FePt-MgO纳米颗粒膜的结构和磁电性能 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 薄膜的制备和测试方法 |
| 6.3 FePt-C薄膜的结构和磁电性能 |
| 6.3.1 FePt-C薄膜的结构 |
| 6.3.2 FePt-C薄膜的磁性能 |
| 6.3.3 FePt-C薄膜的磁电阻效应 |
| 6.4 FePt-MgO薄膜的结构和磁电性能 |
| 6.4.1 FePt-MgO薄膜的结构 |
| 6.4.2 FePt-MgO薄膜的磁性能 |
| 6.4.3 FePt-MgO薄膜的磁电阻效应 |
| 6.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（9）利用重离子碰撞研究对称能的高密行为（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 第二章 非对称核物质状态方程及对称能 |
| 2.1 非对称核物质状态方程及对称能的定义 |
| 2.2 非对称核物质状态方程及对称能的研究意义 |
| 2.3 非对称核物质状态方程及对称能的研究现状 |
| 2.4 非对称核物质状态方程及对称能的研究方法 |
| 2.4.1 微观多体方法 |
| 2.4.2 有效场理论方法 |
| 2.4.3 唯象方法 |
| 第三章 同位旋相关的输运模型 |
| 3.1 同位旋相关的Boltzmann-Uehling-Uhlenbeck(IBUU)模型 |
| 3.1.1 BUU方程 |
| 3.1.2 BUU模型的模拟计算 |
| 3.2 同位旋相关的Ultra relativistic Quantum Molecular Dynamics(UrQMD) 模型 |
| 3.2.1 UrQMD核子-核子相互作用势 |
| 3.2.2 UrQMD核子-核子散射截面 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 对称能敏感观测量的模型依赖性以及定性探测 |
| 4.1 对称能敏感观测量的模型依赖性 |
| 4.1.1 常用的对称能敏感观测量 |
| 4.1.2 对称能敏感观测量的模型依赖性 |
| 4.2 模型无关的对称能高密行为的定性探针 |
| 4.2.1 不同输运理论模型对对称能高密行为的研究现状 |
| 4.2.2 IBUU模型和UrQMD模型中的对称势 |
| 4.2.3 高动能核子的同位旋相分化(Isospin-Fractionation) |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 利用π介子探测对称能的高密依赖行为 |
| 5.1 介质核子-核子散射截面对探测对称能高密行为的影响 |
| 5.2 π势效应对域下π介子及对称能探测的影响 |
| 5.2.1 对称势与π势 |
| 5.2.2 π势与对称能对近π域附近的π?/π+的影响 |
| 5.3 ?势效应对近π域能量附近π介子及对称能探测的影响 |
| 5.3.1 对称势与?共振态势 |
| 5.3.2 ?势效应对近π域能量附近π介子及对称能探测的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 发表文章目录 |
| 致谢 |
（10）AZO透明导电薄膜载流子输运机制及特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 透明导电氧化物的特性及应用 |
| 1.2 ZnO晶体的特性 |
| 1.3 ZnO基透明导电薄膜的制备方法 |
| 1.4 ZnO基透明导电薄膜的研究现状 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 |
| 2 多晶半导体薄膜中载流子输运机制的若干模型 |
| 2.1 电离杂质散射和中性杂质散射 |
| 2.2 晶格振动散射和晶格位错散射 |
| 2.3 晶界散射 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 多晶半导体晶界处载流子输运理论研究 |
| 3.1 简并半导体的特征 |
| 3.2 多晶半导体的热电子发射理论 |
| 3.3 多晶半导体晶界隧道效应 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 AZO透明导电薄膜的载流子输运机制研究 |
| 4.1 样品的选择及其特性测试结果 |
| 4.2 载流子有效质量评价 |
| 4.3 载流子输运机制讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 薄膜厚度对AZO薄膜微观结构和电学特性的影响研究 |
| 5.1 AZO薄膜样品的制备 |
| 5.2 薄膜厚度对AZO薄膜微观结构和电学特性的影响分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 玻璃基SiO_2阻挡层对AZO薄膜特性的影响研究 |
| 6.1 AZO/SiO_2薄膜结构的制备 |
| 6.2 SiO_2阻挡层对AZO薄膜特性的影响分析 |
| 6.3 本章小结 |
| 7 Ar气中的H_2和O_2对AZO薄膜特性的影响研究 |
| 7.1 ZnO薄膜中H原子状态及行为 |
| 7.2 AZO薄膜样品的制备 |
| 7.3 H_2和O_2对AZO薄膜特性的分析 |
| 7.4 本章小结 |
| 8 论文总结 |
| 附录 依据隧道效应的载流子对双层肖特基势垒的透过率 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 |
四、溅射输运理论中的经典散射截面（论文参考文献）
- [1]电子在材料中的非弹性散射平均自由程的理论研究[D]. 杨立浩. 中国科学技术大学, 2021(09)
- [2]铁磁过渡金属中的自旋Seebeck效应研究[D]. 杨栋超. 三峡大学, 2020(06)
- [3]洁净石墨烯振子制备、特性与微吸附检测研究[D]. 刘瑛. 国防科技大学, 2019(01)
- [4]利用BUU模型研究核物质对称能与原子核类气泡结构[D]. 范小华. 兰州大学, 2019(08)
- [5]托卡马克等离子体中离子回旋尺度漂移波不稳定性的研究[D]. 杜华荣. 大连理工大学, 2017(09)
- [6]金纳米颗粒宏观连续组装膜的导电性质及局域表面激元的研究[D]. 王鹏. 东南大学, 2017(12)
- [7]可燃薄片制备及其红外毫米波特性研究[D]. 杜珺. 南京理工大学, 2017(07)
- [8]纳米结构铁磁—非磁复合薄膜的制备、磁性和和磁电输运特性研究[D]. 曾燕萍. 华南理工大学, 2016(05)
- [9]利用重离子碰撞研究对称能的高密行为[D]. 郭文梅. 兰州大学, 2016(08)
- [10]AZO透明导电薄膜载流子输运机制及特性研究[D]. 李钢贤（Ri Kang Hyon）. 华中科技大学, 2011(05)